公开(公告)号：FR3104841B1

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：FR1914398

申请日：2019-12-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS INC ,  ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  BLAUSER JEFFREY ,  GRANGE KARL ,  SAADNA MOHAMED

IPC: H02H9/04

Abstract: Protection contre des surtensions La présente description concerne une interface d’alimentation (414) comprenant :un premier interrupteur (309) reliant une borne d’entrée (301) de l’interface à une borne de sortie (305) de l’interface ;un pont diviseur (311) de tension reliant la borne d’entrée (301) à un nœud de référence (313) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un comparateur (323) dont une première entrée est connectée à un premier nœud (319) du pont diviseur et dont une deuxième entrée est configurée pour recevoir un potentiel constant (Vth) ; un convertisseur numérique analogique (DAC) ;un deuxième interrupteur (329) reliant une sortie du convertisseur (DAC) à un deuxième nœud (321) du pont diviseur (311) ; etun premier circuit (331) configuré pour commander le deuxième interrupteur (329) et le convertisseur (DAC), dans lequel une commande du premier interrupteur est déterminée par un signal de sortie (comp_sig) du comparateur (323). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3104315B1

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：FR1913750

申请日：2019-12-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： FALLOURD LUDOVIC ,  SERRE CHRISTOPHE

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/822

Abstract: Procédé de fabrication de puces électroniques La présente description concerne un procédé de fabrication de puces électroniques, comprenant les étapes successives suivantes : former, du côté de la face supérieure d'un substrat semiconducteur (11), dans et sur lequel ont été préalablement formés une pluralité de circuits intégrés, au moins un pilier (35) de résine sacrificielle par circuit intégré, en contact avec la face supérieure du circuit intégré ; déposer, du côté de la face supérieure du substrat (11), une résine de protection (23), s'étendant entre les piliers (35) de résine sacrificielle ; retirer les piliers (35) de résine sacrificielle sélectivement par rapport à la résine de protection (23), de façon à former dans la résine de protection (23) des cavités de forme complémentaire à celle des piliers (35) de résine sacrificielle ; et remplir les cavités par du métal pour former des piliers métalliques de connexion en contact avec la face supérieure des circuits intégrés. Figure pour l'abrégé : Fig. 18

公开(公告)号：FR3110792A1

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：FR2005058

申请日：2020-05-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： PROOT JEAN PIERRE ,  PAILLET PASCAL ,  DUPONT FRANCOIS

IPC: H04B1/18 ,  H01Q1/24 ,  H01Q21/24

Abstract: Adaptation d'impédance La présente description concerne un dispositif comprenant : une antenne (2) ; un coupleur directionnel (4) comprenant un premier port (401) recevant un signal radiofréquence, un deuxième port (402) vers lequel est transmis un signal reçu par le premier port (401) et un troisième port (403) vers lequel est transmis un signal reçu par le deuxième port (402) ; un réseau d'adaptation d'impédance (3') connecté entre le deuxième port (402) et l'antenne (2) et comprenant des composants inductifs et/ou capacitifs (C1', L1, C2', L2, C3) dont un unique composant inductif ou capacitif (C3) à valeur réglable ; et une diode (6) reliant le troisième port (403) du coupleur (4) à une borne de mesure (104) du dispositif (1') configurée pour être connectée à un convertisseur analogique numérique. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3106237A1

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：FR2000159

申请日：2020-01-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ARNAUD AURELIE ,  LEBRETTE SEVERINE

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L29/861

Abstract: Protection ESD La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : un premier empilement (11), formant une diode Transil (TD), comportant un substrat (13) d'un premier type de conductivité dans lequel est située une première zone (15) d'un deuxième type de conductivité, la première zone (15) affleurant une face du substrat (13) ; un deuxième empilement (17), formant une diode (D), situé sur et en contact avec ladite face du substrat (13) et comportant une première couche (19) du deuxième type de conductivité dans laquelle est située une deuxième zone (21) du premier type de conductivité, la deuxième zone (21) affleurant, à l'opposé du premier empilement (17), la surface de la première couche (19) ; et un troisième empilement (23) comportant au moins une deuxième couche (25) en un matériau dopé en oxygène, sur et en contact avec le deuxième empilement (17). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3085575B1

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：FR1857899

申请日：2018-09-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ORY OLIVIER ,  JAILLET ROMAIN

IPC: H05K1/02 ,  H01L27/00

Abstract: La présente description concerne un dispositif comprenant un support (104), une couche électriquement conductrice (106) recouvrant le support, un substrat semiconducteur (108) sur la couche conductrice, et une enveloppe isolante (110).

