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    공급 장치, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법
    73.
    发明授权
    공급 장치, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 有权
    供应设备，半导体制造设备和半导体制造方法

    公开(公告)号：KR101178868B1

    公开(公告)日：2012-08-31

    申请号：KR1020090022644

    申请日：2009-03-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

    IPC: C25D17/00

    CPC classification number: C25D17/001 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849

    Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께 형성을 실현하는 것이다. 이 처리액 공급 장치는, 대략 수평으로 유지한 기판의 처리면에 도금액을 토출하는 공급홀을 갖는 노즐과, 소정의 매수의 기판 처리에 필요한 양의 도금액을 수용하고, 수용한 도금액을 소정의 온도로 조절하는 온도 조절부와, 노즐 및 온도 조절부의 사이에 배설되고, 온도 조절부에 의하여 온도 조절된 도금액을 소정의 온도로 유지하는 보온부와, 온도 조절부에 의하여 소정의 온도로 조절된 도금액을, 보온부를 거쳐 노즐의 공급홀을 향하여 송출하는 송출 기구를 구비한다.

    캡 메탈 형성 방법
    74.
    发明授权
    캡 메탈 형성 방법 有权
    CAP金属成型方法

    公开(公告)号：KR101123703B1

    公开(公告)日：2012-03-16

    申请号：KR1020090022548

    申请日：2009-03-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토시마타카유키 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  사이토유스케

    IPC: H01L21/288 ,  C23C18/31

    CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1669 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/76849

    Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께 형성을 실현하는 것이다. 이 캡 메탈 형성 방법은, 기판의 피처리면에 형성된 구리 배선 상에 캡 메탈을 형성하는 방법으로서, 기판을 회전 가능하게 유지하는 단계와, 유지된 기판을 기판의 피처리면에 따르는 방향으로 회전시키는 단계와, 기판의 주연부의 피처리면 상에 일정 간격으로 대향하여 교반(攪拌) 부재의 단부(端部)를 배치하는 단계와, 피처리면에 도금 처리액을 공급하는 단계와, 도금 처리액의 공급을 정지시키고, 또한, 교반 부재를 이동하여 해당 교반 부재의 단부를 기판의 피처리면으로부터 이간시키는 단계를 갖는다.

    캡 메탈 형성 방법
    75.
    发明授权
    캡 메탈 형성 방법 有权
    帽金属形成方法

    公开(公告)号：KR101123704B1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：KR1020090022787

    申请日：2009-03-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

    IPC: H01L21/288 ,  C23C18/38

    CPC classification number: C23C18/1628 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/31 ,  C23C18/38

    Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께 형성을 실현하는 것이다. 이 캡 메탈 형성 방법은, 2 개 이상의 발수성이 다른 영역을 갖는 기판의 피처리면에 캡 메탈을 형성하는 방법으로서, 기판을 내부 챔버 내에 배설된 회전 가능한 유지 기구에 수평 유지하는 유지 단계와, 내부 챔버를 감싸는 외부 챔버의 상면에 배설된 가스 공급 홀을 거쳐, 내부 챔버와 외부 챔버 사이에 가스를 공급하는 가스 공급 단계와, 내부 챔버와 외부 챔버 사이에 압력 구배를 형성하는 압력 구배 형성 단계와, 가스 공급 단계에 의해 내부 챔버 내의 가스 압력이 소정의 값이 된 후에, 기판의 피처리면의 소정 위치에 도금액을 공급하여, 영역의 적어도 하나에 캡 메탈을 형성하는 도금액 공급 단계를 가지고 있다.

    Abstract translation: 从而在衬底表面实现均匀的膜厚度形成。 和盖金属成形方法中，两个或更多个疏水性的保持步骤水平保持在衬底上的特征前形成盖金属和背面上具有设置在所述腔室中的可旋转的保持机构的不同区域的基板的表面的方法，该腔室 通过设置在外部腔室的上表面上的气体供给孔的包装，所述内室和所述外室之间供给气体的气体供给步骤，并且步骤压力梯度用于形成内室和外室，所述气体之间的压力梯度形成 由供应步骤中的内部腔室的预定值内的气体压力后，通过供给电镀液的对象前面和衬底的后表面的预定位置，并且具有一个电镀液供给形成在所述至少一个区域的盖的金属的步骤。

    패터닝 방법
    77.
    发明授权
    패터닝 방법 有权
    图案化方法

    公开(公告)号：KR101011490B1

    公开(公告)日：2011-01-31

    申请号：KR1020097004487

    申请日：2008-06-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/3086 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31608

    Abstract: 여기에 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 레지스트막을 포함하는 다층막을 형성하는 공정과, 레지스트막을 포토리소그래피에 의해 패터닝하여, 소정의 패턴을 갖는 패턴화 레지스트막을 형성하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판에 교대로 공급하여, 패턴화 레지스트막 및 제 1 막의 위에, 제 1 막과 다른 산화 실리콘막을 형성하는 공정과, 패턴화 레지스트막의 측벽에 측벽 스페이서가 형성되도록 산화 실리콘막을 에칭하는 공정과, 패턴화 레지스트막을 제거하는 공정과, 측벽 스페이서를 마스크로서 이용하여, 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.

