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    LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
    61.
    发明申请
    LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019115521A1

    公开(公告)日：2019-06-20

    申请号：PCT/EP2018/084352

    申请日：2018-12-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LINKOV, Alexander ,  HALBRITTER, Hubert

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (100) angegeben, das einen Licht emittierende Halbleiterchip (1) mit einer Hauptoberfläche (10), die Strahlungsauskoppelfläche aufweist, über die im Betrieb ein erstes Licht (91) in einem ersten Wellenlängenbereich abgestrahlt wird, aufweist. Auf einem ersten Teilbereich (11) der Hauptoberfläche ist eine Wellenlängenkonversionsschicht (2) zur Konversion zumindest eines Teils des ersten Lichts in zweites Licht (92) in einem zweiten, vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich aufgebracht. Ein optisches Rückkoppelelement (3) ist unmittelbar auf einem zum ersten Teilbereich benachbarten zweiten Teilbereich (12) der Hauptoberfläche aufgebracht, wobei das optische Rückkoppelement erstes Licht, das vom zweiten Teilbereich abgestrahlt wird, in Richtung der Strahlungsauskoppelfläche und/oder in Richtung der Wellenlängenkonversionsschicht umlenkt.

    VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER LASERVORRICHTUNG UND LASERVORRICHTUNG
    62.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER LASERVORRICHTUNG UND LASERVORRICHTUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019115245A1

    公开(公告)日：2019-06-20

    申请号：PCT/EP2018/083020

    申请日：2018-11-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENZMANN, Roland Heinrich ,  HALBRITTER, Hubert ,  KLEIN, Michael

    IPC: H01S5/042 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zum Betreiben einer Laservorrichtung (100) mit mehreren unabhängig voneinander ansteuerbarer Laserdioden (1), wobei angesteuerte Laserdioden jeweils mit einem Betriebsstrom (I) betrieben werden, und wobei jede Laserdiode für einen bestimmungsgemäßen Betrieb in einem Sollstrombereich (ΔI) betreibbar ist, wird ein Schritt A) ausgeführt, in dem ein Eingangsstrom (I_0) oder eine Eingangsspannung (U_0) an die Laservorrichtung angelegt wird. Ferner wird ein Schritt B) ausgeführt, in dem ein Kennwert ermittelt wird, der repräsentativ für eine Anzahl N an Laserdioden ist, die mit dem im Schritt A) angelegten Eingangsstrom oder mit der im Schritt A) angelegten Eingangsspannung im jeweiligen Sollstrombereich betrieben werden kann. Falls der Kennwert repräsentativ für N ≥ 1 ist, werden in einem Schritt C) M Laserdioden derart angesteuert, dass die M Laserdioden jeweils im Sollstrombereich betrieben werden, wobei 1 ≤ M ≤ N gewählt wird.

    HALBLEITERLASER-BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASER-BAUTEILS
    63.
    发明申请
    HALBLEITERLASER-BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASER-BAUTEILS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018219687A1

    公开(公告)日：2018-12-06

    申请号：PCT/EP2018/063069

    申请日：2018-05-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WOJCIK, Andreas ,  HALBRITTER, Hubert ,  SCHWARZ, Thomas

    IPC: H01S5/022 ,  H01S5/028 ,  H01L23/00

    Abstract: Es wird ein Halbleiterlaser-Bauteil angegeben, mit -einem Halbleiterchip (1), der dazu eingerichtet ist, Laserstrahlung (6) zu emittieren, -einer Umhüllung (2), die elektrisch isolierend ist und den Halbleiterchip (1) stellenweise bedeckt, und -einer Verbindungschicht (3), die den Halbleiterchip (1) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussstelle (43a) verbindet, wobei -der Halbleiterchip (1) eine Deckfläche (1a), eine Bodenfläche (1b), eine erste Stirnfläche (1c), eine zweite Stirnfläche (1d), eine erste Seitenfläche (1e) und eine zweite Seitenfläche (1f) umfasst, -die erste Stirnfläche (1c) zur Auskopplung der Laserstrahlung (6) eingerichtet ist, -die Umhüllung (2) den Halbleiterchip (1) zumindest stellenweise an der Deckfläche (1a), der zweiten Stirnfläche (1d), der ersten Seitenfläche (1e) und der zweiten Seitenfläche (1f) bedeckt, und -die Verbindungschicht (3) auf der Umhüllung (2) von der Deckfläche (1a) zur ersten Anschlussstelle (43a) verläuft.

