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公开(公告)号：KR101742012B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150161989
申请日：2015-11-18
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은노이즈에강하고, 파워소모도적으며, 설계또한디지털만으로쉽게구현가능한방법인디지털처리만을이용한방사선계수방식영상센서신호처리단의펄스중첩해소방법, 펄스중첩해소장치, 프로그램및 이를저장한기록매체에관한것이다. 이를위하여비교기의펄스신호출력인비교기출력의변화를감지하는비교기출력변화감지단계; 비교기출력변화감지단계에서비교기출력의변화가감지되면, 비교기출력을 C 변수로설정하는 C 변수설정단계; 시간순으로설정된기설정된 A 변수, 기설정된 B 변수와 C 변수를비교하여, B 변수가특정구간에서최대값인지최소값인지여부를판별하는최대최소판별단계; 및최대최소판별단계에의해판별된특정구간의최대값과최소값을이용하여에너지정보를생성하는에너지정보생성단계;를포함하고, 비교기출력변화감지단계내지최대최소판별단계를적어도 1회수행하여특정구간의최대값과최소값을도출하는, 방사선계수방식영상센서신호처리단의펄스중첩해소방법을제공하고있다. 이에따르면기존에많은피폭선량을동반하는 PET, CT 등의료기기에서펄스중첩(pulse pile-up) 문제를해결할수 있게되는효과가발생된다.
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公开(公告)号：KR101495105B1
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130093606
申请日：2013-08-07
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 X-선 이미지 검출용 대면적 디지털 픽셀센서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 디지털 래디오그래피(digital radiography : DR) 등의 X-선 이미지 검출용 의료기기에 적용되는 대면적 이미지센서를 구성함에 있어서, 이미지센서를 구성하는 각각의 픽셀센서 내에 해당 픽셀에서 획득된 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력할 수 있는 A/D 변환 회로가 형성된 PWM(Pulse Width Modulation) 방식의 디지털 픽셀센서를 구성함으로써, 컬럼(column) 단위 또는 칩(chip) 단위로 A/D 변환기가 구비되는 종래의 대면적 이미지센서에 비해 신호의 감쇄 및 왜곡이 없으며 프레임 속도가 향상되는 X-선 이미지 검출용 대면적 디지털 픽셀센서에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, X-선 이미지 검출용 의료기기의 이미지센서에 구비되는 대면적 디지털 픽셀센서에 있어서, 빛을 수광하여 전기 신호로 변환하는 포토다이오드와; 상기 포토다이오드를 미리 설정된 전압으로 리셋(reset)시키는 리셋 트랜지스터와; 상기 포토다이오드로부터 전달되는 전압 신호와 기준 전압(reference voltage)을 비교하여, 포토다이오드로부터 전달되는 전압 신호와 기준 전압이 같아지는 시점까지의 클럭 신호를 출력하는 비교기와; 상기 비교기로부터 전달받은 클럭 신호를 카운트하는 카운터와; 상기 카운터로부터 카운트 된 값을 디지털 출력 값으로 외부 회로에 전달하는 쉬프트 레지스터;를 포함하여 구성되되, 상기 포토다이오드와 상기 리셋 트랜지스터, 비교기, 카운터 및 쉬프트 레지스터로 구성되는 A/D 변환회로가 하나의 픽셀 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020140132099A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：KR1020130051165
申请日：2013-05-07
Applicant: 한국과학기술원 , 제이피아이헬스케어 주식회사
Abstract: 본원은, 고분자 중합체를 이용한 GOS 섬광체, 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로, 비용 절감 효과를 얻을 수 있고 빛의 퍼짐 현상을 보완하여 고감도 및 고성능의 특성을 갖는, 고분자 중합체를 이용한 GOS 섬광체, 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用聚合物的GOS闪烁体及其制造方法，更具体地说，涉及具有降低成本并补偿光扩散以具有高灵敏度和高性能的特性的GOS闪烁体 ，及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020130128834A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120052908
申请日：2012-05-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3559 , H04N5/3741
Abstract: The present invention relates to a CMOS image sensor which has high sensitivity and a wide dynamic range and comprises pixels capable of controlling the reset voltage of a photo diode. Provided is a high sensitivity CMOS image sensor device comprises a two-dimensional array of unit pixels. The unit pixel includes: a photo diode for generating electric charge corresponding to input light; a charge amplification transistor and a feedback capacitor for converting the generated electric charge to voltage; a reset transistor for resetting the photo diode and the feedback capacitor; a reset control terminal for controlling the reset voltage of the photo diode; and two select transistors for selecting a unit pixel.
