公开(公告)号：CN102183677A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110061470.5

申请日：2011-03-15

Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司

Inventor： 柳连俊

IPC: G01P15/125 ,  G01P3/44 ,  G01L1/14 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P15/02 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: 一种集成惯性传感器与压力传感器及其形成方法，其中集成惯性传感器与压力传感器包括：第一衬底，第二衬底和第三衬底；位于第一衬底的第一表面的至少一层或者多层导电层；惯性传感器的可移动敏感元素，采用第一区域的第一衬底形成；所述第二衬底与第一衬底上的导电层的表面结合；所述第三衬底与第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素的一侧结合，且所述第三衬底和第二衬底位于所述可移动敏感元素的相对两侧；敏感薄膜至少包括第二区域的第一衬底、或者导电层中的一层。通过采用第一衬底形成惯性传感器的可动电极、采用第一衬底或者导电层形成压力传感器的敏感薄膜，形成的集成压力传感器和惯性传感器的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。

公开(公告)号：CN102183334A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110039698.4

申请日：2011-01-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·考奇 ,  M·米勒 ,  D·梅因霍尔德 ,  B·罗萨姆 ,  K·埃利安 ,  S·科尔布

IPC: G01L9/12

CPC classification number: B81C1/00071 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0042

Abstract: 一种用于提供压力传感器衬底的方法包括：创建第一空腔，所述第一空腔在衬底内部在与衬底的主表面垂直的第一方向上延伸并且在衬底内部在与第一方向垂直的第二方向上延伸进入衬底的第一通气区域；创建第二空腔，所述第二空腔在衬底内部在第一方向上延伸，在第二方向上平行于第一空腔延伸，并且不延伸进入第一通气区域；以及将第一空腔开口于第一通气区域中。

公开(公告)号：CN101616863A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200880003036.8

申请日：2008-01-23

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： L·巴尔多 ,  C·康比 ,  M·F·科特斯

IPC: B81B7/00 ,  G01L13/02 ,  G01L9/00 ,  G01D11/24

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/0154 ,  G01L19/141 ,  G01L19/147 ,  G01L19/148 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 电子器件(1，1a，1b，1c，1d，1e)包括：衬底(2)，其设有至少一个通行开口(5)；MEMS器件(7)，其具有设有第一及第二表面(9，10)的差动传感器的功能和具有包括至少一个对与其第一作用表面及第二相对作用表面(11a，11b)相一致存在的流体的化学和/或物理变化敏感的部分(11)的类型的功能，该MEMS器件(7)的第一表面(9)使第一作用表面(11a)暴露并且使第二表面(10)设有暴露着第二相对作用表面(11b)的另一开口(12)，该电子器件(1，1d，1e)特征在于MEMS器件(7)的第一表面(9)面向衬底(2)并且与其隔开一段确定距离，敏感部分(11)与衬底(2)的通行开口(5)对准，以及特征在于其还包括：保护性封装(14，14a，14b)，其至少部分地合并MEMS器件(7)与衬底(2)以便使第一作用表面及第二相对作用表面(11a，11b)分别通过衬底(2)的通行开口(5)和第二表面(10)的另一开口(12)而暴露。

公开(公告)号：CN101119924A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200580048189.0

申请日：2005-12-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·伊林 ,  H·韦伯 ,  C·舍林 ,  H·施塔尔 ,  S·魏斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明描述了一种用于制造微机械膜片传感器的方法以及一种借助所述方法制造的微机械膜片传感器。在此规定，微机械膜片传感器具有至少一个第一膜片和一个基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外还规定，微机械膜片传感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。

公开(公告)号：CN101081691A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710086046.X

申请日：2007-01-17

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： G·C·布朗 ,  C·H·拉恩

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/06

Abstract: 提供一种电隔离MEMS器件的方法。在一个实例中，具有暴露的硅区的压敏电阻压力传感器经受了硅的局部氧化(LOCOS)处理。用LOCOS工艺产生了电绝缘结构。该绝缘结构与压敏电阻压力传感器具有圆形的或弯曲的界面。该弯曲的界面减轻了伴随着暴露到高温和高压下的应力。此外，构图电绝缘线使得其具有弯曲角度，进一步减轻了应力。