    LUMINESZENZDIODE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    64.
    发明申请
    LUMINESZENZDIODE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
    发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号：WO2018007320A1

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：PCT/EP2017/066505

    申请日：2017-07-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RUPPRICH, Christoph ,  RUDOLPH, Andreas ,  HALBRITTER, Hubert

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/08

    Abstract: Es wird eine Lumineszenzdiode (100) für den infraroten Spektralbereich beschrieben, umfassend - ein Trägersubstrat (13), - eine erste Halbleiterschichtenfolge (1), die eine zur Emission von Strahlung mit einer ersten dominanten Wellenlänge λ dom 1 geeignete erste aktive Schicht (4a) aufweist, - eine zweite Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Emission von Strahlung mit einer zweiten dominanten Wellenlänge λ dom2 geeignete zweite aktive Schicht (4b) aufweist, wobei - die erste Halbleiterschichtenfolge (1) und die zweite Halbleiterschichtenfolge (2) nebeneinander auf dem Trägersubstrat (13) angeordnet sind, und - die dominante Wellenlänge λ dom1 der ersten aktiven Schicht (4a) und die dominante Wellenlänge λ dom2 der zweiten aktiven Schicht (4b) voneinander verschieden sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung der Lumineszenzdiode (100) beschrieben.

    Abstract translation: 描述了用于红外光谱范围的发光二极管（100），其包括： - 载体衬底（13）; - 第一半导体层序列（1），其中一个用于发射具有第一半导体层 主波长λ1/2具有合适的第一有源层（4a）， - 第二半导体层序列（2），其包括用于发射具有第二主波长（2）的辐射的第二半导体层序列（2）。 λ2具有合适的第二有源层（4b），其中 - 所述第一半导体层序列（1）和所述第二半导体层序列（2）并排布置在所述载体衬底（13）上，并且 - 第一有源层（4a）的波长λ和第二有源层（4b）的主波长λ

    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG
    66.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
    亚光电子设备

    公开(公告)号：WO2012139662A1

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：PCT/EP2011/056041

    申请日：2011-04-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HALBRITTER, Hubert

    Inventor： HALBRITTER, Hubert

    IPC: G01S7/481 ,  G01S17/02

    CPC classification number: H01L31/167 ,  G01S7/4813 ,  G01S17/026 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/173 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird eine optoelektronische Vorrichtung (1) mit einem optoelektronischen Bauelement (21), das zum Empfangen oder zum Erzeugen von Strahlung vorgesehen ist und eine Hauptstrahlungsdurchtrittsfläche (210) aufweist, angegeben, wobei dem Bauelement eine Apertur (51) zugeordnet ist, die einen Strahlungskegel (71) für die durch die Hauptstrahlungsdurchtrittsfläche hindurchtretende Strahlung definiert, und die Apertur eine Innenfläche (510) mit einem von der Hauptstrahlungsdurchtrittsfläche weg geneigten Bereich (61) aufweist.

    Abstract translation: 它是一种光电器件（1）的光电元件（21），其被设置用于接收或用于产生辐射，并且指定（210）的主辐射穿透表面，其中，所述部件具有一个孔（51）相关联，包括一个辐射锥 定义（71），用于穿过所述主辐射穿透面辐射，并具有具有倾斜从主辐射穿透的表面积（61）远的内表面（510）的孔。

    BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG
    68.
    发明申请
    BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022253851A1

    公开(公告)日：2022-12-08

    申请号：PCT/EP2022/064802

    申请日：2022-05-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  JENTZSCH, Bruno

    IPC: H01S5/00 ,  F21S41/176

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungseinrichtung mit einem Gehäuse mit Lichtaustrittsbereich (16) und einem unterhalb des Lichtaustrittsbereichs (16) angeordneten Montageelement (14). Ein Konversionselement (12) ist auf dem Montagelement (14) angeordnet und ausgebildet, Pumplicht in einem Oberflächenbereich (13) des Konversionselements (12) in Abstrahllicht zu wandeln und über den Oberflächenbereich abzustrahlen (13). Zwei oberflächenemittierende Laservorrichtung (10a, 10b, 10c, 10d) zur Erzeugung des Pumplichts, sind auf dem Montagebereich einander gegenüberliegend und seitlich versetzt zu dem Lichtaustrittsbereich angeordnet und beabstandet zu dem Konversionselement (12) und von diesem beabstandet angeordnet. Ein mit dem Gehäuse verbundenes Reflektorelement (20) ist welches oberhalb Laservorrichtungen angeordnet und ausgebildet, das von den Laservorrichtungen (10a, 10b) abgegebene Pumplicht auf den Oberflächenbereich zu reflektieren. Das Montageelement (14) dient zu einer Wärmeabführung der erzeugten Wärme bei gleichzeitig weitgehender thermischen Entkopplung zu dem Konversionselement (14).

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