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    Photodiode à avalanche à photon unique
    71.
    发明专利
    Photodiode à avalanche à photon unique 未知

    公开(公告)号：FR3091024A1

    公开(公告)日：2020-06-26

    申请号：FR1873335

    申请日：2018-12-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BENHAMMOU YOUNES ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  RIDEAU DENIS

    IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0288

    Abstract: Photodiode à avalanche à photon unique La présente description concerne une photodiode (1) comprenant une première partie en silicium (10) et une deuxième partie en germanium dopé (20) reposant sur et en contact avec la première partie, la première partie comportant un empilement d'une première région (101) et d'une deuxième région (102) formant une jonction PN (103) et le niveau de dopage du germanium augmentant en s'éloignant de la jonction PN. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    ROUTAGE AMELIORE POUR STRUCTURE INTEGREE TRIDIMENSIONNELLE
    74.
    发明专利
    ROUTAGE AMELIORE POUR STRUCTURE INTEGREE TRIDIMENSIONNELLE 未知

    公开(公告)号：FR3045869B1

    公开(公告)日：2020-02-07

    申请号：FR1562785

    申请日：2015-12-18

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： AYRES ALEXANDRE ,  BOROT BERTRAND

    IPC: H01L23/535

    Abstract: Structure intégrée tridimensionnelle comprenant au moins un premier substrat (S1, S3, S5) comportant des premiers composants (1) orientés selon au moins une première direction (D1), un deuxième substrat (S2, S4, S6) comportant des deuxièmes composants (1) orientés selon au moins une deuxième direction (D2) et au moins un niveau d'interconnexion (B1, B2, B3, B3, B) comportant des lignes électriquement conductrices (21, 22) s'étendant selon au moins une troisième direction (D3), la deuxième direction (D2) et/ou la troisième direction (D3) formant un angle non droit et non nul avec la première direction (D1) de sorte que deux points (4, 5, 16, 17, 19, 20) des premiers ou des deuxièmes composants soient reliés par une première liaison électrique (3, 11, 14, 15, 18) comportant au moins l'une des lignes électriquement conductrices.

    DISPOSITIF ELECTRONIQUE CAPTEUR D'IMAGES
    77.
    发明专利
    DISPOSITIF ELECTRONIQUE CAPTEUR D'IMAGES 未知

    公开(公告)号：FR3074962A1

    公开(公告)日：2019-06-14

    申请号：FR1761836

    申请日：2017-12-08

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  CHHUN SONARITH

    IPC: H01L27/146

    Abstract: Dispositif électronique, capteur d'images, et procédé de fabrication, dans lesquels : une plaquette de substrat semiconducteur (2), en silicium, comprend des portions (5) distantes les unes des autres en formant des passages traversants (6), des circuits électroniques (18) et une couche diélectrique (19) incluant un réseau de connexions électriques (20), sont situés au-dessus de la face arrière de ladite plaquette de substrat, des remplissages (12) conducteurs de l'électricité sont contenus dans lesdits passages traversants, ces remplissages comprenant des couches d'un métal (12b) et étant reliés au réseau de connexions électriques (20), des couches diélectriques (9, 10) d'anti-diffusion du tungstène des remplissages dans le silicium desdites portions de la plaquette de substrat, comprenant des couches intérieures (9) situées dans les passages traversants entre les flancs (7) desdites portions (5) et les remplissages (12), et des couches arrière (10) joignant les couches intérieures (9).

    PROCEDE DE FABRICATION SIMULTANEE DE DIFFERENTS TRANSISTORS
    78.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION SIMULTANEE DE DIFFERENTS TRANSISTORS 未知

    公开(公告)号：FR3064111B1

    公开(公告)日：2019-04-19

    申请号：FR1752069

    申请日：2017-03-14

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： JULIEN FRANCK ,  NIEL STEPHAN ,  RICHARD EMMANUEL ,  WEBER OLIVIER

    IPC: H01L21/331 ,  H01L21/822 ,  H01L29/72

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de premiers, deuxièmes et troisièmes transistors de types différents dans et sur des premières (LV), deuxièmes (MV) et troisièmes (HV) zones semiconductrices d'un circuit intégré, comprenant les étapes suivantes : a) déposer une première couche de diélectrique (16) et une première couche de silicium polycristallin (18) sur les troisièmes zones ; b) déposer une seconde couche de diélectrique (20) sur les deuxièmes zones ; c) déposer une couche d'interface (21) sur les premières zones ; d) déposer une couche de matériau à forte permittivité (22) puis une couche de matériau métallique (24) sur les premières et secondes zones ; e) déposer une seconde couche de silicium polycristallin (26) sur les premières, deuxièmes et troisièmes zones ; f) définir les grilles des transistors dans les troisièmes zones (HV) ; et g) définir les grilles des transistors dans les premières et deuxièmes zones.

    PROCEDE DE REALISATION D'UN CIRCUIT INTEGRE
    79.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION D'UN CIRCUIT INTEGRE 未知

    公开(公告)号：FR3011382B1

    公开(公告)日：2019-03-29

    申请号：FR1359365

    申请日：2013-09-27

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BARNOLA SEBASTIEN ,  MORAND YVES ,  NIEBOJEWSKI HEIMANU

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

    Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un circuit intégré sur un substrat comportant les étapes suivantes : - réalisation d'un empilement de grille à la surface d'une zone active, comportant les sous-étapes suivantes : • dépôt d'une couche d'un premier diélectrique ; • dépôt d'une couche conductrice de grille ; • dépôt d'une couche d'un premier métal ; • dépôt d'une couche d'un deuxième métal ; • dépôt d'une couche d'un deuxième diélectrique ; - gravure partielle de l'empilement de grille pour la formation d'une zone de grille sur zone active ; - réalisation d'espaceurs isolants de part et d'autre de la zone de grille sur zone active ; - réalisation de zones de source et de drain ; - réalisation de zones de siliciuration à la surface des zones de source et de drain ; - gravure, sur la zone de grille sur zone active, de la deuxième couche de diélectrique et de la couche du deuxième métal avec arrêt sur la couche du premier métal, de manière à former une cavité entre les espaceurs isolants ; - réalisation d'un bouchon de protection à la surface de la couche du premier métal de la zone de grille sur zone active, le bouchon de protection venant combler la cavité.

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