公开(公告)号：DE112015004073A5

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE112015004073

申请日：2015-09-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO ISABEL ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L33/38 ,  H01L27/146 ,  H01L27/15 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/101 ,  H01L33/08

公开(公告)号：DE102015119353A1

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：DE102015119353

申请日：2015-11-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  PFEUFFER ALEXANDER F

IPC: H01L27/15

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Hauptseite, einer ersten Schicht (10), einer aktiven Schicht (11), einer zweiten Schicht (12) und einer zweiten Hauptseite. Auf der zweiten Hauptseite sind ein zweites Kontaktelement (32) und ein erstes Kontaktelement (31), das eine Aussparung (2) in der Halbleiterschichtenfolge auffüllt, angeordnet. Das erste Kontaktelement (31) umfasst eine erste transparente Zwischenschicht (20), eine metallische erste Spiegelschicht (21) und ein metallisches Injektionselement (23). Die erste Zwischenschicht (20) ist auf quer zur aktiven Schicht verlaufenden Seitenwänden der Aussparung aufgebracht und in direktem Kontakt mit der Halbleiterschichtenfolge (1). Die erste Spiegelschicht (21) ist im Bereich der Seitenwände direkt auf die erste Zwischenschicht (20) aufgebracht. Das Injektionselement (23) ist auf einer direkt an die erste Schicht (10) grenzenden Bodenfläche der Aussparung (2) aufgebracht, wobei zwischen dem Injektionselement (23) und der Bodenfläche kein weiteres metallisches Element angeordnet ist. Im Betrieb unterbindet die erste Zwischenschicht (20) einen direkten Stromfluss zwischen der zweiten Schicht (12) und dem ersten Kontaktelement (31). Das Injektionselement (23) und die Spiegelschicht (21) weisen unterschiedliche Materialzusammensetzungen auf.

公开(公告)号：DE102015116865A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：DE102015116865

申请日：2015-10-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER F ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L33/40 ,  H01L21/28 ,  H01L29/43

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips (1) angegeben, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer ersten Halbleiterschicht (11) und einer zweiten Halbleiterschicht (13); b) Ausbilden wenigstens einer Ausnehmung (10a) in der Halbleiterschichtenfolge (10), so dass Seitenflächen (11b, 13b) der ersten Halbleiterschicht (11) und der zweiten Halbleiterschicht (13) freigelegt werden; c) Aufbringen einer Hilfsschicht (20) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht (13), wobei die Hilfsschicht (20) an den durch die Ausnehmung (10a) freigelegten Seitenflächen (11b, 13b) zumindest teilweise in direktem Kontakt zu der ersten Halbleiterschicht (11) steht. Es wird ferner ein Halbleiterchip angegeben.

公开(公告)号：DE102015108545A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102015108545

申请日：2015-05-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER F ,  MALM NORWIN VON ,  GRÖTSCH STEFAN ,  PLÖSSL ANDREAS

IPC: H01L27/15 ,  H01L23/50 ,  H01L33/62

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) weist einen Halbleiterchip (1) auf, der in eine Mehrzahl von in lateraler Richtung nebeneinander angeordnete, einzeln und unabhängig ansteuerbare Bildpunkte (10) untergliedert ist. Das Bauelement (100) umfasst weiter ein metallisches Verbindungselement (2) mit einer Oberseite (20) und einer Unterseite (21), wobei der Halbleiterchip (1) in einem Auflagebereich in direktem Kontakt mit der Oberseite (20) des Verbindungselements (2) ist und mit diesem mechanisch stabil verbunden ist. Das Verbindungselement (2) weist eine zusammenhängende metallische Verbindungsschicht (22) auf, die von einer Mehrzahl von in lateraler Richtung nebeneinander angeordneten metallischen ersten Durchkontaktierungen (23) vollständig durchdrungen ist. Die Verbindungsschicht (22) schließt dabei in Richtung senkrecht zur lateralen Richtung bündig mit der Oberseite (20) und der Unterseite (21) ab. Die ersten Durchkontaktierungen (23) sind durch Isolationsbereiche (24) von der Verbindungsschicht (22) elektrisch isoliert und beabstandet. Jede erste Durchkontaktierung (24) ist ferner eindeutig einem Bildpunkt (10) zugeordnet, mit diesem Bildpunkt (10) elektrisch leitend verbunden und bildet einen ersten elektrischen Kontakt zu diesem Bildpunkt (10). Der Halbleiterchip (1) ist außerdem durch das Verbindungselement (2) mechanisch stabil und elektrisch leitend mit einem direkt an der Unterseite (21) des Verbindungselements (2) befindlichen Träger (3) verbunden.

公开(公告)号：DE112015000850A5

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：DE112015000850

申请日：2015-02-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM NORWIN ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  VARGHESE TANSEN ,  KREUTER PHILIPP

IPC: H01L33/38 ,  H01L31/0224

公开(公告)号：DE102012108883A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：DE102012108883

申请日：2012-09-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER F

IPC: H01L33/38 ,  H01L31/0224

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2) und einem Träger (5), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, angegeben, wobei – der Halbleiterkörper eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zum Erzeugen oder Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) aufweist; – der aktive Bereich zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist; – die erste Halbleiterschicht auf der dem Träger abgewandten Seite des aktiven Bereichs angeordnet ist; – in dem Halbleiterkörper eine Grabenstruktur (25) ausgebildet ist, die sich durch die zweite Halbleiterschicht und den aktiven Bereich in die erste Halbleiterschicht hinein erstreckt; – zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper eine elektrische Kontaktstruktur (3) mit einer Mehrzahl von Kontaktstegen (31) ausgebildet ist; und – die Kontaktstege in der Grabenstruktur mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden sind. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102012108879A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：DE102012108879

申请日：2012-09-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  PFEUFFER ALEXANDER F

IPC: H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend: – eine Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Emission von Strahlung geeignete aktive Zone (4) aufweist, – ein Trägersubstrat (10), und – eine Spiegelschicht (6), die zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Trägersubstrat (10) angeordnet ist, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (2) in mehrere nebeneinander angeordnete aktive Bereiche (11, 12) unterteilt ist, die jeweils durch einen Graben (13) in der Halbleiterschichtenfolge (2) voneinander getrennt sind, wobei der Graben (13) jeweils die Halbleiterschichtenfolge (2) und die Spiegelschicht (6) durchtrennt, – die Spiegelschicht (6) Seitenflächen (16), die einem Graben (13) zugewandt sind, und Seitenflächen (17), die einer Außenseite (15) des Halbleiterchips (1) zugewandt sind, aufweist, – die einer Außenseite (15) des Halbleiterchips (1) zugewandten Seitenflächen (17) der Spiegelschicht (17) eine metallische Verkapselungsschicht (7) aufweisen, und – zumindest ein Teil der einem Graben (13) zugewandten Seitenflächen (16) der Spiegelschicht (6) eine dielektrische Verkapselungsschicht (9) aufweist.