公开(公告)号：FR3087048B1

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：FR1859285

申请日：2018-10-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L29/08

Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (1000) dans lequel la formation du collecteur comprend une étape de formation d'une première couche dopée de manière sensiblement homogène au fond d'une cavité, et une étape de formation d'une deuxième couche (1002) dopée de manière graduelle par diffusion des dopants de la première couche.

公开(公告)号：FR3109467A1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR2003759

申请日：2020-04-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： FOUREL MICKAEL ,  CHAPELON LAURENT-LUC

IPC: H01L27/146

Abstract: Dispositif d'acquisition d'images La présente description concerne un dispositif d'acquisition d'images (11) comprenant au moins une couche (35) en un matériau inorganique diélectrique entre une matrice de filtres couleur (33) et un réseau de microlentilles (37). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3098977B1

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：FR1908189

申请日：2019-07-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BOEUF FREDERIC ,  BARRERA CYRILLE

IPC: H01L21/20 ,  G02B6/42 ,  H01L21/18 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

Abstract: Modulateur optique capacitif La présente description concerne un modulateur électro-optique capacitif comprenant : une première couche (108) de silicium ; un empilement d'une première bande (302) de germanium ou de silicium-germanium reposant sur la première couche (108) et d'une deuxième bande (300) de silicium reposant sur la première bande, la première bande étant moins large que la deuxième bande ; un isolant (400) bordant latéralement l'empilement et affleurant une face supérieure de la deuxième bande (300) ; une couche isolante (402) reposant sur l'isolant (400) et la deuxième bande (300) ; et une couche (500) de matériaux III-V reposant sur la couche isolante (402) et comprenant une troisième bande (501) disposée au-dessus et en regard de la deuxième bande (300). La présente description concerne également un procédé de fabrication d'un tel modulateur. Figure pour l'abrégé : Fig. 5

公开(公告)号：FR3096856B1

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：FR1905862

申请日：2019-06-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： SIMONY LAURENT ,  MALINGE PIERRE

IPC: H04N5/353 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745

Abstract: Capteur d'image et son procédé de commande La présente description concerne un capteur comprenant des pixels (1) comportant chacun :un premier transistor (118) et un premier interrupteur (120) en série entre un premier noeud (124) et un noeud (122) interne du pixel, une grille du premier transistor (118) étant couplée à un deuxième noeud (106) ;un élément capacitif (110) dont une première borne est connectée au deuxième noeud ; et plusieurs ensembles (A, B) comprenant chacun une capacité (128) en série avec un deuxième interrupteur (130) connecté au noeud interne, le capteur comprenant un circuit (150) configuré pour, lors de chaque mémorisation d'une tension dans un des ensembles (A, B), commander l'interruption d'un courant entre le premier noeud (124) et le noeud interne (122) :en commutant un premier potentiel (Vech) appliqué à une deuxième borne (112) de l'élément capacitif ; ou en ouvrant le premier interrupteur (120). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3096830B1

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：FR1905576

申请日：2019-05-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GREGOIRE MAGALI

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/532

Abstract: Elément d'interconnexion et son procédé de fabrication La présente description concerne un procédé de fabrication d'un élément d'interconnexion d'une structure d'interconnexion d'un circuit intégré, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) graver une cavité (200) dans une première couche (202) isolante ; b) déposer une deuxième couche (204) en nitrure de silicium sur les parois et le fond de la cavité (200), la concentration en atomes d'azote dans la deuxième couche augmentant en s'éloignant d'une surface exposée (2041) de la deuxième couche (204) ; c) déposer une troisième couche (206) en cuivre sur la deuxième couche (204) ; d) chauffer pour former une quatrième couche (208) de siliciure de cuivre à partir des deuxième et troisième couches (204, 206) ; et e) remplir la cavité de cuivre (210). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3102633A1

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：FR1911935

申请日：2019-10-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CROCHERIE AXEL

IPC: H04N5/33 ,  H01L27/146

Abstract: Capteur d'images La présente description concerne un capteur d'images (1) comprenant des pixels (3) comportant chacun une région de photoconversion (5) en silicium entourée d'au moins un matériau d'indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction du silicium, l'interface (7, 11, 13, 15, 23, 25, 27, 29) entre la région de photoconversion (5) du pixel (3) et ledit matériau étant configurée pour qu'au moins un rayon (45) atteignant la région de photoconversion (5) du pixel (3) subisse au moins une réflexion totale sur cette interface (23, 25, 27, 29). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3097068A1

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：FR1906000

申请日：2019-06-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： SIMIZ JEAN-GABRIEL

IPC: G06F7/58

Abstract: Générateur de nombres aléatoires La présente description concerne un circuit intégré comprenant un générateur de nombres aléatoires, le générateur comprenant au moins une diode à effet d'avalanche déclenchée par un photon individuel (202). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3095720A1

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：FR1904587

申请日：2019-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS RES & DEV LTD ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： RAYNOR JEFF M ,  LALANNE FREDERIC ,  MALINGE PIERRE

IPC: H01L27/146

Abstract: Pixels de capteur d’image présentant un pas réduit La présente description concerne un capteur d’image comprenant des premier et second pixels (PIX#1, PIX#2), dans lequel un ou plusieurs transistors (M11, M21, M31) du premier pixel partagent une région active (406) avec un ou plusieurs transistors (M12, M22, M32) du second pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 4

公开(公告)号：FR3094571A1

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：FR1903194

申请日：2019-03-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/103 ,  H01L27/146

Abstract: Dispositif électronique à photodiode La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant une photodiode (102), la photodiode comprenant une région (208) reliée à un noeud d'application d'une première tension, la région étant partiellement entourée par au moins un mur semiconducteur (210a, 210b) s'étendant sur au moins la hauteur de la photodiode (102). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3073075B1

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：FR1760166

申请日：2017-10-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MORIN PIERRE ,  DUTARTRE DIDIER

IPC: G11C13/02

Abstract: L'invention concerne un point mémoire à matériau à changement de phase, comprenant, sur un via (108) de liaison avec un transistor, un élément de chauffage (116) du matériau à changement de phase (118), et, entre le via et l'élément de chauffage (116), une couche (202) en un matériau électriquement isolant ou de résistivité électrique supérieure à 2,5·10-5 Ω.m, les interfaces entre ladite couche et les matériaux en contact avec les deux faces de ladite couche formant une barrière thermique, ladite couche étant suffisamment mince pour pouvoir être traversée par un courant électrique par un effet de type effet tunnel.