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公开(公告)号：KR1019970030094A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950045014
申请日：1995-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 박막공정을 이용한 진공소자에 관한 것으로서, 종래 기술에서 방출전극과 게이트 전극간의 간격이 최소 패턴의 크기 보다 크고, 그에 따라 최소 패턴의 미세화에 대한 부담이 가중되어, 고가의 미세패턴 형성용 장비가 요구됨에 따라 균일한 간격을 형성하기도 매우 어려운 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 반도체 기판 위에 소정 패턴에 상응한 방출전극을 형성하기 위해 제1산화막을 형성하는 공정과, 제1산화막을 마스크로하여 반도체 기판을 원뿔 형태의 기둥으로 식각하는 공정과, 기둥의 표면을 열산화에 의해 제1열산화막을 형성하되 기둥이 원뿔형태의 팁이 되도록 형성한 후 반도체 기판 상면 및 기둥의 상면에 제2산화막을 형성하는 공정과, 제2산화막의 표면 및 기둥의 상면에 형성된 제1열산화막의 상면을 따라 스퍼터링법에 의해 게이트 전극을 형성한 후, 제1산화막, 기둥 상부의 제2산화막, 게이트 전극 하부면에 제2산화막의 일부분을 식각하여 원뿔형태의 팁이 형성된 것을 특징이다.
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公开(公告)号：KR1019970012950A
公开(公告)日：1997-03-29
申请号：KR1019950024217
申请日：1995-08-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J31/12
Abstract: 본 발명은 진공소자의 제조방법에 관한 것으로 반도체 기판의 소정 부분에 질화막을 형성한 후 이용하여 반도체 기판의 노출된 부분을 500∼10000 정도의 깊이로 등방성 또는 이방성으로 식각한 후 질화막이 형성되지 않은 반도체 기판의 노출된 부분을 열산화하여 형성된 필드 산화막을 이용하여 반도체 기판이 산화되지 않은 부분을 건식 방법에 의해 500∼20000 정도의 깊이로 선택적으로 등방성 식각하여 입구가 500∼20000 정도의 지름을 갖는 홀을 형성하고 이 홀의 내부에 팁을 형성한다.
따라서, 필드 산화막의 가장자리 부분이 두껍기 때문에 홀의 형성시 입구의 지름이 균일하게 형성할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019950021733A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028266
申请日：1993-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 진공 또는 대기등의 기체에서 인접한 두개의 전극사이에 전계를 인가하여 전자를 방출시키는 유도방출법과 물질의 표면에 임계에너지 이상의 광을 조사하여 전자를 방출시키는 광전효과를 이용한 것으로서, 두개의 박막형의 전극을 형성하고 이 전극을 방출전극, 수전전극으로 사용하고 임계에너지 이상의 광을 방출하여 게이트의 동작을 수행하게 제작된 박막형 광게이트를 이용한 트랜지스터 구조에 관한 것으로서, 그 구성은 모스 트랜지스터와 소오스와 같은 기능의 방출전극(6), 방출된 전자를 수집하는 수전전극(7) 그리고 방출전극의 표면에 광을 조사하기 위한 광원으로 구성되어서, 광게이트의 구동속도가 곧 트랜지스터의 동작속도가 되어 고속의 동작특성을 나타내며, 더우기 광의 세기를 변화시켜 전류의 세기를 변화시킬 수 있 증폭의 특성을 나타내어 광논리 회로의 기본소자로 응용이 기대된다.
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公开(公告)号：KR1019940016583A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920025029
申请日：1992-12-22
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 반도체 기판상에 유전체막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 염소를 기판과 SiO
2 막의 계면에 주입되게 하는 유전체막 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 SiO
2 막을 형성할때 산화과정의 마지막 단계에서 3~5분간 O
2 가스에 대한 분율 1~3%정도의 TCA(C
2 H
3 CI
3 ) 또는 TCE(C
2 HCI
3 )와 O
2 가스 또는 O
3 가스의 혼합 가스에서 상기 SiO
2 막을 형성하여 상기 실리콘기판과 SiO
2 막 사이의 계면에 Cl가 축적되게 하는 것을 특징으로 하는 유전체막의 형성방법이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019920022557A
公开(公告)日：1992-12-19
申请号：KR1019910008805
申请日：1991-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR1019920001916B1
公开(公告)日：1992-03-06
申请号：KR1019890010538
申请日：1989-07-25
IPC: H01L27/108
Abstract: The DRAM cells having trench type storage capacitors are layerd and structured using separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon on insulation (SOI) to improve layout efficiency and to reduce leakage current. The method includes: (A) depositing storage capacitors on a trench (22) formed inside of a substrate (31); (B) forming heavily doped polycrystal silicon plug (47) and P silicon layer (48) to form electrodes of the storage capacitor; (C) forming gate electrodes and word lines (24) on gate silicon dioxide layer (50) to form a translation transistor; (D) isolating activated regions using field dioxide layer (49); (E) forming contack (27) through silicon dioxide (53) to connect the drain (52) to metal lead wire or bit line (28).
