公开(公告)号：KR1019920013609A

公开(公告)日：1992-07-29

申请号：KR1019900021818

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강상원 ,  안근영 ,  이경수

IPC: H01L21/00

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019920005782B1

公开(公告)日：1992-07-18

申请号：KR1019900008258

申请日：1990-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권광호 ,  윤선진 ,  박병선 ,  전영진 ,  강상원

IPC: G03F7/26

Abstract: RIE dry developing process for silylated photoresist using O2/H2 plasma comprises (A) depositing 1.6-1.8 m plasmask light- sensitive film (2) containing a pigment on substrate (1) at 4100 rpm, (B) soft baking the film (2) at 110 deg.C for 60 secs, followed by partially exposing, (C) presilylation baking exposed part (3) and non-exposed part (4) at 160 deg.C for 60 secs, (D) forming silylation agent diffusion layer (5) on exposed part (3) by silylating at 143 deg.C for 7 mins under the atmosphere of diluted silylation agent by air or N2, and (E) removing non-exposed part (4) by dry etching to form a mask layer of light-sensitive film.

Abstract translation: 使用O 2 / H 2等离子体的硅烷化光刻胶的RIE干式显影工艺包括：（A）以4100rpm沉积在基片（1）上含有颜料的1.6-1.8μm等离子体掩模感光膜（2），（B）软烘烤薄膜 ）在110℃持续60秒，然后在160℃部分暴露（C）预裂化焙烧露出部分（3）和未曝光部分（4）60秒，（D）形成甲硅烷基化剂扩散层 （5）在暴露部分（3）上，通过空气或N 2在稀释的甲硅烷基化剂的气氛下在143℃甲酰化7分钟，和（E）通过干蚀刻除去未曝光的部分（4）以形成掩模 感光层。

公开(公告)号：KR1019920001916B1

公开(公告)日：1992-03-06

申请号：KR1019890010538

申请日：1989-07-25

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 유종선 ,  강상원

IPC: H01L27/108

Abstract: The DRAM cells having trench type storage capacitors are layerd and structured using separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon on insulation (SOI) to improve layout efficiency and to reduce leakage current. The method includes: (A) depositing storage capacitors on a trench (22) formed inside of a substrate (31); (B) forming heavily doped polycrystal silicon plug (47) and P silicon layer (48) to form electrodes of the storage capacitor; (C) forming gate electrodes and word lines (24) on gate silicon dioxide layer (50) to form a translation transistor; (D) isolating activated regions using field dioxide layer (49); (E) forming contack (27) through silicon dioxide (53) to connect the drain (52) to metal lead wire or bit line (28).

Abstract translation: 具有沟槽型存储电容器的DRAM单元通过使用绝缘（SOI）上的注入氧（SIMOX）硅分离而分层并结构化，以提高布局效率并减少泄漏电流。 该方法包括：（A）在形成在衬底（31）内部的沟槽（22）上沉积存储电容器; （B）形成重掺杂多晶硅插头（47）和P硅层（48）以形成存储电容器的电极; （C）在栅极二氧化硅层（50）上形成栅电极和字线（24）以形成平移晶体管; （D）使用二氧化碳层（49）分离活化区域; （E）通过二氧化硅（53）形成接头（27），以将漏极（52）连接到金属引线或位线（28）。

公开(公告)号：KR1019910005401B1

公开(公告)日：1991-07-29

申请号：KR1019880011545

申请日：1988-09-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 유현규 ,  강상원 ,  이진효

IPC: H01L29/68 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L21/28525 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/2633 ,  Y10S148/147

Abstract: The method for manufacturing a bipolar transistor having a high speed operation charactristic and a high integration or a high current switching device utilizes a polysilicon self aligning process. The method comprises the steps of evaporating a first amorphous silicon film (116) having a diffusion source function on a P type intrinsic base (104), ion-implanting impurities there into and diffusing them to the surface of the silicon film (116) to form an emitter junction (118); evaporating a titanium film (120) and a second amorphous silicon film (121); and ion- implanting impurities there into and heat-treating it to forming a titanium silicide film (122).

Abstract translation: 具有高速运算特性和高集成度的双极晶体管的制造方法或大电流开关器件利用多晶硅自对准工艺。 该方法包括以下步骤：在P型本征基底（104）上蒸发具有扩散源功能的第一非晶硅膜（116），在其中离子注入杂质并将其扩散到硅膜（116）的表面至 形成发射极结（118）; 蒸发钛膜（120）和第二非晶硅膜（121）; 并将杂质离子注入并进行热处理以形成硅化钛膜（122）。

公开(公告)号：KR1020080023618A

公开(公告)日：2008-03-14

申请号：KR1020070026820

申请日：2007-03-19

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  한양대학교 산학협력단 ,  연세대학교 산학협력단 ,  광운대학교 산학협력단

Inventor： 서정일 ,  백승권 ,  장인선 ,  정세윤 ,  최해철 ,  장대영 ,  김재곤 ,  문경애 ,  홍진우 ,  김진웅 ,  박호종 ,  박영철 ,  이재성 ,  강상원

IPC: G10L19/04 ,  H03M7/30

Abstract: An apparatus for audio encoding and decoding using warped linear prediction coding, and a method thereof are provided to remove the redundancy of an original signal by using the warped linear prediction coding in an audio encoding process, provide an error signal to an audio encoder as an input signal, and transform a psychological sound model to be suitable for the error signal, thereby increasing the efficiency of audio signal compression and performing audio signal encoding. An error signal calculating unit(110) performs the warped linear prediction coding of an audio signal inputted from the outside in a temporal area to calculate an error signal. A frequency domain converting unit(120) converts the error signal obtained in the error signal calculating unit into a frequency domain signal. A masking threshold value calculating unit(131,132) calculates a masking threshold value used in the encoding of the error signal by using an original signal and encoding information used in the warped linear prediction coding of the original signal. A perceptual encoding unit(140) performs the perceptual encoding of the error signal converted in the frequency domain converting unit by using the calculated masking threshold value.

