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    Method of etching a sacrificial silicon oxide layer
    51.
    发明专利
    Method of etching a sacrificial silicon oxide layer 有权

    公开(公告)号：JP5290172B2

    公开(公告)日：2013-09-18

    申请号：JP2009522333

    申请日：2007-08-02

    Applicant: メムススター リミテッド

    Inventor： オハラ、アンソニー

    IPC: B81C1/00 ,  H01L21/302

    CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C2201/0133

    Abstract: A controlled method of releasing a microstructure comprising a silicon oxide layer located between a substrate layer and a layer to be released from the silicon oxide layer is described. The method comprises the step of exposing the silicon oxide layer to a hydrogen fluoride vapour in a process chamber having controlled temperature and pressure conditions. A by-product of this reaction is water which also acts as a catalyst for the etching process. It is controlled employment of this inherent water source that results in a condensed fluid layer forming, and hence etching taking place, only on the exposed surfaces of the oxide layer. The described method therefore reduces the risk of the effects of capillary induced stiction within the etched microstructure and/or corrosion within the microstructure and the process chamber itself.

    HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN MIKROMECHANISCHES BAUTEIL UND MIKROMECHANISCHES BAUTEIL
    53.
    发明申请
    HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN MIKROMECHANISCHES BAUTEIL UND MIKROMECHANISCHES BAUTEIL 审中-公开
    用于微机械结构和微机械结构

    公开(公告)号：WO2015104086A1

    公开(公告)日：2015-07-16

    申请号：PCT/EP2014/075131

    申请日：2014-11-20

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： LUTZ, Theresa ,  HEUCK, Friedjof

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil, das wenigstens die folgenden Schritte umfasst: Herausstrukturieren einer Grundstruktur (10) mindestens einer Komponente des mikromechanischen Bauteils aus zumindest einer kristallinen Schicht (12) eines Substrats mittels eines kristallorientierungs-unabhängigen Ätzschritts, und Herausarbeiten mindestens einer Fläche (18) einer definierten Kristallebene (20) aus der Grundstruktur (10) der mindestens einen Komponente mittels eines kristallorientierungs-abhängigen Ätzschritts, wobei der kristallorientierungs- abhängige Ätzschritt ausgeführt wird, für welchen die jeweilige definierte Kristallebene (20), nach welcher die mindestens eine an der Grundstruktur (10) herausgearbeitete Fläche (18) ausgerichtet wird, von allen Kristallebenen die niedrigste Ätzrate aufweist. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein mikromechanisches Bauteil.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于微机械部件的制造方法，至少包括以下步骤：除去由晶体取向无关的蚀刻步骤来图案化的基本结构（10）的基板的至少一个晶体层（12）的微机械部件中的至少一个部件，并且工作了至少一个 所述至少一个部件的基底结构（10）的确定的晶体平面（20）的表面（18）由一个晶体取向相关的蚀刻步骤，其中进行的晶体取向相关的蚀刻步骤中，用于所述相应所定义的晶面（20），根据该至少 一个在基本结构（10）计算出表面（18）对齐，有所有晶面的最低的蚀刻速率。 此外，本发明涉及一种微机械部件。

    MICRONEEDLE STRUCTURES AND CORRESPONDING PRODUCTION METHODS EMPLOYING A BACKSIDE WET ETCH
    55.
    发明申请
    MICRONEEDLE STRUCTURES AND CORRESPONDING PRODUCTION METHODS EMPLOYING A BACKSIDE WET ETCH 审中-公开
    麦克风结构和相应的生产方法

    公开(公告)号：WO2008114252A2

    公开(公告)日：2008-09-25

    申请号：PCT/IL2008/000374

    申请日：2008-03-18

    Applicant: NANOPASS TECHNOLOGIES LTD ,  YESHURUN, Yehoshua

    Inventor： YESHURUN, Yehoshua

    IPC: H01L21/8242

    CPC classification number: B81C1/00111 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/003 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  Y10T428/13

    Abstract: A method for forming a hollow microneedle structure includes processing the front side of a wafer (10) to form at least one microneedle (30) projecting from a substrate with a first part (18) of a through-bore, formed by a dry etching process, passing through the microneedle and through a part of a thickness of the substrate. The backside of the wafer (10) is also processed to form a second part (16) of the through-bore by a wet etching process.

