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公开(公告)号：KR101115195B1
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020090104607
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/072
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/02167 , H01L31/1804 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 실리콘 이종접합 태양전지 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 비정질/결정질 실리콘 간의 계면 결함을 줄일 수 있으며, PN 다이오드 특성향상을 통해 태양전지의 충진율의 증가 및 향상된 효율을 보여줄 수 있는 이종접합 실리콘 태양전지를 제공하되, 제1 타입 결정질 실리콘 기판 상에 제2 타입 비정질 실리콘층이 형성되어 있고, 상기 제2 타입 비정질 실리콘층 상에는 투명 전도막과 상부전극이 형성되어 있으며, 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 하면에는 하부전극이 형성되어 있는 구조를 가지고 있는 실리콘 이종접합 태양전지에 있어서, 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판과 상기 제2 타입 비정질 실리콘층 사이의 계면 또는 상기 제2 타입 비정질 실리콘층과 상기 투명 전도막 사이의 계면에 패시베이션층을 형성하되, 상기 패시베이션층은 초순수 또는 HNO
3 용액을 이용한 산화공정으로 형성하는 기술을 제공하는 발명에 관한 것이다.-
62.发明授权실리콘 나노와이어/탄소나노튜브/징크옥사이드 코어/다중쉘 나노복합체의 제조방법 및 상기 나노복합체를 포함하는 태양전지 有权制备硅纳米线/碳纳米管/氧化锌芯/多壳纳米复合材料和太阳能电池的方法，包括纳米复合材料
公开(公告)号：KR101087267B1
公开(公告)日：2011-11-29
申请号：KR1020100033269
申请日：2010-04-12
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 실리콘 나노와이어/탄소나노튜브/징크옥사이드 코어/다중쉘 나노복합체의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면 간단한 방법으로 대면적 기판상에 수직으로 정렬된 실리콘 나노와이어/탄소나노튜브/징크옥사이드 코어/다중쉘 나노복합체를 제조할 수 있으며, 이러한 나노복합체는 실리콘 나노와이어의 표면적이 크고, 상기 실리콘 나노와이어와 탄소나노튜브와의 넓은 접합 계면에서 전자와 홀이 분리될 수 있다는 장점뿐만 아니라, 단위 면적당 흡착된 염료분자의 농도를 증가시켜 염료감응 태양전지의 상대전극으로 유용하게 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 태양전지는 표면반사율이 낮고 광변환 효율이 우수하다.
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公开(公告)号：KR101076545B1
公开(公告)日：2011-10-24
申请号：KR1020090104606
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명에따른실리콘이종접합태양전지제조방법은제1타입반도체물질이포함된제1타입결정질실리콘기판의전면에상기제1타입반도체물질과 P-N 접합구조를형성하는제2타입반도체물질이포함된제2타입비정질실리콘막을형성하는단계; 상기제2타입비정질실리콘막의전면에, TiO를도포한후 200~300℃의온도에서급속열처리(Rapid Thermal Anneal)하여제1 확산방지막을형성하는단계; 상기제1 확산방지막의전면에제1 투명전도성산화막을형성하는단계; 및상기제2타입비정질실리콘막에전기적으로연결되는전면전극과상기제1타입결정질실리콘기판에전기적으로연결되는배면전극을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR100930922B1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：KR1020050105701
申请日：2005-11-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/047 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 염료감응태양전지 및 그 제조방법이 개시된다.
본 발명에 따르는 염료감응태양전지는 서로 대향되게 배치되는 제1기판과 제2기판과, 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 구비되고, 광화학적 반응을 위한 비표면적이 큰 복수개의 돌출부를 갖는 적어도 하나의 나노튜브산화물층을 포함하고, 상기 나노튜브산화물층에 화학적으로 흡착되어, 여기된 전자를 공급할 수 있는 염료층을 포함하는 반도체전극과, 상기 반도체전극과 대향되고 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 마련되어 통전되도록 하는 대향전극 및 상기 반도체전극과 대향전극 사이에 개재되어 산화-환원반응에 의하여 상기 염료층에 전자를 공급해줄 수 있는 전해질용액을 포함하는 것을 특징으로 하는데, 염료층에서 여기된 전자의 이동에 있어서, 전극의 형태(morphology)에 영향을 받게 된다. 양극산화로 얻어진 나노튜브 모양의 표면 형태는 전자의 이동 경로가 직선 형태로 최소화되어 전자의 손실을 줄일 수 있으며, 복수개의 나노튜브의 표면 염료 흡착이 가능하여 넓은 표면적에서 광흡수을 할 수 있으며, 또한 양면의 나노튜브에 흡수 파장대가 다른 염료를 흡착하여 광흡수도를 증가시킬 수 있다.Abstract translation: 公开了染料敏化太阳能电池及其制造方法。
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65.发明授权
公开(公告)号：KR100847741B1
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020070017618
申请日：2007-02-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/072 , H01L31/04
Abstract: A point-contact heterojunction silicon solar cell having a passivation layer on a p-n junction interface is provided to reduce an interfacial defect by minimizing a contact area between amorphous silicon and crystalline silicon. A passivation layer(305) is formed on an interface between a crystalline silicon wafer(300) of a first type and an amorphous silicon layer(310) of a second type wherein a plurality of voids penetrating the front and back surfaces of the passivation layer are formed in the passivation layer. The crystalline silicon wafer of the first type comes in contact with the amorphous silicon layer of the second type only by the voids. The passivation layer can be selected from SiO2, SiC, SiNx and intrinsic amorphous silicon.
