표시 소자
    63.
    发明公开
    표시 소자 审中-实审
    显示设备

    公开(公告)号:KR1020160088788A

    公开(公告)日:2016-07-26

    申请号:KR1020150161198

    申请日:2015-11-17

    Abstract: 기판, 상기기판상에배치되어제 1 방향으로연장되는제 1 도전라인, 상기제 1 도전라인상에배치되고상기제 1 방향과교차하는제 2 도전라인으로연장되는제 2 도전라인, 및서로교차되는상기제 1 도전라인및 상기제 2 도전라인사이에연결되는화소부를포함하는표시소자를제공하되, 상기화소부는상기제 1 도전라인상에배치되는선택다이오드, 및상기선택다이오드상에배치되는표시층을포함하고, 상기표시층은상전이(phase transition) 물질을포함할수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种显示装置,其具备基板,配置在基板上并沿第一方向延伸的第一导线,配置在第一导线上并与第一方向交叉的第二导线,以及像素 连接在彼此相交的第一导电线和第二导线之间的部分。 因此,可以提供包括相变材料的显示装置。

    홀로그래픽 표시 장치 및 그 제조 방법
    64.
    发明公开
    홀로그래픽 표시 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
    全景显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160088472A

    公开(公告)日:2016-07-26

    申请号:KR1020150007299

    申请日:2015-01-15

    CPC classification number: G03H1/12

    Abstract: 홀로그래픽표시장치는광을출사하는광원부및 공간광 변조기를포함할수 있다. 상기공간광 변조기는상기광원부에서출사된광의위상및 진폭중 적어도하나를변조하여홀로그램영상을출력할수 있다. 상기공간광변조기는기판및 상기기판상에적층된복수의광 변조층들을포함할수 있다. 상기복수의광 변조층들은굴절률, 두께, 및투명도중 적어도하나가서로상이할수 있다.

    Abstract translation: 全息显示装置包括:用于发光的光源单元; 和空间光调制器。 空间光调制器可以通过调制由光源单元发射的光的相位和幅度中的至少一个来输出全息图像。 空间光学调制器包括基板和堆叠在基板上的多个光学调制层。 光调制层的折射率,厚度和透明度中的至少一个可以是不同的。

    복소 공간 광 변조기의 제조 방법
    65.
    发明公开
    복소 공간 광 변조기의 제조 방법 有权
    复合空间光调制器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150129938A

    公开(公告)日:2015-11-23

    申请号:KR1020140056633

    申请日:2014-05-12

    Abstract: 본발명은공간광 변조기및 그제조방법을제공한다. 이공간광 변조기의구조는기판상에제공되는박막트랜지스터층, 상기박막트랜지스터층과전기적으로연결되는진폭형공간광 변조기및 위상형공간광 변조기, 및상기위상형공간광 변조기상에제공되는제 1 편광기를포함하고, 상기박막트랜지스터층은상기진폭형공간광 변조기와상기위상형공간광 변조기각각과전기적으로연결되는트랜지스터들을포함하고, 상기진폭형공간광 변조기와상기위상형공간광 변조기는상기박막트랜지스터층과공통으로전기적으로연결되어구동할수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种复杂的空间光调制器及其制造方法。 空间光调制器的结构包括设置在基板上的薄膜晶体管层,电连接到薄膜晶体管层的振幅型空间光调制器和相位型空间光调制器,以及第一偏振器, 提供在相位型空间光调制器上。 薄膜晶体管层包括电连接到幅度型空间光调制器和相位型空间光调制器的晶体管。 幅度型空间光调制器和相位型空间光调制器共同电连接到薄膜晶体管层。

    비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법
    67.
    发明授权
    비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 有权
    非挥发性记忆体及其制造方法

    公开(公告)号:KR101343569B1

    公开(公告)日:2013-12-20

    申请号:KR1020100029135

    申请日:2010-03-31

    Abstract: 본기술은비휘발성메모리셀 및그 제조방법에관한것이다. 본기술은비휘발성메모리셀에있어서, 기판상에형성된반도체막, 버퍼막, 유기강유전체막및 게이트전극을포함하는메모리트랜지스터; 및상기기판상에형성된상기반도체막, 상기버퍼막, 게이트절연막및 상기게이트전극을포함하는구동트랜지스터를포함한다. 본기술에따르면, 동일한기판상에형성된메모리트랜지스터및 구동트랜지스터를구비하며, 가시광영역에서투명한비휘발성메모리셀을제공할수 있다.

