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公开(公告)号：KR1020110134145A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：KR1020100053968
申请日：2010-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: PURPOSE: A memory cell and a memory device using the same are provided to improve integrity of the memory cell by reducing the number of wires for one memory cell. CONSTITUTION: A reference voltage is applied to a drain of a ferroelectric transistor. A first switch connects a source of the ferroelectric transistor to a first line(L1) in response to a scan signal. A second switch(TB) connects a gate of the ferroelectric transistor to a second line(L2) in response to the scan signal. The scan line is connected to the gate of the first switch and the second switch and applies the scan signal. A reference line is connected to the drain of the ferroelectric transistor.
Abstract translation: 目的：提供一种存储单元和使用该存储单元的存储器件，以通过减少一个存储器单元的导线数来改善存储单元的完整性。 构成：将参考电压施加到铁电晶体管的漏极。 第一开关响应于扫描信号将铁电晶体管的源极连接到第一线（L1）。 第二开关（TB）响应于扫描信号将铁电晶体管的栅极连接到第二线（L2）。 扫描线连接到第一开关和第二开关的栅极并施加扫描信号。 参考线连接到铁电晶体管的漏极。
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公开(公告)号：KR100998887B1
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020080084534
申请日：2008-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 상 변화 메모리 소자의 제조 방법은, (a) 기판 상에 제 1 반응층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 반응층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 상기 제 1 반응층을 덮는 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 컨택 홀을 매립하는 제 2 반응층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층을 이루는 물질 간의 고상 반응을 일으킴으로써 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층 사이에 상 변화층을 생성하는 단계를 포함한다. 따라서, 낮은 전력 소모를 가지며 동작 속도가 빠른 상 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다.
상 변화, 메모리, 비휘발성, 고상 반응, chalcogenide, germanium-antimony(GeSb)-
公开(公告)号：KR1020100118972A
公开(公告)日：2010-11-08
申请号：KR1020100102476
申请日：2010-10-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: An electric component and a phase change memory device thereof are provided to offer a phase change electronic device with low power consumption by reducing a programmable volume. CONSTITUTION: A second reactive layer(210) is formed on a first reactive layer(208). A phase-change layer(215) is formed between a first reactive layer and a second reactive layer. The phase-change layer is formed with a solid-state reaction of a material comprising the first reactive layer and the second reactive layer. An insulation layer covers the first reactive layer in order to form a contact hole which exposes a part of the upper part of the first reactive layer.
Abstract translation: 目的：提供电气部件及其相变存储装置，通过减少可编程体积来提供具有低功耗的相变电子装置。 构成：在第一反应层（208）上形成第二反应层（210）。 在第一反应层和第二反应层之间形成相变层（215）。 相变层由包含第一反应层和第二反应层的材料的固态反应形成。 绝缘层覆盖第一反应层以形成暴露第一反应层的上部的一部分的接触孔。
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公开(公告)号：KR1020100069484A
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020080128176
申请日：2008-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/148 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/122 , H01L45/144 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile programmable device including a phase change layer and a manufacturing method thereof are provided to improve and increase the speed of a repeating record operating property using a phase transition phenomenon. CONSTITUTION: A first threshold switching layer(111) is connected to a first terminal. A phase change layer(121) is connected to the first threshold switching layer. A second threshold switching layer(123) is connected to the phase change layer. A second terminal is connected to the second threshold switching layer. A third terminal is connected to one-side part of the phase change layer. A fourth terminal is connected to the other side part of the phase change layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括相变层的非易失性可编程装置及其制造方法，以提高并提高使用相变现象的重复记录工作特性的速度。 构成：第一阈值开关层（111）连接到第一端子。 相变层（121）连接到第一阈值切换层。 第二阈值切换层（123）连接到相变层。 第二终端连接到第二阈值切换层。 第三端子连接到相变层的一侧部分。 第四端子连接到相变层的另一侧部分。
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公开(公告)号：KR100948833B1
公开(公告)日：2010-03-22
申请号：KR1020070118530
申请日：2007-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: 본 발명의 고체 전해질 메모리 소자는 기판 상에 형성된 제1 전극층과, 제1 전극층 상에 은(Ag)-안티몬(Sb)-텔레륨(Te) 합금 또는 구리--안티몬-텔레륨 합금으로 구성된 고체 전해질층과, 고체 전해질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하여 이루어진다. 고체 전해질층을 구성하는 은-안티몬-텔레륨 합금은 은 40-90 원자(atomic)%, 안티몬 5-30 원자(atomic)%, 텔레륨 5-30 원자(atomic)%의 조성을 갖고, 고체 전해질층을 구성하는 구리-안티몬-텔레륨 합금은 구리 40-90 원자(atomic)%, 안티몬 5-30 원자(atomic)% 및 텔레륨 5-30 원자(atomic)%의 조성을 갖는다. 고체 전해질층은 고체 전해질층을 구성하는 은 또는 구리로 이루어진 금속 이온이 포함되어 있고, 제2 전극층의 양 및 음의 인가 전압에 따라 각각 고체 전해질층 내에 금속 이온의 도움으로 인해 도전 링크가 형성되거나 소멸되어 고체 전해질층의 저항이 변화한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100946704B1
公开(公告)日：2010-03-12
申请号：KR1020070122459
申请日：2007-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은 금속 클러스터를 나노와이어의 성장 촉매로 이용하는 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 공정을 이용하는 GeTe 나노와이어 제조 방법을 제공한다. 본발명에 따른 VLS법을 이용한 GeTe 나노와이어의 제조방법은, GeTe 원료와 기판을 반응로 내에 이격시켜 배치하는 단계와, 상기 GeTe 원료가 휘발하여 GeTe 가스 상태가 되도록 상기 GeTe 원료를 소스 온도로 가열시키고 상기 기판을 기판 온도로 가열시키는 단계와, 형성 시간 동안, 상기 반응로 내에 반응 가스를 흘려보내어 상기 GeTe 가스를 상기 기판상에 흡착시키고 확산 및 석출반응을 수행하여 GeTe 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함한다.