    Abstract translation: 一种用于形成中空微针结构的方法包括处理晶片（10）的前侧以形成至少一个从基板突出的微针（30），所述微针具有通过干蚀刻形成的通孔的第一部分（18） 过程中，穿过微针并穿过衬底的厚度的一部分。 晶片（10）的背面也被处理以通过湿蚀刻工艺形成通孔的第二部分（16）。

    METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING STRUCTURES USING CHEMICALLY SELECTIVE ENDPOINT DETECTION
    56.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING STRUCTURES USING CHEMICALLY SELECTIVE ENDPOINT DETECTION 审中-公开
    使用化学选择性终点检测来制造结构的方法和设备

    公开(公告)号：WO2003005420A2

    公开(公告)日：2003-01-16

    申请号：PCT/US2002/020452

    申请日：2002-06-26

    Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

    Inventor： PETERSON, Jeffrey ,  HUNT, Charles

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0133 ,  H01L21/30608

    Abstract: One embodiment of the present invention provides a process for selective etching during semiconductor manufacturing. The process starts by receiving a silicon substrate with a first layer composed of a first material, which is covered by a second layer composed of a second material. The process then performs a first etching operation that etches some but not all of the second layer, so that a portion of the second layer remains covering the first layer. Next, the system performs a second etching operation to selectively etch through the remaining portion of the second layer using a selective etchant. The etch rate of the selective etchant through the second material is faster than an etch rate of the selective etchant through the first material, so that the second etching operation etches through the remaining portion of the second layer and stops at the first layer.

    Abstract translation: 本发明的一个实施例提供了用于在半导体制造期间选择性蚀刻的工艺。 该工艺通过接收具有由第一材料构成的第一层的硅衬底开始，该第一材料被由第二材料组成的第二层覆盖。 该过程然后执行蚀刻一些但不是全部第二层的第一蚀刻操作，使得第二层的一部分保持覆盖第一层。 接着，系统执行第二蚀刻操作以使用选择性蚀刻剂选择性地蚀刻穿过第二层的剩余部分。 通过第二材料的选择性蚀刻剂的蚀刻速率比通过第一材料的选择性蚀刻剂的蚀刻速率快，使得第二蚀刻操作蚀刻通过第二层的剩余部分并停止在第一层。 p>

    Silicon processing method and silicon substrate with etching mask
    57.
    发明专利
    Silicon processing method and silicon substrate with etching mask 审中-公开
    硅加工方法和带有蚀刻掩模的硅基材

    公开(公告)号：JP2010056379A

    公开(公告)日：2010-03-11

    申请号：JP2008221247

    申请日：2008-08-29

    Applicant: Canon Inc ,  キヤノン株式会社

    Inventor： KATO TAKAHISA ,  SHIMADA YASUHIRO

    IPC: H01L21/306 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/08 ,  G02B26/10

    CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0198

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon processing method forming a structure small in a processing dimensional error even when there is an alignment error between a crystal axis orientation and an etching mask, a silicon substrate with an etching mask, and the like.
    SOLUTION: The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1. A determining section for determining the width W1 of the structure is formed in the mask pattern. The width of the determining section for the width W1 of the mask pattern has width W2. The width of the mask pattern other than the determining section is larger than the width W2 over a length direction of the mask pattern.
    COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：即使当晶轴方向和蚀刻掩模之间存在取向误差时，也提供一种形成处理尺寸误差小的结构的硅处理方法，具有蚀刻掩模的硅衬底和 喜欢。 解决方案：硅处理方法包括：在主面为（100）为等效面103或（110）等效面的单晶硅基板100上形成掩模图案; 并施加晶体各向异性蚀刻以形成包括（111）等效面并具有宽度W1和长度L1的结构。 用于确定结构的宽度W1的确定部分形成在掩模图案中。 掩模图案的宽度W1的确定部分的宽度具有宽度W2。 除了确定部分之外的掩模图案的宽度大于在掩模图案的长度方向上的宽度W2。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

