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公开(公告)号：CN101978469B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980110382.0
申请日：2009-03-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/033 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/76828 , B81C1/00031 , B81C2201/013 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , C08F299/02 , C08F299/0492 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31133 , H01L21/76802 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供使用自我组装嵌段共聚物以制造亚光刻纳米级微结构的方法、和自所述方法形成的膜及装置。
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公开(公告)号：CN102295264A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110174027.9
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 迪恩.当 , 泰.多恩 , 杰弗里.C.马林 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。
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公开(公告)号：CN102295263A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110173720.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 乔治.A.邓巴三世 , 杰弗里.C.马林 , 威廉.J.莫菲 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料，用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料，其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖，该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构，包括：在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料；以及排出该上牺牲材料以形成上腔体，从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。
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64.发明公开INTEGRATED STRUCTURE OF MEMS MICROPHONE AND PRESSURE SENSOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开MEMS麦克风及压力传感器的整体结构及其制造方法
公开(公告)号：EP3249952A1
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：EP15894016.3
申请日：2015-12-14
Applicant: Goertek Inc.
Inventor： SUN, Yanmei
IPC: H04R19/04
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00158 , B81C2201/0105 , B81C2201/013 , G01L7/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: The present invention discloses a manufacturing method of an integrated structure of a MEMS microphone and a pressure sensor, which comprises the following steps: depositing an insulating layer, a first polycrystalline silicon layer, a sacrificial layer and a second polycrystalline silicon layer in sequence on a shared substrate; etching the second polycrystalline silicon layer to form a vibrating diaphragm and an upper electrode; eroding the sacrificial layer to form a containing cavity of a microphone and a pressure sensor, and etching the sacrificial layer between the microphone and the pressure sensor; etching the first polycrystalline silicon layer to form a back electrode of the microphone and a lower electrode of the pressure sensor; etching a position of the shared substrate below a back electrode of the microphone to form a back cavity; and etching away the region of the insulating layer below the back electrode. A capacitance structure of a MEMS microphone and that of a pressure sensor are integrated on a shared substrate, improving integration of a MEMS microphone and a pressure sensor, and greatly reducing a size of a whole packaging structure; in addition, a microphone and a pressure sensor can be simultaneously manufactured on a shared substrate to improve the efficiency of production.
Abstract translation: 本发明公开了一种MEMS麦克风与压力传感器集成结构的制作方法，包括以下步骤：依次在绝缘层，第一多晶硅层，牺牲层和第二多晶硅层上依次沉积 共享基板; 蚀刻第二多晶硅层以形成振动膜片和上电极; 侵蚀牺牲层以形成麦克风和压力传感器的容纳腔，以及刻蚀麦克风和压力传感器之间的牺牲层; 刻蚀第一多晶硅层以形成麦克风的背电极和压力传感器的下电极; 蚀刻麦克风的背电极下面的共享基板的位置以形成后腔; 并且蚀刻掉背电极下方的绝缘层的区域。 MEMS麦克风和压力传感器的电容结构集成在共用基板上，提高了MEMS麦克风和压力传感器的集成度，大大减小了整个封装结构的体积; 另外，麦克风和压力传感器可以同时制造在共享的基板上以提高生产效率。
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65.发明公开WAVELENGTH TUNABLE MEMS-FABRY PEROT FILTER 审中-公开MEMS-FABRY-PEROT-FILTER MIT EINSTELLBARERWELLENLÄNGE
公开(公告)号：EP3074800A4
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：EP14866509
申请日：2014-11-25
Applicant: INPHENIX INC
Inventor： KAMAL MOHAMMAD , LI TONGNING , EU DAVID , QI QINIAN
CPC classification number: G02B26/001 , B81C1/00317 , B81C2201/013 , G02B1/11 , G02B1/12 , H01L33/46 , H01L39/2467 , H01L2924/1461 , H01S3/08027 , H01S3/083 , H01S3/105 , H01S3/1062 , H01S5/141 , H01S5/18366
Abstract: A wavelength tunable gain medium with the use of micro-electromechanical system (MEMS) based Fabry-Perot (FP) filter cavity tuning is provided as a tunable laser. The system comprises a laser cavity and a filter cavity for wavelength selection. The laser cavity consists of a gain medium such as a Semiconductor Optical Amplifier (SOA), two collimating lenses and an end reflector. The MEMS-FP filter cavity comprises a fixed reflector and a moveable reflector, controllable by electrostatic force. By moving the MEMS reflector, the wavelength can be tuned by changing the FP filter cavity length. The MEMS FP filter cavity displacement can be tuned discretely with a step voltage, or continuously by using a continuous driving voltage. The driving frequency for continuous tuning can be a resonance frequency or any other frequency of the MEMS structure, and the tuning range can cover different tuning ranges such as 30 nm, 40 nm, and more than 100 nm.
