公开(公告)号：FR3086798A1

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：FR1858933

申请日：2018-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LANOIS FREDERIC

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/77

Abstract: Structure comprenant, dans une tranchée (22) d'un substrat (20), une première région conductrice (302) séparée du substrat d'une première distance (d) inférieure à environ 10 nm ; et une deuxième région conductrice (306) s'étendant plus profondément que la première région.

公开(公告)号：FR3085575A1

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：FR1857899

申请日：2018-09-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ORY OLIVIER ,  JAILLET ROMAIN

IPC: H05K1/02 ,  H01L27/00

Abstract: La présente description concerne un dispositif comprenant un support (104), une couche électriquement conductrice (106) recouvrant le support, un substrat semiconducteur (108) sur la couche conductrice, et une enveloppe isolante (110).

公开(公告)号：FR3039014B1

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：FR1556647

申请日：2015-07-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： SIMONNET JEAN-MICHEL ,  BALLON CHRISTIAN

IPC: H02H9/04 ,  H01L29/74 ,  H04M3/18

Abstract: L'invention concerne une structure de protection d'interface SLIC de ligne téléphonique (3, 5) contre des surtensions inférieures à un seuil négatif ou supérieures à un seuil positif, comprenant au moins un thyristor (32, 34) connecté entre chaque conducteur de la ligne téléphonique et un potentiel de référence (GND), dans laquelle pour tous les thyristors une métallisation correspondant à l'électrode principale côté gâchette est en contact, par l'intégralité de sa surface, avec une région semiconductrice correspondante ; et la gâchette (36, 38) est connectée directement à une source de tension (58) définissant l'un desdits seuils.

公开(公告)号：FR3062520B1

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：FR1750771

申请日：2017-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01M10/04 ,  H01M50/528

Abstract: L'invention concerne une structure de batterie ayant des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) en face avant et en face arrière comprenant une batterie ayant des contacts d'anode (52) et de cathode (54) en face avant uniquement, cette batterie étant enveloppée dans un film (60) comprenant une couche conductrice (64) et une couche isolante (66), la couche conductrice (64) reposant sur les contacts d'anode (52) et de cathode (54) de la batterie et étant interrompue entre ces contacts d'anode (52) et de cathode (54), et la couche isolante (66) comprenant des ouvertures (74A, 74B, 76A, 76B) sur les faces avant et arrière de la batterie pour former des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) de la structure de batterie.

公开(公告)号：FR3069986A1

公开(公告)日：2019-02-08

申请号：FR1757424

申请日：2017-08-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： GAUTIER FREDERIC

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/32 ,  H02M7/21

Abstract: L'invention concerne un circuit comprenant deux branches (77A, 77B) comportant chacune un transistor MOS (81A, 81B) et un diviseur de tension (83A, 83B) en parallèle ; et deux interrupteurs (9 1A, 91B) en série entre les grilles des transistors MOS, la sortie (95A, 95B) du diviseur de tension de chaque branche étant connectée à l'électrode de commande de l'interrupteur connecté au transistor MOS de l'autre branche. L'invention concerne également un convertisseur de tension comprenant un tel circuit.

公开(公告)号：ITUB20154710A1

公开(公告)日：2017-04-15

申请号：ITUB20154710

申请日：2015-10-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LAROSA ROBERTO ,  ZOPPI GIULIO ,  GONTHIER LAURENT

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/36 ,  H02M7/06 ,  H02M7/12

Abstract: A rectifier bridge circuit includes a first SCR/IGBT switch and a second SCR/IGBT switch coupled to a circuit input to receive an ac input voltage. The first and second SCR/IGBT switches are alternatively switchable to generate a rectified voltage at a circuit output. Control currents coupled to control terminals of the first and second SCR/IGBT switches are power supply sourced from an auxiliary dc source generated by rectifying the ac input voltage. The control currents are generated by current sources coupled between the auxiliary dc source and the control terminals of the first and second SCR/IGBT switches. The current sources are selectively activatable to produce gating currents for switching on and off the first and second SCR/IGBT switches. A controller unit is provided to control the current sources via level shifter circuits. The control implements progressive conduction time of the first and second SCR/IGBT switches so as to provide inrush current limitation.

公开(公告)号：FR3018016A1

公开(公告)日：2015-08-28

申请号：FR1451547

申请日：2014-02-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： CHARLEY SYLVAIN ,  NOIRE ALINE

IPC: H03H7/38

Abstract: L'invention concerne un condensateur (2) de capacité réglable par polarisation, comportant : une association en série de plusieurs premiers éléments capacitifs (Ci) entre deux premières bornes (14, 16) définissant les électrodes du condensateur ; et deux deuxièmes bornes (12, 18) d'application de potentiels (Vref1, Vref2) de polarisation respectivement reliées, par l'intermédiaire d'éléments résistifs (Rf, Rf', Rb), aux électrodes opposées de chacun des premiers éléments capacitifs.

公开(公告)号：FR3016707A1

公开(公告)日：2015-07-24

申请号：FR1450566

申请日：2014-01-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MOINDRON LAURENT ,  CHARLEY SYLVAIN ,  HEURTIER JEROME

IPC: G05F5/00

Abstract: L'invention concerne un circuit (2) de commande d'un condensateur (1) de capacité réglable par polarisation, comportant au moins une borne (21) de réception d'une consigne numérique fonction de la valeur souhaitée pour la capacité, un circuit (4) de détermination d'une dérive de la capacité par rapport à une valeur nominale, et un circuit (50) d'application d'une correction (CORR) à ladite consigne numérique, fonction de la dérive déterminée.

公开(公告)号：FR3007404B1

公开(公告)日：2015-07-17

申请号：FR1355882

申请日：2013-06-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  INST POLYTECHNIQUE BORDEAUX

Inventor： LE CRAS FREDERIC ,  DUBOIS VINCENT ,  GUY-BOUYSSOU DELPHINE ,  PECQUENARD BRIGITTE

IPC: C01B17/22 ,  H01M4/13 ,  H01M10/0525

公开(公告)号：FR3011124A1

公开(公告)日：2015-03-27

申请号：FR1359295

申请日：2013-09-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/87

Abstract: L'invention concerne un composant de type SCR à structure verticale comprenant une électrode principale supérieure (11) formée sur une région (9) de silicium d'un premier type de conductivité elle-même formée dans une couche (7) de silicium du deuxième type de conductivité, dans lequel la région de silicium est interrompue dans des premières zones (17) dans lesquelles le matériau de la couche de silicium (7) vient au contact de l'électrode supérieure (11), et dans des deuxièmes zones (30) remplies de silicium poreux résistif s'étendant entre la couche de silicium (7) et l'électrode (11).