公开(公告)号：KR1019990013221A

公开(公告)日：1999-02-25

申请号：KR1019970048930

申请日：1997-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영선 ,  원석준 ,  김영대 ,  김영민 ,  김경훈 ,  남갑진 ,  박영욱

IPC: H01L27/108

Abstract: 표면이 고농도 불순물로 높게 도우핑된 굴곡형의 다결졍 실리콘층으로 만들어진 하부 전극층과 상부 전극층 사이에 고유전체층을 가지는 반도체 장치에 있어서,
상기 하부전극층과 상기 고유전체층 사이에 형성되고 후열처리에 의해 상기 굴곡형 다결정 실리콘층 표면의 상기 고농도 불순물의 농도저하를 방지하는 확산 방지층 또는 확산장벽층을 가짐으로써 동작중 인가되는 바이어스 전압에 대해 안정된 캐패시턴스값을 유지하는 반도체장치 및 제조방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1019980026863A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960045429

申请日：1996-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남갑진

IPC: H01L21/324

Abstract: 신규한 탄탈륨산화박막의 열처리 방법이 개시되어 있다. 하부전극, 탄탈륨산화막 유전체막 및 상부전극이 적층된 구조의 캐패시터를 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 하부전극 상에 탄탈륨산화막을 증착한 후, 산소가 없는 분위기에서 열처리를 실시하고, 연속하여 산소분위기에서 열처리를 실시한다. 캐패시터 유전상수의 감소 없이 누설전류를 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980012079A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960029384

申请日：1996-07-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남갑진

IPC: H01L21/31

公开(公告)号：KR1019980006335A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960024004

申请日：1996-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경훈 ,  남갑진 ,  박인성

IPC: H01L27/108

公开(公告)号：KR102055379B1

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：KR1020130094225

申请日：2013-08-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안태현 ,  나카니시,토시로 ,  남갑진 ,  이종호

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020140119524A

公开(公告)日：2014-10-10

申请号：KR1020130035314

申请日：2013-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백성권 ,  남갑진 ,  김진석 ,  민지영 ,  정은애

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/66621

Abstract: Provided are a semiconductor device and an electronic apparatus adopting the same. The semiconductor device includes a first source/drain region and a second source/drain region arranged in an active region of a semiconductor substrate. A gate structure crossing the active region is arranged. The gate structure is arranged between the first and second source/drain regions. The gate structure includes a first part and a second part on the first part. The gate structure includes a gate electrode arranged on a level lower than the upper side of the active region, an insulation capping pattern formed on the gate electrode, a gate dielectric located between the gate electrode and the active region, and an empty space located between the active region and the second part of the gate electrode.

Abstract translation: 提供一种半导体器件和采用该半导体器件的电子设备。 半导体器件包括布置在半导体衬底的有源区中的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域。 配置与有源区交叉的栅极结构。 栅极结构布置在第一和第二源/漏区之间。 门结构包括第一部分上的第一部分和第二部分。 栅极结构包括布置在低于有源区的上侧的栅极电极，形成在栅电极上的绝缘覆盖图案，位于栅电极和有源区之间的栅极电介质，以及位于 有源区和栅电极的第二部分。

公开(公告)号：KR100678459B1

公开(公告)日：2007-02-02

申请号：KR1020040066929

申请日：2004-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권종완 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  남갑진 ,  최재형 ,  오세훈 ,  박영근 ,  이종철

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/324

Abstract: 향상된 생산성을 갖는 플라즈마 공정을 제공한다. 상기 플라즈마 공정은 플라즈마 공정 챔버 내의 웨이퍼 지지대 상에 반도체 웨이퍼를 위치시키는 것을 구비한다. 상기 반도체 웨이퍼와 상기 웨이퍼 지지대의 밀착성을 향상시키기 위하여 상기 반도체 웨이퍼를 제1 시간 동안 예비 플라즈마에 노출시킨다. 상기 반도체 웨이퍼를 제2 시간동안 가열한다. 상기 반도체 웨이퍼를 공정 플라즈마에 노출시켜 플라즈마 처리한다.
예비 플라즈마 처리, 웨이퍼 가열, 플라즈마 공정, 플라즈마 처리

公开(公告)号：KR100655780B1

公开(公告)日：2006-12-08

申请号：KR1020040108624

申请日：2004-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  박영근 ,  최재형 ,  여재현 ,  최한메 ,  남갑진

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 향상된 유전율을 가지면서도 얇은 두께를 갖는 유전층을 구비하는 플래시 메모리 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 터널 산화막 패턴 및 플로팅 게이트를 순차적으로 형성한 후, 펄스 레이저 증착 공정을 이용하여 플로팅 게이트 상에 유전율을 향상시키기 위하여 III족 전이 금속으로 도핑된 금속 산화물로 이루어진 유전층 패턴을 형성한다. 유전층 상에는 컨트롤 게이트가 형성된다. 스칸듐, 이트륨 또는 란탄과 같은 III족 전이 금속이 도핑된 금속 산화물을 사용하여 크게 향상된 유전율을 가지면서도 현저하게 감소된 두께를 갖는 유전층 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 펄스 레이저 증착 공정으로 표면 균일도 및 치밀성이 향상된 유전층 패턴을 형성하기 때문에, 유전층 패턴으로부터 발생되는 누설 전류를 크게 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100589053B1

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020030071811

申请日：2003-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임기빈 ,  김성태 ,  김영선 ,  남갑진 ,  박인성 ,  정은애 ,  박기연 ,  이승환

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544

Abstract: 소스의 충분한 공급이 가능하면서도, 유지보수가 용이한 소스 공급 장치, 이를 이용한 소스 공급 방법과 원자층 증착방법이 개시되어 있다. 기상 소스가 수용된 소스 보관 용기, 기상 소스 충전 수단, 반응기에 인접한 기상 소스 충전 용기 그리고 소스 충전 용기의 기상 소스를 반응기에 공급하는 소스 공급 수단을 가지는 소스 공급 장치를 제공한다. 또한, 우선 액상 소스를 기상 소스로 기화시키고, 이어서, 기상 소스를 소스 충전용기에 충전시킨 후, 소스 충전용기의 기상 소스를 반응기에 공급하는 과정을 포함하는 소스 공급방법과 이를 이용한 원자층 증착 방법을 제공한다. 소스 공급시간의 연장이나 소스의 변질을 일으킬 수 있는 소스 온도의 상승 없이 짧은 시간에 소스를 충분히 공급할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020060018531A

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：KR1020040066929

申请日：2004-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권종완 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  남갑진 ,  최재형 ,  오세훈 ,  박영근 ,  이종철

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01L21/67098

Abstract: 향상된 생산성을 갖는 플라즈마 공정을 제공한다. 상기 플라즈마 공정은 플라즈마 공정 챔버 내의 웨이퍼 지지대 상에 반도체 웨이퍼를 위치시키는 것을 구비한다. 상기 반도체 웨이퍼와 상기 웨이퍼 지지대의 밀착성을 향상시키기 위하여 상기 반도체 웨이퍼를 제1 시간 동안 예비 플라즈마에 노출시킨다. 상기 반도체 웨이퍼를 상기 제1 시간을 포함하는 제2 시간동안 가열한다. 상기 반도체 웨이퍼를 공정 플라즈마에 노출시켜 플라즈마 처리한다.
예비 플라즈마 처리, 웨이퍼 가열, 플라즈마 공정, 플라즈마 처리