    유기 강유전체 박막을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법
    68.
    发明授权
    유기 강유전체 박막을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법 失效
    使用有机电磁薄膜的非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR101211070B1

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:KR1020090040094

    申请日:2009-05-08

    CPC classification number: G11C11/16

    Abstract: 본발명은비휘발성메모리소자의제조방법에대한것으로서, 이방법은기판상에전도성박막층또는반도체박막층을형성하는단계, 상기전도성박막층또는반도체박막층상부에유기강유전체박막층을형성하는단계, 상기유기강유전체박막층을소정의형태로패터닝하는단계및 상기패터닝된 유기강유전체박막층상부에상부전극층을형성하는단계를포함한다. 따라서, 본발명에따른투명및 유연비휘발성메모리소자는 P(VDF-TrFE) 유기물강유전체박막층으로구성하고, 유기강유전체박막층의내약품성및 공정의존성을고려한소자의제조방법을제공함으로써, 저온공정이가능하고, 저렴하게제작이가능한투명및 유연비휘발성메모리소자를실현할수 있다.

    적층형 유기 전기 발광 소자
    69.
    发明公开
    적층형 유기 전기 발광 소자 无效
    堆叠式有机发光装置

    公开(公告)号:KR1020110045569A

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:KR1020090102202

    申请日:2009-10-27

    CPC classification number: H05B33/0896 H01L27/3202 H01L27/3209 H01L51/5036

    Abstract: PURPOSE: A stacked organic light emitting device is provided to connect unit light emitting units in parallel, thereby operating with a lower operating voltage than a serially stacked organic light emitting device. CONSTITUTION: A first light emitting unit(130a) and a second light emitting unit(130b) are formed on the upper/lower parts of a first electrode(120). A second electrode(140a) and a third electrode(140b) are formed on the lower part of the first light emitting unit and the upper part of the second light emitting unit respectively. An operation controller(200) is electrically connected to a first electrode, a second electrode, and a third electrode. The operation controller includes a first voltage adjusting unit(230a) and a second voltage adjusting unit(230b). The second voltage adjusting unit adjusts the voltage applied to the third electrode.

    Abstract translation: 目的:提供叠层的有机发光装置以并联连接单元发光单元,从而以比串联堆叠的有机发光装置更低的工作电压进行操作。 构成:在第一电极(120)的上部/下部形成第一发光单元(130a)和第二发光单元(130b)。 第二电极(140a)和第三电极(140b)分别形成在第一发光单元的下部和第二发光单元的上部。 操作控制器(200)电连接到第一电极,第二电极和第三电极。 操作控制器包括第一电压调节单元(230a)和第二电压调节单元(230b)。 第二电压调整单元调节施加到第三电极的电压。

    산화물 박막 트랜지스터를 이용한 레벨 시프터를 포함하는 스캔 구동회로
    70.
    发明公开
    산화물 박막 트랜지스터를 이용한 레벨 시프터를 포함하는 스캔 구동회로 有权
    使用氧化物层的水平移位器和具有水平位移的扫描驱动电路

    公开(公告)号:KR1020110043265A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:KR1020090100304

    申请日:2009-10-21

    Abstract: PURPOSE: A level shifter using oxide TFTs and a scan driving circuit with the same are provided to certainly turn an oxide TFT off in an idle state, thereby reducing unnecessary power consumption. CONSTITUTION: A pull down unit is made of a plurality of N type oxide TFTs which pull an output signal down to a ground voltage according to a non-inversion input signal. A pull up unit(300B) is made of a plurality of N type oxide TFTs which pull the output signal down to a power voltage according to the non-inversion input signal. The N type oxide TFTs configuring the pull up unit are connected in a latch structure. The N type oxide TFTs pull the output signal up to the power voltage.

    Abstract translation: 目的:提供使用氧化物TFT的电平移位器和具有该电位移位器的扫描驱动电路,以确保在空闲状态下关闭氧化TFT,从而减少不必要的功耗。 构成:下拉单元由多个N型氧化物TFT制成,其根据非反相输入信号将输出信号拉低至接地电压。 上拉单元(300B)由多个N型氧化物TFT制成,其根据非反相输入信号将输出信号拉到电源电压。 构成上拉单元的N型氧化物TFT以闩锁结构连接。 N型氧化物TFT将输出信号拉至电源电压。

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