GeTe 나노와이어, VLS(Vapor-Liquid-Solid)법-
公开(公告)号：KR100946700B1
公开(公告)日：2010-03-12
申请号：KR1020080022402
申请日：2008-03-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 상변화 메모리 소자의 상변화 재료층으로 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔레륨(Te)계 Ge
2 Sb
2+x Te
5 (0.12≤x≤0.32)를 사용함으로써, 상변화 재료의 결정 및 비정질 상태 사이의 상전이 과정에 있어서 그 결정 상태가 준안정상과 안정상의 복합상이 아닌 안정상의 단일상으로 확정되고, 온도 상승에 따른 상전이가 비정질 상태로부터 안정상의 단일상 결정 상태로 직접 전이하게 되므로, 상변화 메모리 소자의 셋 동작 안정성 및 셋 상태 저항값의 분포 특성을 크게 개선시킬 수 있다. 또한, 상변화 메모리 소자의 상변화 재료층으로 Ge
2 Sb
2
+
x Te
5 (0.12≤x≤0.32)를 사용함으로써, 비정질 상태의 저항값이 결정화 온도 부근의 고온에서 장시간 동안 유지될 수 있으므로, 상변화 메모리 소자의 리셋 동작 안정성 및 반복 기록 동작 과정에서의 안정성을 크게 개선시킬 수 있다.
상변화, 비휘발성 메모리, 게르마늄-안티몬-텔레륨, 동작신뢰성-
公开(公告)号：KR1020090055700A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070122459
申请日：2007-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/02603 , B82B3/0038 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/007 , C01P2004/16 , H01L29/0665
Abstract: A method for manufacturing GeTe nanowire using a vapor liquid solid method is provided to properly select source temperature, substrate temperature, gas volume and growth time in order to grow nanowire with desired length and thickness. A method for manufacturing GeTe nanowire using a vapor liquid solid method comprises the following steps of: arranging a GeTe raw material at some distance from a substrate within a furnace(3); heating the GeTe raw material up to the source temperature in order to volatilize the GeTe raw material and heating the substrate up to the substrate temperature; and flowing reaction gas into the furnace during formation time to adsorb the GeTe gas on the substrate and performing diffusion and eduction in order to grow nanowire.
Abstract translation: 提供使用蒸气固体法制造GeTe纳米线的方法，以适当地选择源温度，衬底温度，气体体积和生长时间，以便生长具有所需长度和厚度的纳米线。 使用蒸汽液固体法制造GeTe纳米线的方法包括以下步骤：将GeTe原料与炉内（3）内的衬底相距一定距离; 将GeTe原料加热至原料温度，以使GeTe原料挥发并将基材加热到基板温度; 并在形成时间内将反应气体流入炉内，以将GeTe气体吸附在基板上，并进行扩散和排出，以生长纳米线。
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公开(公告)号：KR1020090029155A
公开(公告)日：2009-03-20
申请号：KR1020070118530
申请日：2007-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C13/0004 , H01L21/265 , H01L29/517
Abstract: A solid electrolyte memory device and a manufacturing method thereof are provided to perform nonvolatile, a high speed operation, and a high integration by using a silver-antimony-tellurium alloy or a copper-antimony-tellurium alloy as a solid electrolyte. In a solid electrolyte memory device, a first electrode layer(106) is formed on a substrate(100). A solid electrolyte layer(128) made of a silver-antimony-tellurium alloy or a copper-antimony-tellurium alloy is included on the first electrode layer. A second electrode layer(132) is formed on the solid electrolyte layer. The silver-antimony-tellurium alloy is made of silver 40~90 atomic%, antimony 5~30 atomic%, and tellurium 5~30 atomic%. The copper-antimony-tellurium alloy is made of copper 40~90 atomic%, antimony 5~30 atomic%, and tellurium 5~30 atomic%.
Abstract translation: 提供了一种固体电解质存储器件及其制造方法，通过使用银 - 锑 - 碲合金或铜 - 锑 - 碲合金作为固体电解质来执行非易失性，高速操作和高集成度。 在固体电解质存储装置中，在基板（100）上形成第一电极层（106）。 在第一电极层上包含由银 - 锑 - 碲合金或铜 - 锑 - 碲合金制成的固体电解质层（128）。 在固体电解质层上形成第二电极层（132）。 银 - 锑 - 碲合金由40〜90原子％的银，5〜30原子％的锑和5〜30原子％的碲制成。 铜 - 锑 - 碲合金由40〜90原子％的铜，5〜30原子％的锑和5〜30原子％的碲制成。
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60.发明授权
公开(公告)号：KR100744566B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060087051
申请日：2006-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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