公开(公告)号：KR1020070077669A

公开(公告)日：2007-07-27

申请号：KR1020060007376

申请日：2006-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김우석 ,  원제형 ,  허노현 ,  한재현 ,  하태홍

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/505 ,  C23C16/513

Abstract: A semiconductor manufacturing apparatus is provided to generate uniformly plasma and to prevent the generation of powder by supplying uniformly a process gas into a process chamber using an improved gas distributing plate. A semiconductor manufacturing apparatus includes a process chamber(110) for a wafer(W), a gas inlet line(120) for injecting a process gas into the process chamber, one or more gas distributing plates, a shower head, a table, and a gas exhaust line. The gas distributing plates(130) are used for distributing the process gas of the gas inlet line. The shower head(140) is used for supplying the distributed process gas into the process chamber. The table(150) is used for loading the wafer. The gas exhaust line(160) is used for exhausting the remaining process gas from the process chamber. The gas distributing plate is installed between the gas inlet line and the shower head. The gas distributing plate includes one or more predetermined screens capable of preventing the straightness of the process gas.

Abstract translation: 提供半导体制造装置以产生均匀的等离子体并且通过使用改进的气体分配板将处理气体均匀地供应到处理室来防止产生粉末。 半导体制造装置包括用于晶片（W）的处理室（110），用于将处理气体注入到处理室中的气体入口管线（120），一个或多个气体分配板，淋浴头，台面和 排气管线。 气体分配板（130）用于分配气体入口管线的工艺气体。 淋浴头（140）用于将分配的处理气体供应到处理室中。 工作台（150）用于装载晶片。 排气管线（160）用于从处理室排出剩余的处理气体。 气体分配板安装在气体入口管线和淋浴头之间。 气体分配板包括能够防止处理气体的直线性的一个或多个预定的筛网。

公开(公告)号：KR1020070003364A

公开(公告)日：2007-01-05

申请号：KR1020050059283

申请日：2005-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안드레이유스코브 ,  한재현 ,  박선미 ,  정경석 ,  이상호

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32972

Abstract: A plasma monitoring apparatus and a method for monitoring a plasma are provided to monitor concentration of a specific material in the plasma in real time. A plasma monitoring apparatus comprises an optical sensor(230) detecting light beam emitted from a plasma, an emission spectrometer(240) representing emission intensity of a special region for the light beam detected by the optical sensor, and a data processing unit computing concentration variations of a specific material based on the emission intensity of the specific region. The data processing unit compares the emission intensity of the specific region with emission intensity of a reference region. A polarized plate is interposed between the optical sensor and the plasma.

Abstract translation: 提供等离子体监测装置和等离子体监测方法，以实时监测等离子体中的特定材料的浓度。 等离子体监测装置包括：检测从等离子体发射的光束的光学传感器（230），表示由光学传感器检测到的光束的特殊区域的发射强度的发射光谱仪（240）;以及数据处理单元，计算浓度变化 基于特定区域的发光强度的特定材料。 数据处理单元将特定区域的发射强度与参考区域的发射强度进行比较。 在光学传感器和等离子体之间插入偏振板。

公开(公告)号：KR100585082B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020000010383

申请日：2000-03-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한재현

IPC: H01L21/28

Abstract: 반도체 장치의 콘택홀 형성방법에 관해 개시되어 있다. 저유전막을 포함하는 층간 절연막에 콘택홀을 형성하기 위해, 폴리머 생성이 많은 식각가스를 사용하여 상기 층간 절연막에 콘택홀을 형성한 다음, 그 결과물을 습식식각하여 상기 콘택홀의 상기 저유전막의 측벽에서 만곡부를 제거하되, 상기 층간 절연막을 구성하는 각 절연막의 식각 선택비를 고려한 식각액을 사용하여 습식식각한다. 이렇게 함으로써, 상기 콘택홀 측벽의 만곡된 부분이 제거되어 결과적으로 상기 층간 절연막에 측벽이 만곡되지 않은 양호한 프로화일을 갖는 콘택홀이 형성된다. 따라서, 콘택홀을 채우는 도전층의 스텝 커버리지 및 부착 상태가 개선된다.

公开(公告)号：KR100584781B1

公开(公告)日：2006-05-29

申请号：KR1020040100233

申请日：2004-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한재현 ,  이도형 ,  채승기

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 가스를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 박막 제조 방법에 있어서, 라인의 입구 부위와 기판이 놓여지는 척 사이를 제1 거리로 유지한 상태에서 상기 라인을 통하여 제공되는 제1 물질을 사용하여 상기 기판을 처리한다. 그리고, 상기 라인의 입구 부위와 상기 척 사이를 상기 제1 거리를 유지할 때 보다 상기 척과 그 주변에서 제2 물질의 반응력이 감소되는 제2 거리로 조정한다. 이어서, 상기 제2 거리를 유지한 상태에서 상기 라인을 통하여 제공되는 상기 제2 물질을 사용하여 상기 기판을 처리할 때 발생한 반응 부산물을 제거한다. 이와 같이, 상기 척과 라인 사이의 거리를 조정함에 따라 상기 척에 놓여진 반도체 기판이 움직이는 상황을 충분하게 줄인다.

