公开(公告)号：KR1020060032802A

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：KR1020040081772

申请日：2004-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  권장연 ,  타카시노구치

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78696

Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 기판, 상기 기판 위에 상호 이격되어 마련되는 것으로 금속실리사이드로 형성된 소오스와 드레인, 상기 소오스와 드레인 사이에 전기적으로 연결되는 것으로 다결정 실리콘으로 형성된 채널영역, 상기 채널영역에 대응하여 마련된 게이트 및 상기 채널영역과 상기 게이트 사이에 마련된 게이트 절연층을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020060031753A

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：KR1020040080730

申请日：2004-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임혁 ,  타카시노구치 ,  김도영 ,  정지심 ,  권장연 ,  조세영 ,  박경배

IPC: H01L21/32 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/168 ,  H01L21/6838

Abstract: 포토레지스트 베이킹 장치 및 이를 이용한 베이킹 방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 제 1 면에 포토레지스트층이 형성된 기판이 장착되는 기판장착부, 상기 기판의 제 2 면으로 공기를 공급하는 팬부 및 상기 팬부와 기판장착부 사이에 배치되어 상기 기판으로 유동하는 공기를 가열하는 히팅부를 구비하여, 상기 포토레지스트층의 저면에서부터 베이킹이 진행되도록 하는 베이킹 장치 및 이를 이용한 베이킹 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 포토레지스트층이 형성된 기판이 그 상면에 장착되는 것으로 하나 이상의 관통공이 마련된 플레이트, 상기 플레이트의 저면에서 상기 관통공과 연결되는 것으로 상기 기판을 상기 플레이트에 진공흡착시키는 흡입배기부 및 상기 플레이트를 가열하는 히팅부를 구비하는 베이킹 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020060030397A

公开(公告)日：2006-04-10

申请号：KR1020040079241

申请日：2004-10-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종만 ,  타카시노구치 ,  홍완식 ,  김도영 ,  권장연

IPC: H01L21/336

Abstract: 본 발명은 플라스틱 기판 상에 폴리 실리콘 트랜지스터 형성 방법에 관한 것이다. 플라스틱 기판 상에 폴리 실리콘 트랜지스터를 형성하는 방법에 있어서, (가) 플라스틱 기판 상에 폴리 실리콘층, 게이트 절연층 및 게이트 전극층을 순차적으로 형성시키는 단계; (나) 상기 게이트 절연층 및 게이트 전극층의 양측부를 식각하여 상기 폴리 실리콘층의 양측부를 노출시키는 단계; 및 (다) 상기 폴리 실리콘층의 양측부에 도펀트를 단속 도핑법으로 도핑하는 단계;를 포함하는 플라스틱 기판 상에 폴리 실리콘 트랜지스터 형성 방법을 제공한다. 따라서, 대면적에 성능이 우수한 플라스틱 기판 상에 폴리 실리콘 트랜지스터를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060028116A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：KR1020040077152

申请日：2004-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  타카시노구치 ,  조세영 ,  권장연 ,  후아샹잉

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L21/02356 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

Abstract: A method of forming a material (e.g., ferroelectric) film, a method of manufacturing a capacitor, and a method of forming a semiconductor memory device using the method of forming the (e.g., ferroelectric) film are provided. Pursuant to an example embodiment of the present invention, a method of forming a ferroelectric film includes preparing a substrate, depositing an amorphous ferroelectric film on the substrate, and crystallizing the amorphous ferroelectric film by irradiating it with a laser beam. According to still another example embodiment of the present invention, a method of forming a ferroelectric film may reduce the thermal damage to other elements because the ferroelectric film may be formed at a temperature lower than about 500° C. to about 550° C.

公开(公告)号：KR100528326B1

公开(公告)日：2005-11-15

申请号：KR1020020087940

申请日：2002-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도영 ,  박완준 ,  박영수 ,  이준기 ,  민요셉 ,  권장연 ,  서순애 ,  최영민 ,  채수두

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 가요성 기판 상에 구현되는 박막 반도체 소자 및 이를 이용한 전자장치 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 반도체 소자는 가요성 기판 상에 형성되는 박막 반도체 칩과, 박막 반도체 칩을 감싸는 보호캡 및 상기 기판 및 상기 보호캡 상에 형성된 절연층을 구비한다. 개시된 전자장치는, 가요성 기판과 가요성 기판 상에 형성되는 반도체 칩을 포함하는 전자장치에 있어서, 상기 반도체 칩을 감싸는 보호캡을 구비한다. 반도체 칩을 감싸는 보호캡에 의해 기판의 벤딩시 발생하는 응력에 대한 내구성이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020050070675A

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：KR1020030100494

申请日：2003-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권장연 ,  타카시노구치 ,  박영수 ,  김도영

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672

Abstract: Provided are a semiconductor device including an active area which is defined as high and low mobility areas and a thin film transistor having the semiconductor device. The mobility of the active area can be lowered to a level enough to satisfy the requirement of the semiconductor device. The lowering of the mobility of the active area can contribute to reducing mobility deviation between semiconductor devices. As a result, the quality of a flat panel display adopting a large-scale semiconductor device can be greatly improved.