Abstract translation: 使用基于微机电系统（MEMS）的法布里 - 珀罗（FP）滤波器腔调谐的波长可调增益介质被提供为可调谐激光器。 该系统包括激光腔和用于波长选择的滤波腔。 激光腔由增益介质组成，如半导体光放大器（SOA），两个准直透镜和一个端面反射器。 MEMS-FP滤波器腔包括固定反射器和可移动反射器，可通过静电力控制。 通过移动MEMS反射器，可以通过改变FP滤波器腔长来调整波长。 MEMS FP滤波器的腔体位移可以用阶跃电压离散调节，或者通过使用连续驱动电压连续调节。 用于连续调谐的驱动频率可以是MEMS结构的谐振频率或任何其它频率，并且调谐范围可以覆盖诸如30nm，40nm和大于100nm的不同调谐范围。
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Patent Agency Ranking66.发明公开
公开(公告)号：EP3154898A1
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：EP14730169.1
申请日：2014-06-16
Inventor： HENN, Gudrun , GIESEN, Marcel , DEN DEKKER, Arnoldus , PORNIN, Jean-Louis , SAINT-PATRICE, Damien , REIG, Bruno
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00293 , B81B7/0041 , B81B2203/0315 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0176 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
Abstract: The present invention concerns a microelectronic package (1) comprising a microelectronic structure (2) having at least a first opening (3) and defining a first cavity (4), a capping layer (9) having at least a second opening (10) and defining a second cavity (11) which is connected to the first cavity (4), wherein the capping layer (9) is arranged over the microelectronic structure (2) such that the second opening (10) is arranged over the first opening (3), and a sealing layer (13) covering the second opening (10), thereby sealing the first cavity (4) and the second cavity (11). Moreover, the present invention concerns a method of manufacturing the microelectronic package (1).
Abstract translation: 本发明涉及包括具有至少第一开口（3）并限定第一空腔（4）的微电子结构（2）的微电子封装（1），具有至少第二开口（10）的封盖层（9） 并且限定连接到所述第一腔体（4）的第二空腔（11），其中所述覆盖层（9）布置在所述微电子结构（2）上方，使得所述第二开口（10）布置在所述第一开口 3）和覆盖第二开口（10）的密封层（13），从而密封第一腔（4）和第二腔（11）。 此外，本发明涉及一种制造微电子封装（1）的方法。
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公开(公告)号：EP2989433A1
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：EP14756695.4
申请日：2014-02-27
Applicant: Texas Instruments Incorporated
Inventor： WYGANT, Ira, Oaktree , JOHNSON, Peter, B.
IPC: G01L9/04
CPC classification number: G01P15/125 , B81B7/007 , B81B2201/0271 , B81B2203/0127 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/036 , H02N1/006 , H03H3/0072 , H03H9/1057 , H03H9/2468 , H03H9/2489 , H04R19/005 , Y10T29/49165
Abstract: A packaged capacitive MEMS sensor device 100 includes at least one capacitive MEMS sensor element with at least one capacitive MEMS sensor cell 100a including a first substrate 101 having a thick 106 and a thin 107 dielectric region. A second substrate with a membrane layer 120 is bonded to the thick dielectric region and over the thin dielectric region to provide a MEMS cavity 114. The membrane layer provides a fixed electrode 120a and a released MEMS electrode 120b over the MEMS cavity. A first through-substrate via (TSV) 111 extends through a top side of the MEMS electrode and a second TSV 112 through a top side of the fixedelectrode. A metal cap 132 is on top of the first TSV and second TSV. A third substrate 140 including an inner cavity 144 and outer protruding portions 146 framing the inner cavity is bonded to the thick dielectric regions. The third substrate together with the first substrate seals the MEMS electrode.
