公开(公告)号：DE102018127201A1

公开(公告)日：2020-04-30

申请号：DE102018127201

申请日：2018-10-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TÅNGRING IVAR ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/14 ,  H01L31/0288 ,  H01L33/04 ,  H01S5/34

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (20) angegeben mit:- einem x-dotierten Bereich (21),- einem y-dotierten Bereich (22),- einem aktiven Bereich (23), welcher zwischen dem x-dotierten Bereich (21) und dem y-dotierten Bereich (22) angeordnet ist, und- einem x-Kontaktbereich (24), wobei- der x-Kontaktbereich (24) an der dem aktiven Bereich (23) abgewandten Seite des x-dotierten Bereichs (21) angeordnet ist,- der x-Kontaktbereich (24) mindestens einen ersten Bereich (25) und mindestens einen zweiten Bereich (26) aufweist, und- der x-Kontaktbereich (24) dazu ausgelegt ist, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips (20) mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich (26) als über den ersten Bereich (25) in den x-dotierten Bereich (21) injiziert werden.Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (20) angegeben.

公开(公告)号：DE102018122492A1

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE102018122492

申请日：2018-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (105) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, sowie eine aktive Zone (108), wobei die erste Halbleiterschicht (110) und die zweite Halbleiterschicht unter Ausbildung einer Mesa so strukturiert sind, dass Teile der zweiten Halbleiterschicht (105) nicht mit der ersten Halbleiterschicht (110) bedeckt sind und ein Abschnitt der aktiven Zone im Bereich einer Mesaflanke freiliegt. Das optoelektronische Halbleiterbauelement weist ferner eine Passivierungsschicht (117) auf, die über Teilen der ersten Halbleiterschicht (110) und über Teilen der zweiten Halbleiterschicht (105) sowie über dem freiliegenden Abschnitt der aktiven Zone angeordnet (108) ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement enthält darüber hinaus eine erste Metallschicht (115) und eine zweite Metallschicht (125). Die zweite Metallschicht (125) bedeckt die Passivierungsschicht (117) im Bereich der Mesaflanke. Eine Zusammensetzung der ersten Metallschicht (115) benachbart zur ersten Halbleiterschicht (110) ist entlang einer horizontalen Richtung gleichbleibend.

公开(公告)号：DE102016115644A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：DE102016115644

申请日：2016-08-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  BIEBERSDORF ANDREAS

IPC: H01L33/20 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0352

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf einer Trägeroberseite (50) eines Trägers (5), B) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (2), sodass mindestens eine Mesastruktur (3) mit Seitenflächen (33) gebildet wird, C) Aufbringen einer Ummantelung (4) auf die Halbleiterschichtenfolge (2) mit der Mesastruktur (3) mit einem konformen Beschichtungsverfahren, sodass alle freien Oberflächen von der Ummantelung (4) bedeckt werden, D) anisotropes Ätzen der Ummantelung (4), sodass aus der Ummantelung (4) eine Flankenbeschichtung (6) entsteht, die mit einer Toleranz von höchstens 200 % einer mittleren Dicke der Flankenbeschichtung (6) auf die Seitenflächen (33) der Mesastruktur (3) beschränkt ist und die Mesastruktur (3) ringsum vollständig umschließt, wobei der Schritt D) ohne zusätzliche Ätzmaske für das anisotrope Ätzen erfolgt.

公开(公告)号：DE102016113969A1

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：DE102016113969

申请日：2016-07-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TÅNGRING IVAR ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/46

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (10) mit den folgenden Merkmalen angegeben: – einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (4), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und – einem Substrat (11), auf dem die Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist und das transparent für die in der aktiven Schicht (4) erzeugte elektromagnetische Strahlung ist, – eine reflektierende Schicht (9), die auf einer Hauptfläche des Substrats (11) angeordnet ist, die von der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandt ist, wobei die reflektierende Schicht (9) aus einem Harz gebildet ist, in das reflektierende Partikeln eingebettet sind. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips (10), ein strahlungsemittierendes Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.