Abstract translation: 本发明涉及具有高灵敏度和宽动态范围的CMOS图像传感器，并且包括能够控制光电二极管的复位电压的像素。 提供了一种高灵敏度CMOS图像传感器装置，其包括单位像素的二维阵列。 单位像素包括：用于产生对应于输入光的电荷的光电二极管; 电荷放大晶体管和用于将产生的电荷转换成电压的反馈电容器; 用于复位光电二极管和反馈电容器的复位晶体管; 复位控制端子，用于控制光电二极管的复位电压; 以及用于选择单位像素的两个选择晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120050714A
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：KR1020100112108
申请日：2010-11-11
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G06K9/00671 , G06F17/30047 , G06F17/30781 , G06T19/006
Abstract: PURPOSE: An augmented reality system of a printed matter and a video and a method thereof are provided to transceive a letter on offline and transceive a video which is linked to the letter. CONSTITUTION: A picture matching video registration unit stores identification information and a video file in database. AR(Augmented Reality) units(31-36) extract a picture area from a photographed image. The AR units calculate identification information for search including a feature value of a picture. The AR searches for identification information from the database. The AR unit displays the searched video on a picture area.
Abstract translation: 目的：提供印刷品和视频的增强现实系统及其方法，用于在离线时收发信件并收发与该信件相关联的视频。 构成：图像匹配视频注册单元将识别信息和视频文件存储在数据库中。 AR（增强现实）单元（31-36）从拍摄的图像中提取图片区域。 AR单元计算包括图像的特征值的搜索标识信息。 AR从数据库中搜索标识信息。 AR单元在图片区域上显示搜索到的视频。
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公开(公告)号：KR101127982B1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020100050607
申请日：2010-05-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/101
Abstract: 본 발명은 배면 입사 구조를 갖는 실리콘 광전자증배관에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 섬광체를 이용한 감마선검출기에서 섬광체에서 발생하는 가시광선을 검출하기 위해 다수개의 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode)로 구성된 실리콘 광전자증배관을 구성함에 있어서, 섬광체에서 발생하는 가시광선이 아발란치 포토다이오드(avalanche photodiode)의 배면을 통해 입사되도록 구성하여 입사되는 가시광에 반응하는 액티브 영역을 넓힘으로써 필 팩터(fill factor)를 증가시켜 감마선 검출기의 광검출효율을 높일 수 있는 배면 입사 구조를 갖는 실리콘 광전자증배관에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 다수개의 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode) 마이크로 셀을 포함하여 구성되어 섬광체로부터 방출되는 가시광선을 검출하는 실리콘 광전자증배관에 있어서, SOI(Silicon On Insulator)웨이퍼를 구성하는 p층; 상기 p층 하부에 형성되는 p+ 층; 상기 p+ 층 하부에 도핑된 반사방지막; 상기 p층 상부 중앙부에 도핑, 형성되는 p-well층; 상기 p-well층 중앙부에 도핑, 형성되는 n-well층; 상기 p-well층 및 상기 n-well층의 양측에서 상기 p-well층 및 상기 n-well층과 이격되어 상기 p층의 내측으로 연장, 형성되어 상기 p-well층 및 상기 n-well층이 이루는 pn접합층에서 생성되는 전하가 인접하는 APD 마이크로 셀로 이동되는 것을 방지하는 한 쌍의 트렌치; 및 상기 한 쌍의 트렌치 외곽에 각각 형성되는 한 쌍의 p+ 싱커(p+ sinker);를 포함하여 구성되는 다수개의 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode) 마이크로 셀과; 상기 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode) 마이크로 셀의 상부에 형성되는 제1 절연층; 상기 제1 절연층의 상부에 형성되는 퀀칭 저항(quenching resistor); 상기 제1 절연층 상부에 형성되는 제2 절연층; 상기 제2 절연층의 상부에 형성되어, 콘택(contact)을 통해 상기 n-well층, p+ 싱커 및 퀀칭 저항에 연결되는 제1 배선 전극 패턴;을 포함하여 구성되어, 섬광체로부터 방출되는 가시광선을 반사방지막이 형성된 배면을 통해 입사받는 것을 특징으로 한다.-