公开(公告)号：CN1469100A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03138275.4

申请日：2003-05-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 宫岛久和 ,  荒川雅夫 ,  薮田明 ,  阪井淳

IPC: G01B7/16

CPC classification number: G01P15/123 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  G01L9/0055 ,  G01P2015/0828 ,  Y10S977/956

Abstract: 本发明涉及机械形变量检测传感器。传感器构造体1由硅基片构成，通过对里面一侧的一部分进行各向异性刻蚀形成凹部3，备有矩形框状的支持部分1a、和占据支持部分1a的框内的薄的隔片2。玻璃制的台座4，其中设置用于将流体压力导入凹部3的压力导入孔5，与传感器构造体1的里面接合。在传感器构造体1的表面上在与隔片2两侧的周边部分的中央对应的位置上，为了跨在隔片2和支持部分1a的边界上而设置炭毫微管电阻元件61，62。与这些炭毫微管电阻元件61，62一起，将组成用于取出检测信号的电桥电路的用作基准的电阻元件63，64配置固定在支持部分1a的表面上。

公开(公告)号：CN107539941B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201611259550.0

申请日：2016-12-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·阿勒加托 ,  L·奥吉欧尼 ,  M·加拉瓦利亚 ,  R·索玛彻尼

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/0097 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0315 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/037

Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。

公开(公告)号：CN109476475A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780028300.2

申请日：2017-05-05

Applicant: AMS有限公司

Inventor： 哈拉尔德·埃齐梅尔 ,  安德森·辛格拉尼

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/051

Abstract: 一种用于安装在电路板(CB)上的传感器组件包括插件(I)，该插件具有在插件(I)的第一和第二主表面(MS1、MS2)之间延伸的至少一个开口(O1、O2、O3、O4)。插件(I)包括至少两个应力解耦元件，每个应力解耦元件包括柔性结构(F1、F2、F3、F4)，该柔性结构由插件(I)的被至少一个开口(O1、O2、O3、O4)之一部分地包围的相应部分形成。传感器芯片(S)连接到第一主表面(MS1)上的柔性结构(F1、F2、F3、F4)。至少两个板连接元件(SB)布置在第一主表面(MS1)上并且适于将组件连接到电路板(CB)。

公开(公告)号：CN105731359B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510518658.6

申请日：2015-08-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池桥民雄

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01D5/241

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00166 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/0618 ,  G01L19/146 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0865

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种传感器。所述传感器包括：基板；第一固定电极，其被布置在所述基板上；可动电极，其被布置在所述第一固定电极之上并且能非平行地移动；第二固定电极，其被布置在所述可动电极之上。所述传感器还包括检测器，所述检测器用以检测第一电容与第二电容之间的差，其中，所述第一电容是所述第一固定电极与所述可动电极之间的电容，所述第二电容是所述可动电极与所述第二固定电极之间的电容。

公开(公告)号：CN108827449A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810388728.4

申请日：2018-04-27

Applicant: 苹果公司

Inventor： N·D·伊万斯 ,  J·S·艾伽什 ,  G·B·恩德特

IPC: G01H11/06 ,  G01H11/08 ,  G01L9/06 ,  G01L9/12

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  G01L9/0089 ,  G01L9/08 ,  H04R17/00 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明题为：“组合式环境压力和声学MEMS传感器”。本发明公开了一种微机电系统(MEMS)环境压力和声学传感器，该MEMS环境压力和声学传感器包括：具有壳体壁的壳体，该壳体限定内部腔室和至该内部腔室的声学输入开口；移动结构，该移动结构定位在内部腔室内并且以声学方式耦接到声学输入开口。该移动结构具有能够响应于声压输入而移动的声学感测部分和能够响应于环境压力输入而移动的环境压力感测部分。该传感器还包括电路，该电路电耦接到移动结构并且是可操作的以基于移动结构的移动来确定声学输出和环境压力输出。