Abstract translation: 一种使用等离子体气体制造半导体器件的方法以及使用该方法制造薄膜的方法，其中通过该线提供的第一材料被保持在该线的入口部分与卡盘之间的第一距离处 并处理基材。 线的入口和卡盘之间的距离被调节到在卡盘及其周围的第二材料的反作用力比在第一距离处减小的第二距离。 随后，在保持第二距离的同时，使用通过线提供的第二材料处理基板时产生的反应副产物被去除。 这样，通过调整卡盘和线路之间的距离，移动放置在卡盘上的半导体衬底的情况被充分减小。

公开(公告)号：KR100572325B1

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：KR1020030092634

申请日：2003-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  채승기 ,  홍형식 ,  차상엽 ,  한재현 ,  임태섭 ,  강현규 ,  윤길중 ,  송두근

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0044

Abstract: 본 발명은 이온 주입 장치 및 이를 이용한 이온 주입 방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 장치는, 회전 디스크를 내장하고 밀폐된 공간을 정의하는 디스크 챔버에 고정 설치되어 상기 회전 디스크에 마운팅되는 웨이퍼의 표면과 근접 대향하여 웨이퍼 표면의 대전 상태를 읽는 전하 감지기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 방법은, 양이온을 생성시키는 단계와; 상기 양이온에 전자를 제공하여 상기 양이온을 중성화하는 단계와; 상기 중성화된 입자를 회전 디스크에 마운팅된 웨이퍼에 주입시키는 단계와; 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 감지하는 단계와; 상기 감지 결과 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태가 중성 상태가 아니면 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 중성화되도록 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 전하 감지기는 이온 빔에 의한 증착으로부터 자유롭게 되어 이온 빔 증착으로 인한 노이즈 증가를 방지할 수 있다. 따라서, 신호/노이즈 비가 향상되어 이온 주입의 신뢰성이 확보되는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明公开了一种离子注入装置以及使用该离子注入装置的离子注入方法。 本发明的所公开的离子注入装置，被牢固地固定到盘室，其包含一个旋转盘，并限定一个封闭的空间，电荷检测器来读取晶片表面的带电状态朝靠近晶片的表面将被安装在旋转圆盘 而且，其特征在于。 所公开的本发明的离子注入方法包括：产生阳离子; 向阳离子提供电子以中和阳离子; 将中和的颗粒注入安装在旋转盘上的晶片上; 感测晶片的表面电荷状态; 并且如果晶片的表面电荷状态由于检测而不是中性状态，则控制晶片的表面电荷状态为中性。 据此，电荷检测器不会被离子束沉积，并且可以防止由于离子束沉积而导致的噪声增加。 因此，具有提高信噪比的效果，确保离子注入的可靠性。

公开(公告)号：KR100389041B1

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020000070973

申请日：2000-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김원진 ,  이수근 ,  신홍재 ,  한재현 ,  김재학 ,  강호규

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an interconnection using a hydrogen silsesquioxane(HSQ) layer as an interlayer dielectric is provided to simplify a process for forming the interconnection, by performing a plasma treatment regarding the HSQ layer so that the HSQ layer is not damaged in a photolithography process to directly pattern the HSQ layer. CONSTITUTION: A low dielectric layer is formed on a semiconductor substrate(10). A plasma treatment process is performed regarding the entire surface of the low dielectric layer. The plasma-treated low dielectric layer is patterned to form an opening exposing a predetermined region of the semiconductor substrate. A conductive layer filling the opening is formed on the entire surface of the semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种制造使用氢倍半硅氧烷（HSQ）层作为层间电介质的互连的方法，以通过对HSQ层进行等离子体处理来简化形成互连的工艺，使得HSQ层不会在 光刻工艺直接图案化HSQ层。 构成：低介电层形成在半导体衬底（10）上。 关于低介电层的整个表面执行等离子体处理工艺。 经等离子体处理的低介电层被图案化以形成暴露半导体衬底的预定区域的开口。 填充开口的导电层形成在半导体衬底的整个表面上。

公开(公告)号：KR1020010018819A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1019990034930