Abstract translation: 提供了一种使用翘曲线性预测编码的音频编码和解码装置及其方法，用于通过在音频编码处理中使用翘曲的线性预测编码来消除原始信号的冗余度，向音频编码器提供误差信号作为 输入信号，并将心理声音模型变换为适合于误差信号，从而提高音频信号压缩和执行音频信号编码的效率。 误差信号计算单元（110）对从时间区域外部输入的音频信号执行翘曲的线性预测编码，以计算误差信号。 频域转换单元（120）将在误差信号计算单元中获得的误差信号转换成频域信号。 屏蔽阈值计算单元（131,132）通过使用原始信号和在原始信号的扭曲线性预测编码中使用的编码信息来计算在误差信号的编码中使用的掩蔽阈值。 感知编码单元（140）通过使用所计算的屏蔽阈值来执行在频域转换单元中转换的误差信号的感知编码。

公开(公告)号：KR1020060068278A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：KR1020040106926

申请日：2004-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 윤병식 ,  김형중 ,  최송인 ,  이준석 ,  강상원

IPC: G10L15/28 ,  G10L19/032

Abstract: 본 발명은 분산 음성 인식 시스템에서 블록제한된 트렐리스 부호화 양자화(Block Constrained Trellis Coded Quantization: BC-TCQ)를 이용하여 멜켑스트럼 계수를 양자화하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 분산 음성 인식 시스템에서의 멜켑스트럼 계수 양자화 방법에 따르면, 입력되는 멜켑스트럼 계수 벡터로부터 멜켑스트럼 계수 벡터의 DC 성분을 제거한다. 그리고 DC 성분이 제거된 멜켑스트럼 벡터 계수에 대하여 프레임간 예측을 수행하여 예측에러벡터를 생성하고, 생성된 예측에러벡터를 BC-TCQ를 이용하여 양자화한다. 다음 양자화된 예측에러벡터에 프레임내 예측 보상을 수행하고 DC 성분을 더하여 양자화된 최종 멜켑스트럼 계수 벡터를 생성한다. 이와 같이 하면, 양자화 시에 요구되는 메모리 크기와 코드북 탐색 시에 계산량을 감소시킬 수 있으며, 향상된 양자화 성능을 얻을 수 있게 된다.
멜켑스트럼, 양자화, BC-TCQ, 분산음성인식시스템, 벡터, 트렐리스

公开(公告)号：KR100160912B1

公开(公告)日：1998-12-15

申请号：KR1019950053676

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이재열 ,  박경호 ,  최부연 ,  강상원 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01H47/00

Abstract: 본 발명은 정전구동 마이크로 릴레이 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본원 발명은 기판(10)상의 소정영역에 일부분이 단속되어 종방향으로 형성된 하부 접촉전극(12)과, 상기 하부 접촉전극(12)의 양측에 각각 형성되어 있는 하부 구동전극(13,14)과, 상기 하부 접촉전극(12)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 아래로 굴곡진 제1오목부(17)가 형성되어 있고 상기 하부 구동전극(13,14)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 각각 아래로 굴곡진 제2오목부(18,19)가 형성되어 있으며 하부 접촉전극(12)과 하부 구동전극(13,14)사이에 소정의 공간이 형성되도록 소정의 높이에 브릿지형상으로 형성되어 있는 브릿지 몸체(21)와, 상기 하부 접촉전극(12)과 대면하는 브릿지 몸체(21)의 제1오목부의 배면에 형성되어 있는 상부 접촉전극(20)� ��, 상기 브릿지 몸체(21)의 전면에 형성되어 있는 상부 구동전극(20)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100127972B1

公开(公告)日：1997-10-28

申请号：KR1019930027344

申请日：1993-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안근영 ,  박경호 ,  남기수 ,  강상원

IPC: G02B27/10

公开(公告)号：KR100112506B1

公开(公告)日：1997-02-26

申请号：KR1019930014240

申请日：1993-07-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강상원 ,  백종태

IPC: H01L29/86

公开(公告)号：KR1019960015326B1

公开(公告)日：1996-11-07

申请号：KR1019930014240

申请日：1993-07-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강상원 ,  백종태

IPC: H01L29/86

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: a field oxide(2) formed on a semiconductor substrate(1); a first electrode(3) formed and patterned on the field oxide(2); a first insulating film(4) formed on the field oxide(2) through the upper part of both ends of the first electrode(3); a second insulating film(5) used as an interfacial layer by being formed on the exposed surface of the first electrode(3); and a second electrode(6) formed on the second insulating film(5).

Abstract translation: 形成在半导体衬底（1）上的场氧化物（2）; 在场氧化物（2）上形成并图案化的第一电极（3）; 通过第一电极（3）的两端的上部形成在场氧化物（2）上的第一绝缘膜（4）; 通过形成在第一电极（3）的暴露表面上而用作界面层的第二绝缘膜（5）; 和形成在第二绝缘膜（5）上的第二电极（6）。