Abstract translation: 具有沟槽型存储电容器的DRAM单元通过使用绝缘（SOI）上的注入氧（SIMOX）硅分离而分层并结构化，以提高布局效率并减少泄漏电流。 该方法包括：（A）在形成在衬底（31）内部的沟槽（22）上沉积存储电容器; （B）形成重掺杂多晶硅插头（47）和P硅层（48）以形成存储电容器的电极; （C）在栅极二氧化硅层（50）上形成栅电极和字线（24）以形成平移晶体管; （D）使用二氧化碳层（49）分离活化区域; （E）通过二氧化硅（53）形成接头（27），以将漏极（52）连接到金属引线或位线（28）。
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公开(公告)号：KR1020040036410A
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020020065430
申请日：2002-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An infrared detecting pixel is provided to facilitate fabrication of the structure of a detection part and maximize an effective detecting area by separating the detection part from a substrate having a read-out integrated circuit by a gap and by electrically connecting electrodes of the detection part and the read-out integrated circuit by a pillar. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) includes the read-out integrated circuit. The detection part detects infrared rays, located over the semiconductor substrate and spatially separated from the substrate. A plurality of support units have a dual cylinder structure made of outer insulation pillars(104a,104b) and inner conductive bridges(106a,106b), connecting the semiconductor substrate with the detection part. A signal detected by the detection part is delivered to the read-out integrated circuit of the semiconductor substrate through the conductive bridge.
Abstract translation: 目的：提供一种红外线检测像素，以便于制造检测部件的结构，并通过将检测部分与具有读出集成电路的基板间隔开来并通过电连接检测电极而使检测部分分离，从而使检测部分最大化 部分和读出的集成电路由一个支柱。 构成：半导体衬底（100）包括读出的集成电路。 检测部分检测位于半导体衬底上并与衬底空间分离的红外线。 多个支撑单元具有由外绝缘柱（104a，104b）和内导电桥（106a，106b）制成的双圆筒结构，其将半导体衬底与检测部分连接。 由检测部检测的信号通过导电桥传送到半导体基板的读出集成电路。
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公开(公告)号：KR1019990084635A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016541
申请日：1998-05-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 분야에 관한 것으로, 특히 하나의 트랜지스터로 하나의 메모리 셀의 구성이 가능한 강유전체 트랜지스터 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명은 동작 전압을 감소시키며, 우수한 강유전체 특성을 확보할 수 있는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자를 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 위하여 본 발명은 강유전체 박막을 게이트 유전막으로 채택한 비파괴 독출형 전계효과 트랜지스터를 단위 셀로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자를 구현함에 있어서, 강유전체 박막과 기판 사이에 절연막/고유전체 박막을 채용하여 기판과의 계면 특성을 향상시키고 불순물의 상호 확산을 방지하며 동작 전압을 감소시킬 수 있다. 또한, 강유전체 박막과 기판 사이에 절연막/전도성 산화막을 채용하여 강유전체 박막의 결정 특성 및 피로(fatigue) 특성을 개선하였다. 이와 더불어 본 발명은 상기한 게이트 구조를 덮는 보호막을 채용하여 강유전체 박막을 이루는 원소의 휘발에 의한 소자의 열화를 방지하였다.
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公开(公告)号：KR100211947B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019960012717
申请日：1996-04-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/739
Abstract: 본 발명은 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터를 제조시 채널영역의 손상을 방지하기 위해서 채널영역에 하부 규소산화막과 규소질화막 및 상부 규소산화막으로 이루어진 다층절연층을 형성하여 두고, 이후 CMP에 의해 다결정규소 소오스/드레인을 형성할 때 채널에 식각손상을 방지함과 아울러 이들의 확산층을 형성하여 상기 다층 절연층에 의해 상기 다결정규소 소오스/드레인 및 확산층을 형성할 때 채널영역의 산화를 방지하는 모스 트랜지스터의 제조방법 및 동일한 방법을 적용하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터 구조를 제공함에 특징이 있다.
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