申请日：1999-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한재현

IPC: H01L21/336

Abstract: PURPOSE: A method for forming a transistor having a gate insulating layer of a high dielectric constant is provided to prevent the gate insulating layer from being damaged during etch of a gate electrode. CONSTITUTION: After an adhesion layer(3) is formed on a semiconductor substrate(1), a gate insulating layer(5) having a high dielectric constant is formed on the adhesion layer(3). Then, a barrier metal layer(7a) and a conductive layer(9a) are sequentially formed on the gate insulating layer(5). Thereafter, a mask layer(11a) such as an oxide layer or a nitride layer is formed on the conductive layer(9a) and patterned through a photoresist pattern thereon. After removing the photoresist pattern, the conductive layer(9a) is etched with a plasma gas including chlorine and oxygen by using the patterned mask layer(11a) as a mask. The barrier metal layer(7a) is then etched with a plasma gas including chlorine and oxygen by using the etched conductive layer(9a) as a mask. The gate insulating layer(5) has an excellent etch selectivity to the both etched layers(7a,9a), so that the gate insulating layer(5) is not damaged.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成具有高介电常数的栅极绝缘层的晶体管的方法，以防止栅极绝缘层在蚀刻栅电极期间被损坏。 构成：在半导体衬底（1）上形成粘合层（3）之后，在粘合层（3）上形成具有高介电常数的栅极绝缘层（5）。 然后，在栅极绝缘层（5）上依次形成阻挡金属层（7a）和导电层（9a）。 此后，在导电层（9a）上形成诸如氧化物层或氮化物层的掩模层（11a），并通过其上的光刻胶图案进行图案化。 在去除光致抗蚀剂图案之后，通过使用图案化掩模层（11a）作为掩模，用包括氯和氧的等离子体气体蚀刻导电层（9a）。 然后通过使用蚀刻的导电层（9a）作为掩模，用包括氯和氧的等离子体气体蚀刻阻挡金属层（7a）。 栅极绝缘层（5）对两个蚀刻层（7a，9a）具有优异的蚀刻选择性，使得栅极绝缘层（5）不被损坏。

公开(公告)号：KR1020000038807A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：KR1019980053932

申请日：1998-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 주병선 ,  김현우 ,  한재현 ,  강창진

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a lower electrode of a semiconductor device is provided to effectively remove a remaining hard mask by forming the lower electrode using ruthenium. CONSTITUTION: A ruthenium film(12a) is formed on a semiconductor substrate which is formed with an oxide film. A mask pattern(14) formed by ARC or BST is formed on the ruthenium film(12a). By using the mask pattern(14), a lower portion of the ruthenium film(12a) is etched so that a ruthenium electrode is formed. Then, the mask pattern(14) is removed. The etching process for the ruthenium film(12a) is carried out by using a high density plasma ion etching process. The etching process for the ruthenium film(12a) is carried out by using an etching gas including oxygen.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的下电极的方法，以通过使用钌形成下电极来有效地去除剩余的硬掩模。 构成：在形成有氧化膜的半导体衬底上形成钌膜（12a）。 在钌膜（12a）上形成由ARC或BST形成的掩模图案（14）。 通过使用掩模图案（14），蚀刻钌膜（12a）的下部，从而形成钌电极。 然后，去除掩模图案（14）。 钌膜（12a）的蚀刻工艺通过使用高密度等离子体离子蚀刻工艺进行。 通过使用包含氧的蚀刻气体来进行钌膜（12a）的蚀刻工艺。

公开(公告)号：KR1019990069451A

公开(公告)日：1999-09-06

申请号：KR1019980003720

申请日：1998-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한재현

IPC: H01L21/76

Abstract: 본 발명은 트렌치 소자분리 방법에 관한 것으로, 반도체기판 상에 식각마스크층을 형성하는 단계와, 식각마스크층의 소정영역을 선택적으로 과도식각하여 반도체기판의 소정영역을 노출시킴과 동시에 노출된 반도체기판의 표면을 리세스시키는 식각마스크층 패턴을 형성하는 단계와, 식각마스크층 패턴을 등방성 식각하여 리세스된 영역의 주변의 반도체기판 표면을 노출시키는 변형된 식각마스크층 패턴을 형성하는 단계와, 변형된 식각마스크층 패턴을 식각 마스크로하여 노출된 반도체기판을 식각함으로써 둥근 상부 코너부분을 갖는 트렌치 영역을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019990025191A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970046730

申请日：1997-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한재현

IPC: H01L27/108

Abstract: 셀 영역과 코아 영역간의 단차를 없앨 수 있는 층간절연막의 형성방법에 대해 개시된다. 본 발명에 따른 방법은, 반도체기판상의 셀 영역과 코아 영역에 게이트전극, 혹은 비트라인, 혹은 패드 폴리층 등의 도전층들을 절연시키기 위한 층간절연막을 형성하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 층간절연막의 형성 후 CMP 공정을 실시하여 평탄화시킴으로써, 상기 셀 영역과 코아 영역간에 단차가 없도록 하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 많은 층들을 적층하여 형성하는 고집적 반도체장치을 공정들을 어렵지 않게 진행시킬 수 있다.