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公开(公告)号：CN1264151A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN99119376.8
申请日：1999-09-13
Applicant: 先锋株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127
Abstract: 一种电子发射装置,包括由一半导体材料,一金属复合物或金属制成的电子提供层;形成在该电子提供层上的一绝缘体层;和形成在该绝缘体层上的一薄膜金属电极。其特征在于该绝缘体层和该薄膜金属具有多个岛形区,其中该绝缘体层和该薄膜金属电极两者的厚度逐渐减小。
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公开(公告)号：CN1249525A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN99120728.9
申请日：1999-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/025 , H01J2201/3125 , Y10S977/939
Abstract: 一种场致发射型电子源及其制造方法,在n型硅基板主表面侧形成强电场漂移单元,在该单元上形成金薄膜构成的表面电极。在n型硅基板背面形成欧姆电极。表面电极配置在真空中,且相对欧姆电极作为正极,通过施加直流电压,从n型硅基板注入的电子在强电场漂移单元漂移经表面电极发射。强电场漂移单元由与作为基板的n型硅基板的厚度方向垂直的剖面呈网孔状的电子进行漂移的漂移单元和填满在网孔中导热性比漂移单元好的散热单元构成。
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公开(公告)号：CN104795298B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410024559.8
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/12 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个电子发射单元间隔设置，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射单元还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层，任意相邻的电子发射单元中的第一电极相互间隔，任意相邻的电子发射单元中的第二电极相互间隔。本发明还提供一种电子发射显示器。
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公开(公告)号：CN102243962B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110085994.8
申请日：2011-04-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , G03G15/02 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J31/123 , H01J63/06 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供了一种电子发射元件，该电子发射元件包括：第一电极；形成于第一电极上的且由绝缘精细颗粒构成的绝缘精细颗粒层；以及形成于绝缘精细颗粒层上的第二电极，其中绝缘精细颗粒是单分散精细颗粒，并且当在第一电极与第二电极之间施加电压时，电子被从第一电极释放到绝缘精细颗粒层中并且通过绝缘精细颗粒层被加速，以从第二电极发射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163524B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110047167.X
申请日：2011-02-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , G03G15/02 , G03G15/04045 , G03G15/326 , H01J9/022 , H01J29/04 , H01J31/123 , H01J63/06 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供一种电子发射元件，其包括：第一电极；绝缘细粒层，其形成在第一电极上并且由绝缘细粒构成；以及第二电极，其形成在绝缘细粒层上，其中绝缘细粒层设置有在其表面中形成的凹陷，该表面面对第二电极，每个凹陷具有的深度小于绝缘细粒层的厚度，并且当电压施加在第一电极与第二电极之间时，从第一电极提供的电子在绝缘细粒层中加速，从而经过第二电极而发射。
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公开(公告)号：CN102792411A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180012504.X
申请日：2011-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2201/312
Abstract: 本发明提供一种电子器件，其具备：基板；第1电极，其形成在所述基板的一个表面侧；第2电极，其在与所述第1电极的所述基板侧相反的侧与所述第1电极对置；和功能层，其设在第1电极与第2电极之间，且具备通过用电解液对第1多晶半导体层进行阳极氧化处理而形成的多个微晶半导体；其中，在所述第1电极与所述功能层之间且在所述功能层的正下方，设有第2多晶半导体层，该第2多晶半导体层与所述第1多晶半导体层相比由所述电解液产生的阳极氧化速度慢，且该第2多晶半导体层为选择性地对所述第1多晶半导体层进行阳极氧化处理的阻挡层。
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公开(公告)号：CN102479483A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110367517.0
申请日：2011-11-18
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 平川弘幸
IPC: G09G3/22
CPC classification number: G09G3/22 , B82Y10/00 , G09G3/2018 , G09G2320/029 , G09G2320/043 , G09G2320/048 , H01J1/312
Abstract: 本发明涉及电子发射装置及其驱动方法。本发明提供一种对包括第一发射电极、在第一电极上形成的并且包含绝缘微粒的微粒层、以及在微粒层上形成的第二电极的电子发射装置的驱动方法，其包括：将电压施加于第一和第二电极之间，以从第一电极发射电子，从而电子通过微粒层被加速，并且被从第二电极发射，其中，施加的电压包括具有第一频率并且以低于第一频率的第二频率被震荡的脉冲。
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公开(公告)号：CN101657875B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200880011889.6
申请日：2008-04-23
Applicant: 株式会社克莱斯泰克
IPC: H01J1/312 , H01J3/14 , H01J37/305 , H01L21/027 , H01J37/073
CPC classification number: H01J37/073 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J1/312 , H01J37/06 , H01J37/3174 , H01J2201/312 , H01J2237/0635
Abstract: 本发明的面辐射型电子源具有：平面状的第一电极；与第一电极相对设置的平面状的第二电极；设置在第一电极和第二电极之间的电子通过层；以及对第二电极和第一电极施加电压的电源部。电子通过层中，隔开规定的间隔而设置多个量子细线，并从第二电极的表面辐射电子，量子细线在从第一电极朝向第二电极的第一方向上延伸。量子细线由硅构成，同时在第一方向上以规定间隔形成多个粗细度细的部分。
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公开(公告)号：CN101814405A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910204471.3
申请日：2009-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01J1/30 , H01J1/312 , H01J63/02 , H01J29/04 , H01J63/06 , G02F1/13357 , G02F1/133 , H01J31/12 , G03G15/00 , H01J9/02
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , G02F1/133617 , G02F2001/133625 , G03G15/02 , G03G2215/02 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/312 , H01J2201/3125 , H01J2329/0481 , H01J2329/0484
Abstract: 提供一种电子发射元件、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置、送风装置、冷却装置、带电装置、图像形成装置、电子线硬化装置及电子发射元件的制造方法。本发明的电子发射元件在电极基板和薄膜电极之间具有电子加速层，电子加速层包括分散有绝缘体微粒和导电微粒的粘合剂成分。从而，本发明的电子发射元件可以抑制电子加速层的劣化，不仅在真空中而且在大气中也可以有效地进行稳定的电子发射，进而可以提高机械强度。
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