58.发明授权엑스선 디지털 이미지 센서 장치, 엑스선 디지털 이미지 장치 및 엑스선 디지털 이미지 센서 제조 방법 有权用于X射线数字图像的传感器装置，用于X射线的数字图像装置，以及X射线数字图像传感器的制造方法
公开(公告)号：KR101078694B1
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：KR1020090099974
申请日：2009-10-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/146 , A61B6/12
Abstract: 엑스선디지털이미지센서장치, 엑스선디지털이미지장치및 엑스선디지털이미지센서제조방법이개시된다. 본발명은기판; 픽셀단위면적당포토다이오드면적비율을감소시켜소정의값 이하의면적을가지는포토다이오드를포함하고, 상기기판위의각각의픽셀에대응하는복수의이미지센서; 상기복수의이미지센서각각의포토다이오드위에접합된마이크로렌즈; 및상기마이크로렌즈위에증착되어픽셀화된섬광체를포함하는, 엑스선디지털이미지센서장치를제공한다. 본발명의실시예들에의하면, 엑스선이미지센서의구조를개선함으로써, 이미지센서의각 픽셀위에서섬광된빛을다른픽셀로크로스토킹되지않고해당픽셀에서바로수광하여전기적신호로변환된유효신호를향상시킬수 있고, 엑스선촬영에요구되는환자의피폭량의감소시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101068465B1
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：KR1020090107621
申请日：2009-11-09
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G06K9/00201 , G06K9/469 , G06K9/6211 , G06K9/6278
Abstract: 이 발명은 제너릭 랜덤마이즈드 포레스트(Generic Randomized Forest)를 이용하여 특징점 매칭과 물체인식을 동시에 할 수 있는 삼차원 물체 인식 시스템 및 방법에 관한 것이다.
이 발명의 한 실시예에 따른 삼차원 물체 인식 시스템은, 복수의 랜덤마이즈드 트리를 포함하고, 상기 각각의 랜덤마이즈드 트리가 복수의 리프노드를 포함한 확장 랜덤마이즈드 포레스트를 저장하는 저장부와; 다수의 학습대상 물체별로 입력되는 학습대상물체 이미지로부터 다수의 특징점들을 추출하고, 상기 추출된 다수의 특징점들을 상기 확장 랜덤마이즈드 포레스트에 적용하여 상기 리프노드별로 물체인식 사후확률분포와 학습대상 물체별 특징점매칭 사후확률분포를 계산하여 상기 저장부에 저장하는 학습수단과; 매칭대상물체 이미지로부터 다수의 특징점들을 추출하고 상기 확장 랜덤마이즈드 포레스트에 적용하여 복수의 리프노드에 매칭시키고, 상기 매칭된 복수의 리프노드에 저장된 물체인식 사후확률분포를 이용하여 상기 매칭대상물체 이미지에 포함된 물체를 인식하고, 상기 매칭된 복수의 리프노드에 저장된 학습대상 물체별 특징점매칭 사후확률분포를 이용하여 상기 매칭대상물체 이미지에서 추출된 다수의 특징점들을 상기 인식된 물체의 특징점과 매칭시키는 매칭수단을 포함한다.
물체 인식, 특징점 인식, 랜덤마이즈드 포레스트, randomized forest, 특징점 매칭-
公开(公告)号：KR100987057B1
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：KR1020080055226
申请日：2008-06-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
Abstract: 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관 및 이를 포함하는 감마선 검출기가 개시된다.
본 발명에 따른 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관은, p+ 전도성 타입의 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 상부에 형성되며, p- 전도성 타입의 에피택시 층, 상기 에피택시 층에 도핑된 전도성 타입의 p 영역, 상기 전도성 타입의 p 영역의 상부에 형성되며, 상기 에피택시 층에 도핑된 전도성 타입의 n+ 영역, 및 상기 에피택시 층과 상기 전도성 타입의 n+영역의 상부에 형성된 절연층을 포함하는 단위 마이크로 셀; 상기 n+ 영역의 상부에 형성되는 상기 단위 마이크로 셀의 메탈 라인(metal line); 및 상기 메탈 라인과 컨택에 의해 연결되며 상기 절연층의 상부에 형성된 퀀칭(quenching)용 폴리실리콘 저항을 포함하며, 상기 퀀칭용 폴리실리콘 저항은 다층 구조를 가지며, 상기 실리콘 광전자 증배관의 깊이 방향으로 상호 중첩되도록 복수 개 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 다층의 폴리실리콘 저항 및 마이크로 렌즈를 형성함으로써 섬광체에서 발생하는 가시광이 데드 영역(dead region)으로 입사하는 것을 최소화여 필 팩터를 향상시킬 수 있고, 나아가 실리콘 광전자 증배관의 광검출효율향상에 따른 마이크로 셀의 크기를 줄일수 있는 효과가 있다
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