公开(公告)号：CN103958393B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280055218.6

申请日：2012-11-09

Applicant: 株式会社优利电子

Inventor： 韩龙熙 ,  金衡原 ,  安美淑

IPC: H01L23/28

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00285 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  H01L31/02016 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及MEMS传感器封装及其方法。一种微机电系统(MEMS)传感器封装，包括：第一晶片，其上形成有读出集成电路(ROIC)；第二晶片，其对应于第一晶片设置并在其一侧上具有凹部以及在凹部上制备的MEMS传感器；连结焊料，其沿MEMS传感器周围形成并通过连结第一和第二晶片而密封MEMS传感器；以及盘焊料，其形成为电连接第一晶片的ROIC电路和第二晶片的MEMS传感器。根据本公开，在对其上形成有ROIC的晶片和其上形成有MEMS传感器的晶片进行连结和封装时，通过在内部形成盘焊料以电连接ROIC和MEMS传感器封装件的尺寸可减小并可稳定地提供电信号。

公开(公告)号：CN104964678A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510030426.6

申请日：2015-01-21

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： 奥赞·阿纳奇 ,  约瑟夫·西格

IPC: G01C19/5712

CPC classification number: G01C19/5762 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0163 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5747 ,  G01P15/0802 ,  G01C19/5712

Abstract: 披露了用于修改弹簧质量构型的多个实施例，这些实施例将不想要的非线性运动对MEMS传感器的影响最小化。这些修改包括以下任何各项中的任一项或任何组合：在该弹簧质量构型的多个旋转结构之间提供一个刚性元件、在这些旋转结构之间调谐一个弹簧系统并且将一个电消除系统联接至这些旋转结构上。在进行这样不想要的线性运动时，将例如不想要的二阶谐振运动最小化。

公开(公告)号：CN104163396A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410206716.7

申请日：2014-05-15

Applicant: 原子能和替代能源委员会

Inventor： 史蒂芬·尼古拉斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00285 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00777 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  G01C21/16 ,  G01C25/00 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/088 ,  G01P2015/0882 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/54 ,  H01L23/10 ,  H01L23/28 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及通过可透材料注入惰性气体封装微电子装置的方法。用于封装微电子装置(102.1，102.2)的方法，所述方法包括以下步骤：将所述微电子装置制作到第一基体(104)上；在包括不可透环境大气和惰性气体的第二材料的第二基体(108)中制作一个不可透环境大气且可透惰性气体的第一材料部分(118.1，118.2)；将所述第二基体固定到所述第一基体，以便形成内部封装有所述微电子装置的至少一个腔(120.1，120.2)，使得所述第一材料部分形成所述腔的壁的至少一部分；通过所述第一材料部分将所述惰性气体注入到所述腔中；相对于环境大气和所述惰性气体气密性地密封所述腔。

公开(公告)号：CN104105656A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380004817.X

申请日：2013-01-04

Applicant: 大西洋惯性系统有限公司

Inventor： C.P.费尔

IPC: B81B7/00 ,  G01C19/5684

CPC classification number: G01C19/5783 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0048 ,  B81B2201/0242 ,  G01C19/5684

Abstract: 一种传感器，其包括衬底(16)和锚定至所述衬底(16)的传感器元件(20)，所述衬底(16)和传感器元件(20)的材料不同并且具有不同的热膨胀系数，所述传感器元件(20)和衬底(16)每个具有彼此基本上平行布置的一般平坦的表面；所述传感器还包括间隔物(26)，所述间隔物(26)被定位以便从所述衬底(16)的至少部分间隔所述传感器元件(20)的至少部分，其中所述间隔物(26)的面积比所述衬底(16)表面和所述传感器元件(20)表面中较小的所述面积小得多。

公开(公告)号：CN104034324A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410083711.X

申请日：2014-03-07

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 马克·E·施拉曼 ,  方德宥 ,  基思·L·克拉韦尔 ,  迈克·A·马尔古莱斯 ,  佐原裕人

