公开(公告)号：DE102011057024A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：DE102011057024

申请日：2011-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOECK JOSEF ,  LACHNER RUDOLF ,  MEYER THORSTEN ,  SCHAEFER HERBERT

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/66 ,  H01L23/10

Abstract: Es werden ein Verfahren und ein System zum Bereitstellen eines Fusing nach der Kapselung von Halbleiterbauelementen bereitgestellt. Bei einer Ausführungsform wird ein Halbleiterbauelement bereitgestellt, das Folgendes umfasst: ein Substrat (202), das einen Fusebereich (206) aufweist, mindestens eine Fuse (208), die in dem Fusebereich (206) angeordnet ist, und mindestens eine Schicht (210), die über dem Substrat (202) angeordnet ist, wobei die mindestens eine Schicht (210) mindestens eine die mindestens eine Fuse (208) exponierende Öffnung (212) aufweist.

公开(公告)号：DE102007014363B4

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：DE102007014363

申请日：2007-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  SOMMER GRIT

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/60 ,  H01L25/04

Abstract: Modul, aufweisend: einen Halbleiterchip, wobei der Halbleiterchip einen funktionalen Bereich aufweist, welcher bei Hochfrequenz arbeitet; eine elektrisch leitende Schicht, angeordnet über dem Halbleiterchip, wobei die elektrisch leitende Schicht einen Kondensator oder eine Spule aufweist; eine Abstandsstruktur, wobei der Abstand zwischen der elektrisch leitenden Schicht und dem Halbleiterchip in einem Bereich über der Abstandsstruktur größer als in einem Bereich neben der Abstandsstruktur ist und wobei die Abstandsstruktur zwischen dem funktionalen Bereich und dem Kondensator oder der Spule angeordnet ist; und eine lateral an den Halbleiterchip angrenzende Vergussmasse, wobei sich die elektrisch leitende Schicht über den Halbleiterchip und über die Vergussmasse erstreckt und die Abstandsstruktur zumindest teilweise über der Vergussmasse angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102009044712B4

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：DE102009044712

申请日：2009-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50 ,  H01L23/538 ,  H01L25/04

Abstract: Verfahren zum Montieren eines Halbleiter-Bauelements, umfassend die folgenden, in der angegebenen Reihenfolge auszuführenden Schritte: Platzieren von mindestens zwei Halbleiterchips auf einem Träger; Platzieren von mindestens zwei Elementen aus elektrisch isolierendem Material auf dem Träger; Aufbringen von Kapselungsmaterial über den mindestens zwei Halbleiterchips und den mindestens zwei Elementen aus elektrisch isolierendem Material, um ein Kapselungswerkstück auszubilden; Erzeugen mindestens eines Durchgangslochs durch jedes der Elemente aus elektrisch isolierendem Material; und Füllen des mindestens einen Durchgangslochs mit einem elektrisch leitenden Material.

公开(公告)号：DE102011000836A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：DE102011000836

申请日：2011-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  HEITZER LUDWIG ,  MAIER DOMINIC

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/50

Abstract: Ein Bauelement (100) umfasst einen Halbleiterchip (10), der auf einer ersten Hauptseite (12) angeordnete Kontaktstellen (11) aufweist. Ein Material (13) mit einer Bruchdehnung von mehr als 35% bedeckt die erste Hauptseite (12) des Halbleiterchips (10). Ein Einkapselungskörper (14) bedeckt den Halbleiterchip (10). Eine Metallschicht (15) ist elektrisch mit den Kontaktstellen (11) des Halbleiterchips (10) gekoppelt und erstreckt sich über den Einkapselungskörper (14).

公开(公告)号：DE102010015957A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：DE102010015957

申请日：2010-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  POHL JENS ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: Eine Ausführungsform stellt eine Anordnung mit einem Halbleiterchip bereit. Über dem Halbleiterchip ist eine erste Leiterbahn platziert. Über der ersten Leiterbahn ist eine externe Kontaktstelle platziert. Mindestens ein Teil der ersten Leiterbahn liegt in einer Projektion der externen Kontaktstelle auf den Halbleiterchip.

公开(公告)号：DE102004036509B4

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：DE102004036509

申请日：2004-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L21/336

公开(公告)号：DE102009033442A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：DE102009033442

申请日：2009-07-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  SEZI RECAI

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29

公开(公告)号：DE102009029873A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：DE102009029873

申请日：2009-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  OFNER GERALD

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

公开(公告)号：DE102009011975A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：DE102009011975

申请日：2009-03-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  POHL JENS

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

公开(公告)号：DE102006037538A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：DE102006037538

申请日：2006-08-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  HEDLER HARRY ,  BRUNNBAUER MARKUS

IPC: H01L23/055 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/057 ,  H01L23/48 ,  H01L25/10

Abstract: An electronic device or devices and method for producing a device is disclosed. One embodiment provides an integrated component, a first package body and a contact device. The contact device penetrates the package body.