가변 고주파 필터 장치 및 어셈블리
    51.
    发明公开
    가변 고주파 필터 장치 및 어셈블리 审中-实审
    可变高频滤波器和组件

    公开(公告)号:KR1020150016069A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:KR1020140003777

    申请日:2014-01-13

    CPC classification number: H01P1/212 H01P1/208 H01P7/06

    Abstract: 일 실시예에 따른 중심주파수와 대역폭을 변경할 수 있는 가변 필터 어셈블리에 있어서, 상기 가변 필터 어셈블리는, 커버와 몸체의 결합으로 내부에 복수개의 공동들을 형성하며, 상기 복수개의 공동들은 복수개의 공동벽에 의하여 구분되는 케이싱, 상기 케이싱의 길이방향 양 면에 관통되어 부착되는 입력 포트 및 출력포트, 상기 각각의 공동 하부 면에 부착된 공진기, 헤드와 봉을 포함하며 상기 봉은 상기 커버를 관통하고 상기 공진기에 삽입 될 수 있는 복수 개의 튜닝 요소, 및 상기 각각의 헤드 상에 위치하며 상기 헤드와 접하는 복수개의 캠을 포함하고, 상기 봉의 삽입 정도는 상기 캠에 의하여 조정될 수 있다.

    Abstract translation: 在能够改变中心频率和带宽的可变滤波器组件中,可变滤波器组件包括壳体,该壳体具有通过盖和主体的组合形成并且由空腔壁,输入端口和 输出端口,其分别穿过壳体的纵向方向的两侧;谐振器,分别附接到空腔的下侧,调谐元件包括头部和杆,其穿透盖以插入到谐振器中;以及 分别位于头部并触摸头部的凸轮。 杆的插入可以由凸轮来控制。

    버틀러 매트릭스 및 이를 구비한 다중단자 증폭기
    52.
    发明授权
    버틀러 매트릭스 및 이를 구비한 다중단자 증폭기 有权
    管家矩阵和多端口放大器包括相同

    公开(公告)号:KR101404225B1

    公开(公告)日:2014-06-05

    申请号:KR1020100110459

    申请日:2010-11-08

    Inventor: 이홍열 엄만석

    Abstract: 한 개의 입력 신호를 N개의 신호로 분배하거나 N개의 입력 신호를 한 개의 출력 단자로 결합해 주기 위해 사용되는 버틀러 매트릭스 및 이를 구비한 다중단자 증폭기에 관한 것이다. 버틀러 매트릭스는 한 쪽에 입력단자를 구비하고 다른 쪽에 출력단자를 구비하는 복수의 하이브리드와, 하이브리드들을 서로 연결하여 하이브리드들 간에 신호를 전송하는 도파관들을 포함한다. 하이브리드들을 서로 연결하는 경로 중 교차되는 부분이 없도록, 하이브리드들의 위치와 입력단자들의 방향 및 출력단자들의 방향이 설정됨과 아울러, 도파관들이 구부러져 형성된다.

    소형 도파관 종단기
    53.
    发明公开
    소형 도파관 종단기 无效
    紧凑波形终止

    公开(公告)号:KR1020140037456A

    公开(公告)日:2014-03-27

    申请号:KR1020120103563

    申请日:2012-09-18

    CPC classification number: H01P1/264

    Abstract: A compact waveguide terminator according to an embodiment of the present invention improves frequency characteristics, so that, in the embodiment, the compact waveguide terminator comprises a waveguide, a terminal unit which is coupled to the waveguide and has a groove, and a thin film resisting unit which is coupled to the groove and attenuates input signals from the center region of the waveguide.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例的紧凑型波导终端器改进了频率特性,使得在该实施例中,紧凑型波导终端器包括波导,耦合到波导并具有凹槽的端子单元和抗薄膜 单元,其耦合到凹槽并衰减来自波导的中心区域的输入信号。

    기판 집적 도파관 결합기
    54.
    发明公开
    기판 집적 도파관 결합기 无效
    基底集成波导耦合器

    公开(公告)号:KR1020140037416A

    公开(公告)日:2014-03-27

    申请号:KR1020120103170

    申请日:2012-09-18

    CPC classification number: H01P3/121 H01P3/13 H01P5/08 H01P5/1007

    Abstract: Disclosed is a substrate integrated waveguide coupler by the present invention. According to an embodiment of the present invention, the substrate integrated waveguide coupler includes a substrate; an upper conductor plate coated on the upper part of the substrate; a lower conductor plate coated on the lower part of the substrate; two pipeline-shaped outer via holes which are parallel to each other in both sides of the substrate and electrically connects the upper and the lower conductor plate to each other; and an inner via hole which is located between the two outer via holes and has a middle part of a predetermined length which is isolated to form a short slot combining inputted signals.

