公开(公告)号：KR100980529B1

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020070029327

申请日：2007-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 플라즈마 산화 처리 장치는, 피처리체를 수용하고, 내부에서 플라즈마 처리를 행하는 진공 유지 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리체를 탑재하는 탑재대와, 복수의 슬롯을 갖고, 상기 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하는 평면 안테나와, 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 탑재대에 대향하여 배치된 천판을 구비하되, 탑재대에 피처리체를 탑재한 상태에서, 피처리체와 상기 천판과의 간격이 20㎜ 이상 100㎜ 이하로 되도록 하였다.

Abstract translation: 等离子体氧化处理装置，在接收到被处理物，且具有阶段和多个时隙的真空尽可能时，处理容器在内部进行等离子体处理，与所述对象中的处理容器内的被处理时，一个微波进入处理腔室 气体引入装置，用于将处理气体引入到处理容器中;以及顶板，设置成面对装载台，其中工件和顶板之间的空间 不小于20毫米，不大于100毫米。

公开(公告)号：KR100956705B1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：KR1020077029149

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31662 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

Abstract: 본 발명에 따르면, 실리콘층과, 고융점 금속 함유층을 갖는 구조체에 대해, 적어도 수소 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여, 처리 압력 1.33∼66.67㎩로 제 1 플라즈마 산화 처리를 실시하는 것과, 제 1 플라즈마 산화 처리 후에, 적어도 수소 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여, 처리 압력 133.3∼1333㎩로 제 2 플라즈마 산화 처리를 실시하는 것을 포함하는 플라즈마 산화 처리를 수행하여, 실리콘 산화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100893955B1

公开(公告)日：2009-04-20

申请号：KR1020077026024

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 텅스텐계막을 포함하는 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리실을 클리닝함에 있어서, 플라즈마 처리후, 대기 개방하지 않고, 처리실내에 O
2 를 포함하는 가스를 도입하고, 이 가스의 플라즈마를 형성하여 처리실을 클리닝한다.

公开(公告)号：KR100887271B1

公开(公告)日：2009-03-06

申请号：KR1020077004320

申请日：2005-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32495 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

Abstract: 플라즈마 발생 수단과, 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하기 위한 처리실을 구획하는 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리 기판을 얹어 놓는 기판 유지대와, 처리 용기 내를 감압하기 위한 배기 수단을 포함한 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 마이크로파 투과판(28)을 지지하는 지지부(27)의 벽(27a)은 플라즈마 발생시에 적어도 1.5eV를 넘는 고전자 온도가 된다. 이 벽(27a)을 덮도록 석영 등의 내열성 절연체로 이루어진 피복부(60)를 형성한다.

Abstract translation: 等离子体产生装置，并且包括排气装置，用于降低血液中和压力，用于将处理室的基板收纳容器上进行等离子体处理的处理过程中，在基板处理拿着敷设的衬底容器中的突破用于处理容器 在等离子体处理装置100中，支承微波透过板28的支承部27的壁部27a在等离子体产生时的电子温度为1.5eV以上。 形成由石英等耐热绝缘体构成的覆盖部60以覆盖壁部27a。

公开(公告)号：KR100782954B1

公开(公告)日：2007-12-07

申请号：KR1020047012721

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/3185 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12806

Abstract: 전자 디바이스용 기재 상에 절연막을 형성하는 공정에 있어서, 상기 공정에 포함되는 절연막 특성을 제어하는 2 이상의 공정을 동일한 동작 원리하에서 행하여, 기재 표면의 절연막을 형성한다. 대기에의 노출을 피하여, 세정, 산화, 질화, 박막화 등의 처리를 실시함으로써, 세정도가 높은 절연막의 형성이 가능해진다. 또한, 동일한 동작 원리를 이용하여 절연막의 형성에 관한 여러 가지 공정을 실행함으로써, 장치 형체의 간략화를 실현하여, 특성이 우수한 절연막을 효율적으로 형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020070083509A

公开(公告)日：2007-08-24

申请号：KR1020077004453

申请日：2006-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32105 ,  H01L29/4941

Abstract: Steps performed are a step of forming a gate insulating film on a semiconductor substrate; a step of forming a laminate, which includes at least a polysilicon layer and a metal layer including a high melting point metal; a step of forming a gate electrode by etching the laminate; and a step of performing plasma treatment by means of a plasma treatment apparatus, which generates plasma by introducing microwaves into a treatment chamber by a planar antenna having a plurality of slots, at a treatment pressure of 133.3-1333Pa and a treatment temperature of 250-800°C, by using a treatment gas which includes at least hydrogen gas and oxygen gas, and selectively oxidizing the polysilicon layer in the gate electrode.

