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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100249801B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970070303
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/00
Abstract: 본 발명은 마이크로웨이브 전력증폭기용 셀 구조에 관한 것으로, 종래에는 전력증폭기용 셀을 측정한 후 설계시에 안정도를 위한 회로를 삽입하는데 측정중에 발진이 일어나 셀이 죽거나 정확한 측정이 어렵게 된다. 또한 높은 출력을 얻기 위하여 셀들을 병렬로 결합하게 되는데 종래의 방법은 입력 및 출력 신호 경로가 결합된 셀들간에 차이가 있어 주파수가 밀리미터에 이르면 위상 왜곡이 심하게 된다. 이에 본 발명은 셀 구조를 개선하여 입력 및 출력의 신호 경로를 각각 같게 하여 위상 왜곡을 방지하였고, 입력측에 안정도를 위하여 저항을 삽입하여 마이크로웨이브 측정에서 나타나는 발진을 막도록 하여 측정이 용이하며 마이크로웨이브 전력증폭기의 설계가 용이하게 하였다.
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公开(公告)号：KR1019990039433A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970059538
申请日：1997-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B7/14
Abstract: 본 발명은 옥내외 무선 중계장치에 관한 것으로서, 위성 방송, LMDS, 무선 CATV와 같은 무선 전파 신호를 옥외에서 받아 증폭하여 옥내의 무선 단말기에 무선 형태로 중계하거나, 반대 방향으로 옥내의 무선 단말기에서 송출되는 무선 신호를 옥외로 무선 중계하는 옥내외 무선 중계 장치를 구성함으로써, 유선으로 연결되는 복잡한 배선을 배제할 수 있으며, 단말기의 재배치에 따른 부가 공사가 불필요하게 되며, 궁극적으로는 단말기에 이동성을 부여할 수 있는 효과를 가진다.
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公开(公告)号：KR100171375B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950053653
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 선형성이 향상된 전력소자 기판구조에 관한 것으로서, 종래에 초격자 완충층에 바로 고농도층을 성장시키면 AlGaAs의 Al 확산계수가 작아 계면의 거칠기와 불순물의 확산으로 인하여 동작점 근처의 바이어스에서 완충층에 의한 전류로 트랜스 컨덕턴스의 기울기가 급준하지 못하여 비선형성을 보이게 되는 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 초격자 완충층과 고농도 도핑층 사시에 도핑하지 않은 갈륨비소층을 제공함으로써 계면 거칠기와 불순물의 확산을 막아 선형적인 트랜스 컨덕턴스를 얻을 수 있다.
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