폴리 실리콘막 형성 방법, 이 방법으로 형성된 폴리실리콘막을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
    62.
    发明公开
    폴리 실리콘막 형성 방법, 이 방법으로 형성된 폴리실리콘막을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
    形成聚硅膜的方法,包含使用其形成的多硅膜的薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020050042702A

    公开(公告)日:2005-05-10

    申请号:KR1020030077763

    申请日:2003-11-04

    CPC classification number: H01L29/66757 H01L29/78603 H01L29/78606

    Abstract: 폴리 실리콘막 형성 방법, 이 방법으로 형성된 폴리 실리콘막을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 기판 상에 적층된 제1 열전도막, 상기 제1 열전도막 상에 적층된, 상기 제1 열전도막보다 열전도도가 낮은 제2 열전도막, 상기 제2 열전도막과 상기 제2 열전도막 양쪽의 상기 제1 열전도막 상에 적층된 폴리 실리콘막 및 상기 제2 열전도막을 덮는 상기 폴리 실리콘막 상에 적층된 게이트 적층물을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 제2 열전도막은 상기 제1 열전도막 상에 형성되는 대신, 상기 제1 열전도막의 일부와 대체될 수 있다. 상기 폴리 실리콘막은 상기 제1 및 제2 열전도막 상에 형성된 비정질 실리콘막에 엑시머 레이저광을 한번 조사하여 형성한 것이다. 또한, 상기 게이트 적층물은 상기 폴리 실리콘막의 채널영역으로 사용된 부분의 아래쪽에 구비될 수 있다.

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