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公开(公告)号：EP2924724A1
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：EP15159723.4
申请日：2015-03-18
Applicant: Honeywell International Inc. , Cornell University
Inventor： Tin, Steven , Kriz, Jeffrey James , Eickhoff, Steven J. , Ridley, Jeff A. , Lal, Amit , Ober, Christopher , Ardanuc, Serhan , Gund, Ved , Ruyack, Alex , Camera, Katherine
CPC classification number: H01L23/564 , B29C35/02 , B29L2031/34 , B81B7/0077 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00333 , B81C2201/013 , C23C16/26 , C23C16/44 , H01L21/02118 , H01L21/268 , H01L21/30604 , H01L21/31133 , H01L21/76837 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/57 , H01L23/573 , H01L23/576 , H01L23/58 , H01L25/16 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01M8/2475 , H01L2924/00
Abstract: Embodiments herein provide for a self-destructing chip including at least a first die and a second die. The first die includes an electronic circuit, and the second die is composed of one or more polymers that disintegrates at a first temperature. The second die defines a plurality of chambers, wherein a first subset of the chambers contain a material that reacts with oxygen in an exothermic manner. A second subset of the chambers contain an etchant to etch materials of the first die. In response to a trigger event, the electronic circuit is configured to expose the material in the first subset of chambers to oxygen in order to heat the second die to at least the first temperature, and is configured to release the etchant from the second subset of the chambers to etch the first die.
Abstract translation: 本文的实施例提供了包括至少第一模具和第二模具的自毁芯片。 第一管芯包括电子电路，第二管芯由在一个第一温度下分解的一种或多种聚合物构成。 第二模具限定多个室，其中室的第一子集含有以放热方式与氧反应的材料。 腔室的第二子集包含腐蚀剂以蚀刻第一管芯的材料。 响应于触发事件，电子电路被配置为将室的第一子集中的材料暴露于氧气，以便将第二管芯加热至少第一温度，并且被配置为从第二子集的第二子集释放蚀刻剂 这些室蚀刻第一个模具。
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公开(公告)号：JP6416232B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2016516522
申请日：2014-09-15
Applicant: コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ , KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
Inventor： ディルクセン,ペーテル , ミュルデル,マルセル , レーウエステイン,アドリアーン
CPC classification number: B06B1/0292 , B81B3/0021 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , H02N1/006
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公开(公告)号：JP2016540392A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2016516522
申请日：2014-09-15
Applicant: コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. , コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V.
Inventor： ディルクセン，ペーテル , ミュルデル，マルセル , レーウエステイン，アドリアーン
CPC classification number: B06B1/0292 , B81B3/0021 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , H02N1/006
Abstract: 基板(110)上の第1の電極(112)と電気絶縁メンブレンに埋め込まれた第2の電極(122)とを有する容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ(CMUT)デバイスを製造する方法が開示され、第1の電極とメンブレンとが、第1の電極とメンブレンとの間の犠牲材料(116)の除去によって形成されるキャビティ(130)によって離隔され、当該方法は、第2の電極上のメンブレン部分(22)と、該メンブレン部分から犠牲材料の横に沿って基板の方に延在する更なるメンブレン部分(24)とを形成することを有し、メンブレン部分及び更なるメンブレン部分のそれぞれの厚さが、キャビティを形成する前の犠牲材料の厚さを上回る。この方法に従って製造されるCMUTデバイス、及びこのようなCMUTデバイスを有する装置も開示される。
Abstract translation: 公开了一种制造具有嵌入在所述第一电极（112）（122）的电绝缘膜（110）的衬底第二电极的电容微加工超声换能器（CMUT）设备的方法，所述 一个第一电极和膜，通过除去所述第一电极和膜，所述方法包括在所述第二电极的膜部分（之间的牺牲材料（116）形成的腔体（130）分离 和22），必须是从沿所述牺牲材料侧的膜部分，以形成朝向所述基板（24），该膜部分的每一厚度延伸的另一膜部分以及进一步膜部分 但在形成所述空腔中的牺牲材料的厚度以上。 CMUT设备根据该方法制造的，并且装置也公开了一种具有这样的CMUT设备。
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