公开(公告)号：FR3104315A1

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：FR1913750

申请日：2019-12-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： FALLOURD LUDOVIC ,  SERRE CHRISTOPHE

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/822

Abstract: Procédé de fabrication de puces électroniques La présente description concerne un procédé de fabrication de puces électroniques, comprenant les étapes successives suivantes : former, du côté de la face supérieure d'un substrat semiconducteur (11), dans et sur lequel ont été préalablement formés une pluralité de circuits intégrés, au moins un pilier (35) de résine sacrificielle par circuit intégré, en contact avec la face supérieure du circuit intégré ; déposer, du côté de la face supérieure du substrat (11), une résine de protection (23), s'étendant entre les piliers (35) de résine sacrificielle ; retirer les piliers (35) de résine sacrificielle sélectivement par rapport à la résine de protection (23), de façon à former dans la résine de protection (23) des cavités de forme complémentaire à celle des piliers (35) de résine sacrificielle ; et remplir les cavités par du métal pour former des piliers métalliques de connexion en contact avec la face supérieure des circuits intégrés. Figure pour l'abrégé : Fig. 18

公开(公告)号：FR3093592B1

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：FR1902183

申请日：2019-03-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/302 ,  H01L23/50

Abstract: Circuit intégré comportant un condensateur tridimensionnel La présente description concerne un circuit intégré comportant un substrat (101), le substrat (101) comportant une première région (101a) ayant une première épaisseur (e1) et une deuxième région (101b) ayant une deuxième épaisseur (e2) inférieure à la première épaisseur, le circuit comportant un condensateur tridimensionnel (C) formé dans et sur la première région (101a), et au moins des première (107) et deuxième (109) bornes de connexion formées sur la deuxième région (101b), les première (107) et deuxième (109) bornes de connexion étant connectées respectivement à des première (103) et deuxième (105) électrodes du condensateur tridimensionnel. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3092698B1

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：FR1901349

申请日：2019-02-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  BARREAU LAURENT

IPC: H01L23/58 ,  H01L27/04 ,  H01L29/40

Abstract: Assemblage comportant un composant vertical de puissance monté sur une plaque métallique de connexion La présente description concerne un assemblage comportant : - un composant vertical de puissance (100) comportant un substrat semiconducteur (101), une première électrode (A2) en contact avec une face inférieure du substrat (101), et une deuxième électrode (A1) en contact avec une face supérieure du substrat (101) ; - une plaque métallique de connexion (150) disposée du côté de la face inférieure du substrat (101) ; et - une entretoise métallique (140) comportant une face inférieure soudée à la plaque métallique de connexion (150) et une face supérieure soudée à la première électrode (A2) du composant vertical de puissance, l'entretoise métallique (140) étant en le même métal que la plaque métallique de connexion (150). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3099887A1

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：FR1909184

申请日：2019-08-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ALLANIC FABIEN ,  LADROUE JULIEN

IPC: B05D3/06 ,  B23K26/359 ,  H01L21/64

Abstract: Formation d'un polymère La présente description concerne un procédé de formation d'un polymère (130) sur une surface (116) à partir d'un fluide, comprenant une étape d'augmentation de la mouillabilité d'au moins une partie de ladite surface vis-à-vis dudit fluide par application d'une ou plusieurs impulsions laser sur ladite au moins une partie. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3093592A1

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：FR1902183

申请日：2019-03-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/302 ,  H01L23/50

Abstract: Circuit intégré comportant un condensateur tridimensionnel La présente description concerne un circuit intégré comportant un substrat (101), le substrat (101) comportant une première région (101a) ayant une première épaisseur (e1) et une deuxième région (101b) ayant une deuxième épaisseur (e2) inférieure à la première épaisseur, le circuit comportant un condensateur tridimensionnel (C) formé dans et sur la première région (101a), et au moins des première (107) et deuxième (109) bornes de connexion formées sur la deuxième région (101b), les première (107) et deuxième (109) bornes de connexion étant connectées respectivement à des première (103) et deuxième (105) électrodes du condensateur tridimensionnel. Figure pour l'abrégé : Fig. 2