公开(公告)号：CN103153858B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180049806.4

申请日：2011-08-16

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： R·凯姆 ,  J·D·斯威尼 ,  O·比尔 ,  S·N·耶德卫 ,  E·E·琼斯 ,  邹鹏 ,  唐瀛 ,  B·L·钱伯斯 ,  R·S·雷

IPC: C01B35/06 ,  C01B9/08

CPC classification number: C01B35/061 ,  C01P2006/88 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701 ,  Y02P20/134

Abstract: 本文涉及同位素富集的含硼化合物，含有两个或以上的硼原子和至少一个氟原子，其中至少一个硼原子含有所需的硼同位素，所述同位素的浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例。所述化合物可以具有化学式B2F4。本文描述了合成这些化合物的方法和使用这些化合物的离子注入方法，以及描述了贮存和分配容器，其中有利地含有所述同位素富集的含硼化合物用于随后的分配应用。

公开(公告)号：CN105190826A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480024538.4

申请日：2014-05-01

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： D.C.海德曼 ,  A.K.辛哈 ,  L.A.布朗

IPC: H01J37/317 ,  C23C14/00 ,  F17C1/00 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/265 ,  C23C14/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/48 ,  F17C1/00 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/08 ,  Y02E60/321 ,  Y10T137/7781

Abstract: 提供一种用于离子注入包含同位素富集硒的源材料的新颖方法。选择所述源材料并富集硒的特定质量同位素，藉此所述富集高于天然丰度水平。本发明的方法允许降低气体消耗以及减少废物。优选从低于大气压的储存和递送设备储存并递送所述源材料，以增加在所述硒离子注入工艺期间的安全性和可靠性。

公开(公告)号：CN102428542B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080021679.2

申请日：2010-04-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 凯文·M·丹尼尔斯 ,  罗素·J·洛 ,  班杰明·B·里欧登 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/48 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。

公开(公告)号：CN104428867A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201280074759.3

申请日：2012-07-16

Applicant: FEI公司

Inventor： S.E.富勒 ,  J.唐纳德 ,  T.西蒙特柴鲍沃尔恩

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/317 ,  H01J37/22 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/2814 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 为了暴露期望的特征，对来自横截面的薄片的聚焦离子束研磨与形成每个新暴露的横截面的扫描电子图像交替。当新暴露的横截面的电子束图像的自动分析示出满足预定标准时，停止研磨。

公开(公告)号：CN104078299A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201310684864.5

申请日：2013-12-13

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 佐藤正辉 ,  松下浩

IPC: H01J37/317 ,  H01B17/64

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/248 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/036 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/08

Abstract: 本发明提供一种用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构。该高电压电极的绝缘结构具备：绝缘体（126），具备露出表面（128）；及导体部（130），具备与绝缘体（126）相接的接合区域（138）、及以与绝缘体（126）的露出表面（128）相邻的方式沿接合区域（138）的边缘部（142）的至少一部分而设的耐热部（150）。耐热部（150）由熔点高于导体部（130）的导电材料形成。耐热部（150）可以以与绝缘体（126）的露出表面（128）之间留有间隙的方式配置。

公开(公告)号：CN103928281A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310685439.8

申请日：2013-12-16

Applicant: 宁波瑞曼特新材料有限公司

Inventor： 黄永章

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/16 ,  H01J37/09

CPC classification number: H05H5/00 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701 ,  H05H7/00

Abstract: 本发明涉及高压领域，其公开了一种高压加速器的高压舱结构，包括一个高电压舱，带电粒子发生器，加速管，束流输运线和目标靶；所述高电压舱的内部为空心腔体，所述带电粒子发生器设置在所述空心腔体内；所述高电压舱设置在高的电位以协助加速从带电粒子发生器出来的电子；高电压舱被包围在一个接地的外壳内；所述高电压舱的边缘的外部附近设置有绝缘导体。本发明的有益效果是：根据高电压舱结构与周围的接地外壳的空气间隔的不同来设置绝缘导体的位置，从而进一步提高高电压舱的最高承受电压。

公开(公告)号：CN101542675A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000419.X

申请日：2008-02-15

Applicant: 诺尔迪克技术服务有限公司

Inventor： 安德鲁·詹姆斯·蒂莫西·霍姆斯 ,  默文·霍华德·戴维斯

IPC: H01J37/15 ,  H01J37/04 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/305 ,  H01J27/024 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/036 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/3142 ,  H01J2237/3151

Abstract: 一种用于使离子束加速的设备(100)，包括安装在可移动安装件(112、114)中的至少一个电极(102、104、106)。

公开(公告)号：CN100378920C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN03156660.X

申请日：2003-09-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山内哲也

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/08

Abstract: 一种离子掺杂装置，本发明的课题在于：在与基片扫描方向正交方向的狭小范围内抑制离子注入量的偏差。本发明的离子掺杂装置具有使从设有多个电极孔(210)的多孔电极(200)引出的离子束向扫描的基片(300)照射的结构，由多个电极孔(210)构成的电极孔群(α...)中各电极孔(210)在与基片(300)扫描方向X正交的方向Y上错开位置配置以使电极孔群(α...)向基片(300)的离子注入量均匀。

公开(公告)号：CN101014878A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580005650.4

申请日：2005-02-22

Applicant: 威科仪器有限公司

Inventor： 戴维·马修·伯特内尔 ,  斯科特·A·汤森 ,  丹尼尔·E·西格弗里德 ,  维亚切斯拉夫·V·茹林

IPC: G01T1/18 ,  H01J47/02 ,  H01J47/06 ,  H01J47/08

CPC classification number: H01J27/04 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/08

Abstract: 本发明涉及一种离子源，其利用与阳极分开并且独立的冷却板进行冷却。冷却板形成冷却剂腔，流体冷却剂(例如，液体或者气体)能够流经该冷却剂腔以便冷却阳极。在这样的结构中，可以通过冷却板对磁体进行热保护。在传热界面部件中的导热材料能够提高冷却板的冷却能力。此外，冷却板与阳极的分开使冷却板和冷却管线与阳极的高电压电隔离(例如，利用导热、电绝缘材料)。将这些结构组合成阳极分组件和磁体分组件还能够便于离子源的装配和维护，尤其当阳极没有冷却剂管线时更是如此，因为冷却剂管线会在维护过程中带来某些困难。

公开(公告)号：CN1543667A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN02815975.6

申请日：2002-08-27

Applicant: 尤尼瑟驰有限公司

Inventor： 大卫·诺曼·杰米尔森 ,  史蒂夫·卜劳 ,  安德鲁·史蒂夫·德祖瑞克 ,  罗伯特·格雷姆·克拉克 ,  杨长义

IPC: H01L21/265 ,  H01L31/115 ,  B82B3/00 ,  G06N1/00 ,  G01T1/00

CPC classification number: H01J37/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G06N10/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20292 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31711 ,  H01J2237/31713 ,  H01J2237/31755 ,  H01J2237/31788 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513

Abstract: 一种用于单离子掺杂和处理的方法和系统检测衬底中的单离子的注入、穿透以及终止。这种检测对于将可数数量的31P离子成功地注入到用于构成凯恩量子计算机的半导体衬底内很必要。该方法和系统特别涉及衬底(20)的表面上两个电极(22，23)上的电位(24)的应用，以产生电场将衬底(20)内形成的电子空穴对分开并清除。然后使用检测器(30)检测电极中的瞬时电流，由此决定衬底(20)中单离子的到达。