IPC: G01C19/5776 ,  G01D3/028

CPC classification number: G01P9/04 ,  B81B5/00 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/03 ,  G01C19/5776 ,  G01D3/028

Abstract: 本发明提供了减小多功能传感器器件中偏移变化的系统及方法。在这些实施例中，多功能感测器件（100）包括微机电（MEMS）陀螺仪（110）和至少第二传感器（112）。所述MEMS陀螺仪（110）被配置为生成第一时钟信号，以及所述第二传感器包括第二时钟信号。所述多功能感测器件还包括重置机构（114），所述重置机构（114）被配置为生成重置信号以设置在所述第二时钟信号与所述第一时钟信号的相对周期性相位对齐。始终设置其它传感器器件（112）的时钟与所述MEMS陀螺仪（110）的时钟的相对周期性相位对齐可以通过减小不同的输出偏移会在多个感测器件内发生的可能性来改进器件的性能。

公开(公告)号：CN103650343A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280023350.9

申请日：2012-05-11

Applicant: 芬兰国家技术研究中心

Inventor： 米卡·普伦尼拉 ,  安特尔·亚科拉 ,  托马斯·彭萨拉

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。

公开(公告)号：CN102874737A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210242505.X

申请日：2012-07-12

Applicant: 法国原子能与替代能委员会 ,  飞思卡尔半导体股份有限公司

Inventor： 奥黛莉·伯舍乐 ,  文森特·拉利 ,  尚·菲利浦·珀利紮 ,  玛丽·伊莲·沃黛安 ,  赫曼·德赛 ,  朴宇泰

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01C19/56

CPC classification number: B81C1/00015 ,  B81B3/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C3/008 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/036 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L2224/83805

Abstract: 本发明公开一种微系统及/或纳米系统类型的装置及其制造方法，所述装置包含：第一衬底，包含称为下电极的至少一个电极，以及至少一个介电层；中间衬底，延伸横跨称为装置的主平面的平面，所述中间衬底包含移动部；上衬底，贴附至所述中间衬底，其中，所述移动部被设置为在所述下电极与所述上衬底之间移动。

公开(公告)号：CN102815659A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210010820.X

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  张贵松 ,  林宗贤

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B3/001 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00579 ,  B81C2201/0111 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019

Abstract: 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN102530825A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110359900.1

申请日：2011-11-11

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 许郁文 ,  林式庭 ,  陈振颐 ,  黄肇达

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/0792 ,  G01C19/5762

Abstract: 本发明涉及一种具有电绝缘结构的微机电系统(MEMS)装置，所述微机电系统装置包括至少一个移动件、至少一个支撑座、至少一个弹簧以及绝缘层。所述弹簧连接至所述支撑座和所述移动件。所述绝缘层设置在所述移动件和所述支撑座中。所述移动件和所述支撑座的每一个被所述绝缘层分为两个导电部分。由此，不同移动件的电信号通过未互相电连接的绝缘的电通路被传送。

公开(公告)号：CN101717065A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910211676.4

申请日：2009-09-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·卡扎尼加 ,  L·科罗纳托

IPC: B81B7/02 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B3/0013 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242

Abstract: 一种微机电设备(100)具有第一结构元件(6)、可相对于第一结构元件(6)移动的第二结构元件(10)、以及弹性支撑结构(12)，其在第一和第二结构元件(6)之间延伸以允许第一和第二结构元件之间的相对移动；该微机电设备还具有抗黏滞结构(1)，其包括至少一个柔性元件(2)，其仅相对于第一结构元件(6)固定，并且在静止状态下，所述至少一个柔性元件被设置在离第二结构元件(10)的第一距离(l1)处。抗黏滞结构(1)被设计为在大于第一距离(l1)的量的相对移动的情况下，在第一和第二结构元件之间产生排斥力(Frep)。