Abstract translation: 执行的步骤是在半导体衬底上形成栅极绝缘膜的步骤; 形成层叠体的步骤，其至少包括多晶硅层和包含高熔点金属的金属层; 通过蚀刻层压体形成栅电极的步骤; 以及通过等离子体处理装置进行等离子体处理的步骤，所述等离子体处理装置通过在具有多个槽的平面天线将处理室中的微波以133.3-1333Pa的处理压力和250℃的处理温度引入到处理室中而产生等离子体， 800℃，通过使用至少包含氢气和氧气的处理气体，并选择性地氧化栅电极中的多晶硅层。

公开(公告)号：KR1020070022325A

公开(公告)日：2007-02-26

申请号：KR1020067026465

申请日：2005-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32105

Abstract: 본 발명에 따르면, 플라즈마 처리 장치(100)에 의해 게이트 전극의 선택 산화 처리를 행할 때에는 게이트 전극이 형성된 웨이퍼(W)를 챔버(1) 내의 서셉터(2) 상에 적재하고, 가스 공급계(16)의 Ar 가스 공급원(17), H
2 가스 공급원(18) 및 O
2 가스 공급원(19)으로부터 가스 도입 부재(15)를 통해 Ar 가스, H
2 가스 및 O
2 가스를, H
2 가스와 O
2 가스와의 유량비 H
2 /O
2 가 1.5 이상 20 이하, 바람직하게는 4 이상, 보다 바람직하게는 8 이상이 되도록 챔버(1) 내에 도입하고, 챔버 내 압력을 3∼700 Pa, 예컨대 6.7 Pa (50 mTorr)로 한다.

公开(公告)号：KR1020060066114A

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020067005288

申请日：2004-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  호시노사토히코 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: Disclosed is a method for decreasing the dielectric constant of an insulating film which is formed by a chemical vapor deposition method and contains Si, O and CH. A process gas containing hydrogen atoms is supplied into a reaction chamber of a plasma processing apparatus. Microwaves are introduced into the reaction chamber for supplying uniform electromagnetic waves therein, thereby generating a plasma containing hydrogen radicals in the reaction chamber. Due to the hydrogen radicals contained in the plasma with which an insulating film is irradiated, the structure of the insulating film is changed and the dielectric constant of the insulating film is decreased. The microwaves are supplied into the reaction chamber via a radial slot antenna.

Abstract translation: 公开了一种降低由化学气相沉积法形成并含有Si，O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。 将含有氢原子的工艺气体供给到等离子体处理装置的反应室中。 将微波引入到反应室中以在其中提供均匀的电磁波，从而在反应室中产生含氢自由基的等离子体。 由于照射绝缘膜的等离子体中所含的氢原子，绝缘膜的结构发生变化，绝缘膜的介电常数降低。 微波经由径向缝隙天线供入反应室。

公开(公告)号：KR1020040102229A

公开(公告)日：2004-12-03

申请号：KR1020047018206

申请日：2003-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  스가와라다쿠야 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833 ,  H01L21/823462

Abstract: 실리콘 기판 표면에 형성된 산화막을 마이크로파 플라즈마 질화 처리에 의해 질화하여 산질화막을 형성하는 기판 처리 방법에 있어서, 산질화막으로의 손상을 회피하면서, 실리콘 기판과 산질화막과의 계면에 있어서의 산화막의 재성장을 억제하고, 산화막 환산 막 두께를 저감시킬 수 있는 방법을 제공한다. 질화 처리 공정은 마이크로파 여기 플라즈마의 전자 온도를 2 eV 이하로 설정하고, 피처리 기판이 유지된 프로세스 공간내에 있어서의 산소의 체류 시간을 2초 이하로 설정함으로써 실행된다.

公开(公告)号：KR1020040086384A

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：KR1020047012721

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/3185 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12806

Abstract: 전자 디바이스용 기재 상에 절연막을 형성하는 공정에 있어서, 상기 공정에 포함되는 절연막 특성을 제어하는 2 이상의 공정을 동일한 동작 원리하에서 행하여, 기재 표면의 절연막을 형성한다. 대기에의 폭로를 피하여, 세정, 산화, 질화, 박막화 등의 처리를 실시함으로써, 세정도가 높은 절연막의 형성이 가능해진다. 또한, 동일한 동작 원리를 이용하여 절연막의 형성에 관한 여러 가지 공정을 실행함으로써, 장치 형체의 간략화를 실현하여, 특성이 우수한 절연막을 효율적으로 형성할수 있다.