公开(公告)号：DE112016000474A5

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：DE112016000474

申请日：2016-01-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RAMMELSBERGER STEFANIE ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  IKONOMOV JULIAN

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102015117198A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：DE102015117198

申请日：2015-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  RAFAEL CHRISTINE ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/78 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Halbleiterkörper (2), einem Träger (1) und einer in vertikaler Richtung zwischen dem Halbleiterkörper und dem Träger angeordneten Stabilisierungsschicht (3) angegeben, wobei – der Halbleiterkörper eine dem Träger abgewandte erste Halbleiterschicht (21), eine dem Träger zugewandte zweite Halbleiterschicht (22) und eine zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht (23) aufweist, – der Träger einen ersten Durchkontakt (41) und einen durch einen Zwischenbereich (40) von dem ersten Durchkontakt lateral beabstandeten zweiten Durchkontakt (42) aufweist, wobei der erste Durchkontakt mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist und der zweite Durchkontakt mit der zweiten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist, und – die Stabilisierungsschicht zusammenhängend ausgebildet ist, in Draufsicht Überlappungen mit den Durchkontakten (41, 42) aufweist und den Zwischenbereich lateral überbrückt, wobei die Stabilisierungsschicht von den Durchkontakten sowie von dem Halbleiterkörper elektrisch isoliert ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben, bei dem der Träger (1) schrittweise am Halbleiterkörper (2) ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102015115706A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：DE102015115706

申请日：2015-09-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHULZ ROBERT ,  LEIRER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, wobei das Verfahren ein induktives Anregen eines Stroms durch eine induktive Komponente (4) des optoelektronischen Bauelements (10) umfasst, so dass das optoelektronische Bauelement (10) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (2) angeregt wird, und ein Messen mindestens einer elektrooptischen Eigenschaft des optoelektronischen Bauelements (10) erfolgt, und ein Aufbringen eines Konvertermaterials (3) auf eine Abstrahlseite (1) des optoelektronischen Bauelements (10) erfolgt, wobei eine Menge des aufzubringenden Konvertermaterials (3) aus der Messung der elektrooptischen Eigenschaft bestimmt wird.

公开(公告)号：DE102015113310A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：DE102015113310

申请日：2015-08-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/64

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip angegeben, mit – einem Träger (3), der einen ersten Leiterkörper (31), einen zweiten Leiterkörper (32) und einen Formkörper (33) umfasst, – einer elektrisch isolierenden Schicht (4), die eine erste Öffnung (41) und eine zweite Öffnung (42) umfasst, und – ersten und zweiten Anschlussstellen (51, 52), die elektrisch leitend ist, wobei – der erste Leiterkörper (31) vom zweiten Leiterkörper (32) einen ersten Abstand (D1) aufweist, – die erste Anschlussstelle (51) von der zweiten Anschlussstelle (52) einen zweiten Abstand (D2) aufweist, und – der erste Abstand (D1) kleiner als der zweite Abstand (D2) ist.

公开(公告)号：DE102015111492A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE102015111492

申请日：2015-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  HAHN BERTHOLD ,  SCHWARZ THOMAS

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/48

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, bei dem der Träger eine Metallschicht (4) und einen Formkörper (5) aus einem Kunststoff umfasst, wobei die Metallschicht einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) enthält, welche verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugehörig und so zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eingerichtet sind. Der Träger weist eine Seitenfläche (10) auf, die als Montagefläche des Bauelements ausgestaltet ist, wobei zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) über die Seitenfläche elektrisch kontaktierbar ist und Vereinzelungsspuren aufweist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Bauelemente angegeben.

公开(公告)号：DE102015111487A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE102015111487

申请日：2015-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L33/02 ,  H01L23/60 ,  H01L27/06 ,  H01L31/0248 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben. Eine Halbleiterschichtenfolge wird bereitgestellt, umfassend eine erste Halbleiterschicht und eine zweite Halbleiterschicht. Ferner wird eine erste Kontaktschicht bereitgestellt, die sich lateral entlang der ersten Halbleiterschicht erstreckt und diese elektrisch kontaktiert. Eine dritte Halbleiterschicht wird auf einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite der ersten Kontaktschicht aufgebracht. Es wird eine Ausnehmung ausgebildet, die sich durch die dritte Halbleiterschicht, die erste Kontaktschicht und die erste Halbleiterschicht hindurch in die zweite Halbleiterschicht hinein erstreckt. Eine Passivierungsschicht wird auf einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite der dritten Halbleiterschicht aufgebracht. Wenigstens eine erste und wenigstens eine zweite Durchgangsöffnung werden in der Passivierungsschicht ausgebildet. Eine zweite Kontaktschicht wird aufgebracht, die die zweite Halbleiterschicht im Bereich der wenigstens einen ersten Durchgangsöffnung elektrisch kontaktiert und die dritte Halbleiterschicht im Bereich der wenigstens einen zweiten Durchgangsöffnung elektrisch kontaktiert. Des Weiteren wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.