    평면형 마이크로 공동구조 제조 방법
    59.
    发明授权
    평면형 마이크로 공동구조 제조 방법 有权
    평면마이크로공동구조제조방법

    公开(公告)号：KR100369324B1

    公开(公告)日：2003-01-24

    申请号：KR1019990054394

    申请日：1999-12-02

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 최창억 ,  전치훈 ,  장원익 ,  김윤태

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2203/0136

    Abstract: A method for forming a micro cavity is disclosed. In the method for forming the cavity, a first layer is formed on a silicon layer and a trench is formed in the silicon layer by selectively etching the silicon layer. A second and a third layers are formed on the trench and on the silicon layer. Etching holes are formed through the third layer by partially etching the third layer. A cavity is formed between the silicon layer and the third layer after the second layer is removed through the etching holes. Therefore, the cavity having a large size can be easily formed and sealed in the silicon layer by utilizing the volume expansion of the silicon or the poly silicon layer. Also, a vacuum micro cavity can be formed according as a low vacuum CVD oxide layer or a nitride layer formed on the etching holes which are partially opened after the thermal oxidation process by controlling the size of the etching holes concerning the other portion of the poly silicon layer.

    Abstract translation: 公开了一种形成微腔的方法。 在用于形成空腔的方法中，在硅层上形成第一层，并且通过选择性地蚀刻硅层在硅层中形成沟槽。 第二和第三层形成在沟槽上和硅层上。 通过部分蚀刻第三层形成穿过第三层的蚀刻孔。 在通过蚀刻孔去除第二层之后，在硅层和第三层之间形成空腔。 因此，通过利用硅或多晶硅层的体积膨胀，可以容易地在硅层中形成和密封具有大尺寸的空腔。 另外，通过控制与其他部分的聚合物相关的蚀刻孔的尺寸，可以形成真空微腔，作为在热氧化过程之后部分地打开的蚀刻孔上形成的低真空CVD氧化物层或氮化物层 硅层。

    경사가능체장치 및 그 제조방법
    60.
    发明公开
    경사가능체장치 및 그 제조방법 有权
    倾斜身体装置及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020020068962A

    公开(公告)日：2002-08-28

    申请号：KR1020020009502

    申请日：2002-02-22

    Applicant: 캐논 가부시끼가이샤

    Inventor： 야스다스스무 ,  미즈타니히데마사 ,  야기타카유키 ,  시마다야스히로 ,  히로세후토시 ,  카토타카히사

    IPC: G02B26/08

    CPC classification number: G02B26/105 ,  B81B3/0051 ,  B81B3/0067 ,  B81B2201/038 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/058 ,  B81C2201/0133 ,  G02B26/0841 ,  Y10S359/90 ,  Y10S359/904

    Abstract: PURPOSE: A tiltable-body apparatus and a fabricating method thereof are provided to produce a tiltable-body apparatus with good strength and performance including a tiltable body which is reciprocally tilted about a twisting longitudinal axis. CONSTITUTION: In a micro-optical scanner, a recess(112) is formed on a glass substrate(110). A pair of driver electrodes(114,116) and a mirror support of a triangular prism are arranged on the bottom of the recess(112). The mirror support is omitted. In a single crystal silicon thin plate(120), two sets of torsion springs(128,129) and a planar mirror(130) are integrally formed by bulk micromachining techniques. Each of the torsion springs(128,129) has a cross section of symmetrical V-shape. This shape is a heptagonal shape with an internal angle of 289.4 degrees, and has two portions slant to a plane of the mirror(130).

    Abstract translation: 目的：提供一种倾斜体装置及其制造方法，以产生具有良好强度和性能的可倾斜体装置，包括围绕扭转纵向轴线往复倾斜的可倾斜体。 构成：在微型光学扫描仪中，在玻璃基板（110）上形成凹部（112）。 一对驱动电极（114,116）和三角形棱镜的反射镜支架设置在凹槽（112）的底部。 镜像支持被省略。 在单晶硅薄板（120）中，两组扭簧（128,129）和平面镜（130）通过体微加工技术整体形成。 每个扭转弹簧（128,129）具有对称V形的横截面。 该形状是具有289.4度内角的七边形形状，并且具有倾斜于反射镜（130）平面的两个部分。

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