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公开(公告)号:CN106548982A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610806026.4
申请日:2016-09-06
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/025 , B81C1/00301 , B81C1/00817 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L43/02 , H01L43/12 , H01L21/82 , B81B7/02 , B81C1/00261 , B81C2201/0174 , H01L27/0207
Abstract: 在单个半导体装置中集成不同传感器。在一些实施例中,一种制造传感器系统的方法可包括:形成具有衬底层(28)和位于所述衬底层的第一侧上的第一传感器(30、32、34)的第一结构20);在所述衬底层的所述第一侧上的所述第一传感器上方接合顶盖结构(24);以及在所述顶盖结构上方沉积第一介电层(131)。在接合所述顶盖结构和沉积所述第一介电层之后,在所述第一介电层上制造第二传感器(124、126、128)。所述第二传感器包括在用于将所述顶盖结构接合到所述衬底层的所述第一侧的温度下将受不利影响的材料。
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公开(公告)号:CN103733304B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201280037056.3
申请日:2012-06-29
Applicant: 因文森斯公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L1/144 , G01L1/148 , G01L5/0028 , G01L9/0072 , G01L15/00 , G01L19/0092 , G01L19/0636 , G01L19/148 , G01L27/007
Abstract: 在此披露了一种用于为MEMS设备提供集成电子器件的系统和方法。该MEMS设备包括一个集成电路衬底和一个耦联到该集成电路衬底上的MEMS子组件。该集成电路衬底包括耦联到至少一个固定电极上的至少一个电路。该MEMS子组件包括通过平版印刷工艺形成的至少一个压铆螺母柱、一个带有顶面和底面的柔性板、以及一个耦联到该柔性板上并且电耦联到该至少一个压铆螺母柱上的MEMS电极。作用在该柔性板上的一个力引起该MEMS电极与该至少一个固定电极之间的一个间隙的变化。
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公开(公告)号:CN103373695B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201210390963.8
申请日:2012-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0018 , B81B3/0067 , B81B3/007 , B81B7/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B7/0029 , B81B7/0041 , B81B7/0051 , B81B7/0058 , B81B2201/0228 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00 , B81C1/00293 , B81C1/00325 , B81C2203/0118
Abstract: 本发明涉及MEMS器件结构及其形成方法。其中,一种微机电系统(MEMS)器件可以包括在第一衬底上方的MEMS结构。MEMS结构包括中心静态元件、可移动元件和外静态元件。在中心静态元件与第一衬底之间的接合材料部分。在MEMS结构上方的第二衬底而介电层的部分在中心静态元件与第二衬底之间。支撑柱包括接合材料部分、中心静态元件和电介质材料部分。
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公开(公告)号:CN102530823B
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201110459495.0
申请日:2011-11-23
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Inventor: R·D·霍尔宁
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0041 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C2201/019 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于四层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)装置的系统和方法。在一个实施例中,一种系统包括第一双芯片,其包括第一基层;接合到第一基层的第一器件层,第一器件层包括第一组MEMS器件;以及接合到第一器件层的第一顶层,其中第一组MEMS器件被密封地隔离。该系统还包括第二双芯片,其包括第二基层;接合到第二基层的第二器件层,第二器件层包括第二组MEMS器件;以及接合到第二器件层的第二顶层,其中第二组MEMS器件被密封地隔离,其中第一顶层的第一顶表面接合到第二顶层的第二顶表面。
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公开(公告)号:CN105314589A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510328917.9
申请日:2015-06-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B7/007 , B81B2201/025 , B81B2207/092
Abstract: 一种微机械构件包括传感器芯片和与所述传感器芯片连接的盖芯片。在所述传感器芯片和所述盖芯片之间构造空腔。所述传感器芯片具有布置在所述空腔中的活动元件。所述盖芯片具有布线层,所述布线层具有导电电极。所述盖芯片具有布置在所述空腔中的吸气元件。
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公开(公告)号:CN105222766A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201510372392.9