    Abstract translation: 本文所公开的图案化方法，通过首先形成包含步骤的多层膜，在第一膜上的抗蚀剂膜以形成膜，通过光刻法在基板上图案化的抗蚀膜，图案具有预定图案 将包含有机硅的第一气体和包含活化氧的第二气体交替地供应到基板，以在图案化的抗蚀剂膜和第一膜上形成抗蚀剂膜， 以便形成上图案化硅的形成使用蚀刻氧化硅膜的工艺中的另一氧化膜的抗蚀剂膜侧壁的步骤的侧墙，以及去除所述图案化的抗蚀剂膜的工序，和侧墙作为掩模来处理该第一膜 以及步骤。

    캡 메탈 형성 방법
    78.
    发明公开
    캡 메탈 형성 방법 有权
    CAP金属成型方法

    公开(公告)号：KR1020100033915A

    公开(公告)日：2010-03-31

    申请号：KR1020090022548

    申请日：2009-03-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토시마타카유키 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  사이토유스케

    IPC: H01L21/288 ,  C23C18/31

    CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1669 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/76849

    Abstract: PURPOSE: A cap metal forming method is provided to improve adhesion of plating and wring by removing organic materials contained in the plating and supplying an electroless plating solution by rotating a substrate. CONSTITUTION: A cap metal forming method comprises the following steps: maintaining a substrate; rotating the substrate on a direction followed into the processed surface; arranging an end part of an agitating member(155) by arranging a peripheral part of the substrate on the surface to be processed; supplying plating processing liquid; stopping supply of the plating processing liquid; and separating one end of the agitating member from the surface to be processed.

    Abstract translation: 目的：提供一种金属帽形成方法，通过去除电镀中包含的有机材料并通过旋转基底来提供化学镀溶液来提高电镀和拧紧的附着力。 构成：帽金属成形方法包括以下步骤：保持基材; 在沿着加工表面的方向旋转基板; 通过将所述基板的周边部分布置在待处理的表面上来布置搅拌构件（155）的端部; 电镀处理液供应; 停止电镀处理液的供应; 并且将搅拌构件的一端与要处理的表面分离。

    반도체 제조 장치, 반도체 제조 방법
    79.
    发明公开
    반도체 제조 장치, 반도체 제조 방법 有权
    半导体制造设备和半导体制造方法

    公开(公告)号：KR1020090106339A

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：KR1020090023061

    申请日：2009-03-18

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하라켄이치 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  토시마타카유키 ,  오리이타케히코

    IPC: C23C18/54 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method thereof are provided to suppress effect of by-products generated in the plating reaction and reduce the used amount of the electroless plating solution. CONSTITUTION: A semiconductor manufacturing apparatus comprises a holding mechanism, a nozzle, a board rotation device, a nozzle transfer device, and a controller. The holding mechanism maintains a substrate(W) to be rotated. The nozzle supplies the processing liquid to perform the plating treatment on the processed surface of the substrate. The board rotation device rotates the substrate maintained in the holding mechanism in the direction according to the processed surface. The nozzle transfer device moves a nozzle in the location faced with the processed surface of the substrate maintained in the holding mechanism in the direction according to the processed surface. The controller controls the supply of the processing liquid by the nozzle and the movement of processing liquid by the nozzle transfer device.

    Abstract translation: 目的：提供一种半导体制造装置及其半导体制造方法，以抑制电镀反应中产生的副产物的影响，并减少化学镀溶液的使用量。 构成：半导体制造装置包括保持机构，喷嘴，板旋转装置，喷嘴传送装置和控制器。 保持机构保持要旋转的基板（W）。 喷嘴供给处理液，对基板的被处理面进行电镀处理。 板旋转装置使保持在保持机构中的基板沿着经处理的表面的方向旋转。 喷嘴传送装置在保持在保持机构中的基板的被处理面朝向与处理面相对的方向上移动喷嘴。 控制器通过喷嘴控制处理液的供给和喷嘴传送装置的处理液的移动。

    패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
    80.
    发明公开
    패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 无效
    用于制造半导体器件的图案形成方法和方法

    公开(公告)号：KR1020090093788A

    公开(公告)日：2009-09-02

    申请号：KR1020080134351

    申请日：2008-12-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 미츠오카카즈유키 ,  무라마츠마코토 ,  이와시타미츠아키

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/316 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/67276

    Abstract: A pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device are provided to form a fine resist pattern exceeding the exposure limit by using solvent on the under layer. The catalytic layer(3) is formed on the under layer having concavo-convex according to the concavo-convex of the under layer. The flowable material is coated with on the catalytic layer and the coating film(4). The coating film is reacted with the catalytic layer to form the insolubized layer(5). The insolubizing layer remains by removing a nonreacted part of the coating film with the solvent. The catalyst of the catalytic layer is the basic catalyst. The basic catalyst is the amino group coupling agent. Before the coating film is applied. The processing enhancing adhesion between the substrate(1) and the catalytic layer is performed.

    Abstract translation: 提供一种用于制造半导体器件的图案形成方法和方法，以通过在下层上使用溶剂形成超过暴露极限的精细抗蚀剂图案。 催化剂层（3）根据底层的凹凸形成在具有凹凸的下层上。 可流动材料涂覆在催化层和涂膜（4）上。 使涂膜与催化剂层反应形成不溶层（5）。 通过用溶剂除去涂膜的未反应部分而保留不溶层。 催化剂层的催化剂是碱性催化剂。 碱性催化剂是氨基偶联剂。 涂膜前。 进行提高基板（1）和催化剂层之间的粘附性的加工。

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