    Abstract translation: 本发明公开了一种基板集成波导耦合器。 根据本发明的实施例,基板集成波导耦合器包括基板; 涂覆在基板的上部的上导体板; 涂覆在基板的下部的下导体板; 在基板的两侧彼此平行并且将上导体板和下导体板彼此电连接的两个管状的外通孔; 以及位于两个外部通孔之间的内部通孔,并且具有隔离的预定长度的中间部分,以形成组合输入信号的短槽。

    버틀러 매트릭스
    55.
    发明公开
    버틀러 매트릭스 无效
    BUTLER矩阵

    公开(公告)号:KR1020130032172A

    公开(公告)日:2013-04-01

    申请号:KR1020110095920

    申请日:2011-09-22

    CPC classification number: H01Q3/40

    Abstract: PURPOSE: A Butler matrix is provided to stably maintain amplitude and phase between the transmission paths. CONSTITUTION: Input couplers(21,22) are arranged in an input end in order to output input signal to a plurality of paths. Output couplers(23,24) output an output signal to the plurality of the paths by receiving the signal from the input couplers. A separation coupler(31) is formed on a crossed path including an intersection area in order to divide the signals transmitted through different transmission paths. A compensation coupler(33) is formed on a path except for the crossed path in order to compensate for a difference between the phase and the signal transmitted through the crossed path. [Reference numerals] (AA) Input; (BB) Output;

    Abstract translation: 目的:提供巴特勒矩阵以稳定地保持传输路径之间的幅度和相位。 构成:输入耦合器(21,22)布置在输入端,以将输入信号输出到多个路径。 输出耦合器(23,24)通过接收来自输入耦合器的信号将输出信号输出到多个路径。 分离耦合器(31)形成在包括交叉区域的交叉路径上,以分割通过不同传输路径传输的信号。 补偿耦合器(33)形成在除了交叉路径之外的路径上,以补偿相位与通过交叉路径传输的信号之间的差异。 (标号)(AA)输入; (BB)输出;

    전개형 반사 배열 안테나
    56.
    发明公开
    전개형 반사 배열 안테나 无效
    可配置的反射天线

    公开(公告)号:KR1020120104855A

    公开(公告)日:2012-09-24

    申请号:KR1020110022511

    申请日:2011-03-14

    CPC classification number: H01Q1/08 H01Q1/1235 H01Q1/288 H01Q3/46

    Abstract: PURPOSE: A deployable reflective array antenna is provided to improve bending and twisting intensity of a plane by forming a supporting frame supporting a reflective array antenna having a minimum frame. CONSTITUTION: A plurality of reflective array antenna panels(1101-1104) are interconnected by a hinge unit formed in a longitudinal axis. The plurality of reflective array antenna panels comprises a membrane, a reflective element, and a supporting frame. The reflective element is arranged on a front side of the membrane. The supporting frame supports the membrane. The supporting frame comprises an outer frame and a plurality of reinforcing members.

    Abstract translation: 目的:通过形成支撑具有最小框架的反射阵列天线的支撑框架,提供可部署的反射阵列天线以提高平面的弯曲和扭曲强度。 构成:多个反射阵列天线板(1101-1104)通过在纵向轴线上形成的铰链单元相互连接。 多个反射阵列天线面板包括膜,反射元件和支撑框架。 反射元件布置在膜的前侧。 支撑框架支撑膜。 支撑框架包括外框架和多个加强构件。

    저전력소모형 반도체 가스 센서
    57.
    发明公开
    저전력소모형 반도체 가스 센서 无效
    低功耗半导体气体传感器

    公开(公告)号:KR1020110066849A

    公开(公告)日:2011-06-17

    申请号:KR1020100116063

    申请日:2010-11-22

    Abstract: PURPOSE: A low power consumption type semiconductor gas sensor is provided to improve gas sensing characteristics using low level semiconductor nano materials having high sensitivity characteristics at room temperature. CONSTITUTION: A low power consumption type semiconductor gas sensor comprises a membrane, a substrate(110) located on the lower part of the membrane and etched on the center area to expose the interval between the lower part of the membrane and the substrate, a heater(150) formed in the center area of the membrane and operated when desorbing gas adsorbed to a low level semiconductor nano material, an insulating membrane(170) formed on the membrane to cover the heater, a sensing electrode(180) formed in the center area of the insulating membrane, and a low level semiconductor nano material(190) formed on the sensing electrode.