申请日:2015-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5776 , B81B7/02
CPC classification number: G01C19/5712 , B81B3/0018 , B81B3/0086 , B81B2201/025 , B81B2203/0163 , G01C19/5733 , G01C19/5747 , G01C19/5776 , B81B7/02
Abstract: MEMS设备具有通过第一弹性元件弹性地承载悬挂质量块的支撑区域。调谐动态吸收器弹性耦合到悬挂质量块,并且被配置为使以动态吸收器的自然振荡频率作用于悬挂质量块上的正交力减幅。调谐动态吸收器由通过第二弹性元件耦合到悬挂质量块的阻尼质量块形成。在实施例中,悬挂质量块和阻尼质量块形成在例如半导体材料的同一结构层中,并且阻尼质量块被悬挂质量块围绕。
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公开(公告)号:CN104022084A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201410069666.2
申请日:2014-02-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 小林知永
IPC: H01L23/02
CPC classification number: H05K3/00 , B81B2201/025 , B81C1/0023 , G01C19/5733 , G01P1/023 , G01P15/125 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H05K1/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种同时具有平面的面积的缩小化与薄型化的小型的电子设备的模块。本发明所涉及的电子设备的模块(1)具备:作为第一基材的绝缘基板(2);作为第二基材的盖部件(5),在所述盖部件(5)与绝缘基板(2)之间具有作为内部空间的、空洞部(21)以及第二凹部(51),并且在所述盖部件(5)的第一面上与绝缘基板(2)相接合;作为第一功能元件的元件片(3),其被收纳于该内部空间中;凹部(52),其被设置在盖部件(5)的与第一面成表里关系的第二面上;作为第二功能元件的半导体元件(82),其被连接在凹部(52)内。
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公开(公告)号:CN103765579A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201280032667.9
申请日:2012-06-29
Applicant: 村田电子有限公司
Inventor: 海基·库斯玛
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/036 , B81B2207/012 , B81B2207/095 , B81C1/00333 , G01C19/5783 , G01L19/0084 , G01L19/148 , G01P1/023 , G01P1/026 , G01P15/0802 , H01L21/568 , H01L23/528 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14618 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/8312 , H01L2224/8319 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及制造系统级封装器件的方法以及系统级封装器件。在该方法中,将至少一个具有预定尺寸的第一类管芯、至少一个具有预定尺寸的第二类管芯以及系统级器件的至少一个其它部件包含到系统级封装器件中。选择所述第一类管芯和所述第二类管芯中的至少一者以用于重定尺寸。向所选择的管芯的至少一侧添加材料,使得所添加的材料和所选择的管芯形成重定尺寸的管芯结构。在所述重定尺寸的管芯结构上形成连接层。对所述重定尺寸的管芯结构进行定尺寸,以允许将未被选择的管芯以及所述至少一个其它部件安装成经由所述连接层与所述重定尺寸的管芯结构接触。
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公开(公告)号:CN103663359A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310583569.0
申请日:2013-09-23
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2201/025 , B81C1/00182 , G01P15/124 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提出一种微电子构件和相应的制造方法。该微电子构件包括一半导体衬底(1;1a),其具有正面(O)和背面(R);一在所述衬底(1)的正面(O)上的可弹性偏转的质量装置(M);至少一个设置在所述质量装置(M)中或上的源区(10;10′);至少一个设置在所述质量装置(M)中或上的漏区(D1-D4;D1′-D10′)和一在所述源区(10,10′)和所述漏区(D1-D4;D1′-D10′)上面悬挂在一印制电路系统(LBA)上的栅区(20;20′),所述栅区通过一间隙(100)与所述质量装置(M)间隔开。所述印制电路系统(LBA)这样地在所述衬底(1)的正面(O)上锚固在所述质量装置(M)的周边(P)上,使得在所述质量装置(M)偏转时所述栅区(20;20′)保持固定。
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公开(公告)号:CN103288037A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201310061342.X
申请日:2013-02-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/025
Abstract: 本发明提出了一种微机械传感器装置和一种相应的制造方法以及一种相应的应用。所述微机械传感器装置包括:衬底(S1;S1;S1’),其具有前侧(V;V1;V1’)和背侧(R;R1;R1’);其中在前侧(V;V1;V1’)上集成第一微机械传感器装置(M1),而在背侧(R;R1;R1’)上集成第二微机械传感器装置(M2)。
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