Abstract translation: 提供了在p-n结界面上具有钝化层的点接触异质结硅太阳能电池，以通过最小化非晶硅和晶体硅之间的接触面积来减少界面缺陷。 在第一类型的晶体硅晶片（300）和第二类型的非晶硅层（310）之间的界面上形成钝化层（305），其中穿过钝化层的前表面和后表面的多个空隙 形成在钝化层中。 第一类型的晶体硅晶片仅通过空隙与第二类型的非晶硅层接触。 钝化层可以选自SiO 2，SiC，SiN x和本征非晶硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100710909B1
公开(公告)日：2007-04-27
申请号：KR1020050128841
申请日：2005-12-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: PTFE표면의 개질방법이 제공된다.
본 발명에 따른 PTFE표면의 개질방법은 (a) 진공챔버의 내부에 PTFE를 위치시키고 진공상태로 유지시키는 단계; (b) 상기 진공챔버의 내부로 산소기체를 7 내지 13 sccm의 유량으로 공급하는 단계; 및 (c) 수소이온을 상기 PTFE의 표면으로 조사하여 산소플라즈마를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 이에 의하면 PTFE와 금속 등의 다른 물질과의 접착력을 증대시키면서 동시에 상기 PTFE의 표면에 물리적 손상을 획기적으로 감소시키고 그 표면의 반사도가 우수하다는 장점을 갖는다.
PTFE, 개질Abstract translation: 提供了一种改性PTFE表面的方法。
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公开(公告)号：KR102255578B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020190099585
申请日：2019-08-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/306
Abstract: 본발명은실리콘웨이퍼의습식이단계표면조직화방법에관한것으로서, Kerfless 방식으로제작된실리콘웨이퍼의표면에텍스쳐를형성하는방법에있어서, 습식세정용액을통해상기실리콘웨이퍼의표면을세정하는세정단계; 상기세정된실리콘웨이퍼를제 1 산용액에침지시켜표면에홀을형성하는전처리단계; 탈이온수를통해상기홀이형성된실리콘웨이퍼의표면을세척하는세척단계및 상기세척된실리콘웨이퍼를제 2 산용액에침지시켜표면에텍스쳐를형성하는식각단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR102205708B1
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR1020190114476
申请日：2019-09-18
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본출원의일 실시예에따르는폭우제거영상제공장치는, 단일프레임에대한필터링을통해고주파영역이미지와저주파영역이미지를획득하는전처리부, 상기고주파영역이미지를학습한신경망을통해추출되는제1 레이어정보와상기저주파영역이미지를학습한상기신경망을통해추출되는제2 레이어정보를상기신경망을통해딥러닝하여, 특징정보를추출하는특징추출부및 상기단일프레임, 상기고주파영역이미지및 상기특징정보를상기신경망을통해딥러닝하여폭우개선이미지를출력하고, 상기신경망에따라추정된투과도맵을이용하는물리적모델링을통해상기폭우개선이미지에대한클린이미지를출력하는영상개선부를포함한다.
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公开(公告)号：KR101909821B1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：KR1020170062775
申请日：2017-05-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0216 , C03C8/10 , C03C8/04
CPC classification number: H01L31/022425 , C03C8/04 , C03C8/10 , H01L31/02167 , H01L31/18
Abstract: 본발명은태양전지의전극제조방법에관한것으로, 본발명에따른태양전지의전극제조방법은 (a) 실리콘층으로형성된에미터 (emitter, 20)의상면에적층된반사방지막상부에, 금속분말, 및유리프릿 (glass frit)을포함하는전도성페이스트(40)를전극형태로패턴화하여배치하는단계(S100), (b) 패턴화된전도성페이스트(40)를가열하여소성하는단계(S200), 및 (c) 상기 (b) 단계의소성진행중에, 광을조사하는단계(S300)를포함한다.
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公开(公告)号：KR101859837B1
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：KR1020160119889
申请日：2016-09-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/048 , H01L31/049 , B32B17/10 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B9/04 , B32B9/00 , B32B15/08 , B32B15/20
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은태양전지모듈에관한것으로서, 본발명의실시예에따른태양전지모듈은백시트(10), 백시트(10) 상에적층되는하부봉지재필름(20), 하부봉지재필름(20) 상에적층되고, 전도성리본(31)에의해직렬또는병렬로배열되는다수개의태양전지셀(30), 태양전지셀(30)을사이에두고, 하부필름과마주보도록배치되는상부봉지재필름(40), 상부봉지재필름(40)으로부터이격되어배치되는전면유리(50), 및전면유리(50)와상부봉지재필름(40) 사이에배치되어, 상부봉지재필름을투과하는수분(M)이전면유리(50)에접촉되는것을차단하는수분차단막(60)을포함한다.
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