公开(公告)号：KR1020040105359A

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：KR1020030036603

申请日：2003-06-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 타카시노구치 ,  김도영 ,  권장연

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a TFT is provided to prevent damage of a flexible substrate and reduce stress between the flexible substrate and an a-Si thin film by performing a local crystallization process for the a-Si thin film. CONSTITUTION: An a-Si thin film is formed on a flexible substrate(100). A locally-crystallized poly Si thin film is formed on the a-Si thin film by crystallizing a predetermined part of the a-Si thin film. An active region(110) is formed on the locally-crystallized poly Si thin film. A gate electrode(120) is formed on a center of the active layer. A source electrode(130) and a drain electrode(140) are connected to both sides of the active layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造TFT的方法，以通过对a-Si薄膜进行局部结晶处理来防止柔性基板的损坏并减小柔性基板与a-Si薄膜之间的应力。 构成：在柔性基板（100）上形成a-Si薄膜。 通过结晶a-Si薄膜的预定部分，在a-Si薄膜上形成局部结晶的多晶硅薄膜。 在局部结晶的多晶Si薄膜上形成有源区（110）。 栅电极（120）形成在有源层的中心。 源电极（130）和漏电极（140）连接到有源层的两侧。

公开(公告)号：KR1020040061656A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：KR1020020087940

申请日：2002-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도영 ,  박완준 ,  박영수 ,  이준기 ,  민요셉 ,  권장연 ,  서순애 ,  최영민 ,  채수두

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an electronic device is provided to improve tolerance with respect to the stress occurring in bending a flexible substrate by forming a protection cap for capping a thin film semiconductor device installed in the flexible substrate. CONSTITUTION: A thin film semiconductor chip is fabricated on the flexible substrate(51). The protection cap(63) is formed to cover a semiconductor chip. An insulation layer is stacked on the substrate to cover the protection cap. A contact hole is formed from the insulation layer and the protection cap to the upper surface of the semiconductor chip. An electrode electrically contacts the semiconductor chip through the contact hole. A driven unit driven by the semiconductor chip is formed on the electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电子设备的方法，以通过形成用于封装安装在柔性基板中的薄膜半导体器件的保护帽来改善在弯曲柔性基板时发生的应力的公差。 构成：在柔性基板（51）上制造薄膜半导体芯片。 保护帽（63）形成为覆盖半导体芯片。 绝缘层堆叠在基板上以覆盖保护盖。 从绝缘层和保护盖形成到半导体芯片的上表面的接触孔。 电极通过接触孔与半导体芯片电接触。 在电极上形成由半导体芯片驱动的从动单元。

公开(公告)号：KR101778223B1

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：KR1020080090007

申请日：2008-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  류명관 ,  유병욱 ,  이상윤 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/78618

Abstract: 박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 채널과소스및 드레인사이에형성된중간층을포함함으로써, 박막트랜지스터에서발생할수 있는드레인영역의높은오프전류를감소시켜안정된구동이가능한박막트랜지스터를제공한다.

公开(公告)号：KR101623961B1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：KR1020100029352

申请日：2010-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  이창승 ,  이재철 ,  이상윤 ,  권장연 ,  이광희 ,  손경석

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는채널층, 소오스, 드레인및 게이트를덮는것으로높이방향으로성분이달라지는보호층(passivation layer)을포함할수 있다. 상기보호층은순차로적층된실리콘산화물층, 실리콘질산화물층및 실리콘질화물층을포함하는다층구조를가질수 있다. 또는상기보호층은순차로적층된고온산화물층및 질화물층을포함하는다층구조를가질수 있다. 상기채널층은산화물반도체를포함할수 있다.

Abstract translation: 公开了晶体管，其制造方法以及包括晶体管的电子器件。 所公开的晶体管可以包括覆盖沟道层，源极，漏极和栅极的钝化层，其组分在高度方向上变化。 保护层可以具有包括顺序堆叠的氧化硅层，氮氧化硅层和氮化硅层的多层结构。 或者保护层可以具有包括顺序堆叠的高温氧化物层和氮化物层的多层结构。 沟道层可以包括氧化物半导体。