    Abstract translation: 目的:提供一种低功耗型半导体气体传感器,以便在室温下具有高灵敏度特性的低电平半导体纳米材料改善气体感测特性。 构成:低功耗型半导体气体传感器包括膜,位于膜的下部的衬底(110)并在中心区域上蚀刻以暴露膜的下部与衬底之间的间隔,加热器 (150),形成在所述膜的中心区域并且当解吸吸附到低水平半导体纳米材料的气体时操作;形成在所述膜上的绝缘膜(170)以覆盖所述加热器;形成在所述中心的感测电极(180) 绝缘膜的面积和形成在感测电极上的低电平半导体纳米材料(190)。

    전기화학식 가스센서 칩 및 그의 제조 방법
    58.
    发明授权
    전기화학식 가스센서 칩 및 그의 제조 방법 有权
    电化学气体传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:KR100948893B1

    公开(公告)日:2010-03-24

    申请号:KR1020070059266

    申请日:2007-06-18

    Abstract: 본 발명은 전기화학식 가스 센서 칩 및 그의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 전기화학식 가스 센서 칩은 기판, 상기 기판상에 패턴화되어 형성된 전극, 상기 패턴화된 전극을 포함하는 기판상에 형성된 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막, 및 상기 고체 전해질막 상에 소수성의 마이크로다공성 멤브레인을 포함하며, 본 발명에 따른 칩 구조의 가스 센서는 구동회로와 집적이 용이하고, 고체 전해질막을 이용하기 때문에 소형화가 가능하고, 반도체 공정을 이용하기 때문에 대면적 공정을 가능하게 한다.
    고체전해질, 칩, 전기화학식, 가스센서

    마이크로 히터를 이용한 금속 산화물 나노 소재의 선택적증착방법 및 이를 이용한 가스센서
    59.
    发明公开
    마이크로 히터를 이용한 금속 산화물 나노 소재의 선택적증착방법 및 이를 이용한 가스센서 有权
    使用微加热器和气体传感器的金属氧化物纳米材料的选择性生长方法

    公开(公告)号:KR1020090059568A

    公开(公告)日:2009-06-11

    申请号:KR1020070126490

    申请日:2007-12-07

    CPC classification number: C23C16/047 C23C16/40

    Abstract: A method for selectively depositing a metal oxide nano material and a gas sensor using the same are provided to improve crystallization through a rapid thermal process by using a micro heater and to remove the moisture attached on the surface of a nano line. A substrate removing a central region is provided. A membrane(20) is formed in an upper part of the substrate. A micro-heater electrode(40) is formed in the upper part of the membrane of the central region. An insulating layer(30) covering the micro heater is formed in the upper part of the membrane. A sensing electrode(50) is formed in the upper part of the insulating layer of the micro heater electrode part. The metal oxide nano material is deposited in an upper part of the sensing electrode.

    Abstract translation: 提供了选择性地沉积金属氧化物纳米材料的方法和使用其的气体传感器,以通过使用微加热器通过快速热处理来改善结晶,并除去附着在纳米线表面上的水分。 提供去除中心区域的衬底。 膜(20)形成在基板的上部。 微加热器电极(40)形成在中心区域的膜的上部。 覆盖微加热器的绝缘层(30)形成在膜的上部。 感测电极(50)形成在微加热器电极部分的绝缘层的上部。 金属氧化物纳米材料沉积在感测电极的上部。

    나노 와이어 배열 소자 제조방법
    60.
    发明授权
    나노 와이어 배열 소자 제조방법 失效
    纳米线阵列器件的制造方法

    公开(公告)号:KR100877690B1

    公开(公告)日:2009-01-08

    申请号:KR1020070061440

    申请日:2007-06-22

    Abstract: 본 발명은 나노 와이어 배열소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어 배열소자 제조방법은, (a)기판 상에 나노 와이어가 포함된 나노 와이어 용액을 도포하는 단계; (b)상기 기판 상에 형성된 나노 와이어를 스트라이프 형태로 패터닝하고 기판을 노출시켜 상기 스트라이프 형태의 제 1 식각 영역을 형성하는 단계; (c)상기 패터닝된 나노 와이어를 사이에 두고 드레인 전극선과 소스 전극선을 평행하게 형성하는 단계; (d)일단은 상기 드레인 전극선에 연결되며 적어도 하나의 나노 와이어와 접촉하는 복수의 드레인 전극 및 일단은 상기 소스 전극선에 연결되며 상기 드레인 전극과 접촉하는 나노 와이어에 접촉하는 복수의 소스 전극을 형성하는 단계; (e)한 쌍의 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍들이 전기적으로 접촉되지 않도록 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍 사이에 제 2 식각 영역을 형성하는 단계; (f)상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 및 (g)상기 절연층 상에 상기 나노 와이어와 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
    본 발명에 의하면 나노 와이어를 전극선과 평행하게 정렬하지 못하더라도 대규모 나노와이어 배열 소자를 구현할 수 있으므로, 정렬시키기 힘든 나노 와이어를 이용한 집적소자 및 디스플레이에도 본 발명을 적용할 수 있다. 나아가 플렉서블(flexible) 기판을 응용한 소자 분야에도 본 발명을 적용할 수 있다.
    나노 와이어, 트랜지스터 어레이, 선택적 식각, 선태적 패터닝

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