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公开(公告)号：KR100497334B1
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020020069436
申请日：2002-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 감지된 적외선 정보가 열전도에 의하여 짧은 시각내에 감쇄하는 것을 방지하는데 적합한 적외선 감지기용 픽셀 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 적외선 감지기용 픽셀은 적외선 판독회로용 전극을 포함하는 적외선 판독용 집적회로가 형성된 반도체 기판, 상기 반도체 기판상에 공기 간극을 두고 이격되며 적어도 하나 이상의 복수개 적외선감지층이 게이트로 구비되어 어레이를 이루는 TFT로 이루어진 적외선 감지부된 적외선 감지부, 및 상기 적외선 감지부와 상기 적외선 판독회로용 전극을 연결하는 전도성 연결전극을 포함하여, 가스 또는 적외선 등을 감지하는 게이트에 의하여 트랜지스터 드레인 전류가 변화하는 TFT 구조가 진공이나 공기간극에 의하여 반도체 기판과 이격되므로써 감지된 정보가 열전도에 의하여 � ��은 시각내에 감쇄하는 것을 방지하기 때문에 주사방식용 감지기 어레이를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040054202A
公开(公告)日：2004-06-25
申请号：KR1020020081024
申请日：2002-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A plasma display panel device and a method for manufacturing the same are provided to allow the panel to operate at a low voltage by significantly reducing a plasma generating voltage, while achieving improved effective cell efficiency. CONSTITUTION: A plasma display panel device comprises a first substrate(100) constituting a front substrate serving as a display unit; a second substrate(200) constituting a rear substrate, and which is spaced apart from the first substrate and provides a space for containing the gas to be discharged; barrier ribs(300) for defining unit display cells between the first substrate and the second substrate; a phosphor layer(350) formed on the front surface of the second substrate opposed to the first substrate and barrier ribs; an electron gun(400) arranged on the first substrate opposed to the phosphor layer, and which emits electrons for discharge of the gas; and discharge electrodes arranged on the rear surface of the first substrate and applied with an AC voltage for discharge.
Abstract translation: 目的：提供等离子体显示面板装置及其制造方法，以通过显着降低等离子体产生电压，同时实现提高的有效电池效率，使面板以低电压工作。 构成：等离子体显示面板装置包括构成作为显示单元的前面基板的第一基板（100） 构成后基板的第二基板（200），与所述第一基板间隔开并提供用于容纳待排出气体的空间; 隔壁（300），用于在所述第一基板和所述第二基板之间限定单元显示单元; 形成在与第一基板相对的第二基板的前表面上的荧光体层（350）和阻挡肋; 电子枪（400），布置在与荧光体层相对的第一基板上，并且发射电子以排出气体; 以及布置在第一基板的后表面上并施加有用于放电的AC电压的放电电极。
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公开(公告)号：KR101343569B1
公开(公告)日：2013-12-20
申请号：KR1020100029135
申请日：2010-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L29/786 , H01L21/8242
Abstract: 본기술은비휘발성메모리셀 및그 제조방법에관한것이다. 본기술은비휘발성메모리셀에있어서, 기판상에형성된반도체막, 버퍼막, 유기강유전체막및 게이트전극을포함하는메모리트랜지스터; 및상기기판상에형성된상기반도체막, 상기버퍼막, 게이트절연막및 상기게이트전극을포함하는구동트랜지스터를포함한다. 본기술에따르면, 동일한기판상에형성된메모리트랜지스터및 구동트랜지스터를구비하며, 가시광영역에서투명한비휘발성메모리셀을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101211070B1
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：KR1020090040094
申请日：2009-05-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 본발명은비휘발성메모리소자의제조방법에대한것으로서, 이방법은기판상에전도성박막층또는반도체박막층을형성하는단계, 상기전도성박막층또는반도체박막층상부에유기강유전체박막층을형성하는단계, 상기유기강유전체박막층을소정의형태로패터닝하는단계및 상기패터닝된 유기강유전체박막층상부에상부전극층을형성하는단계를포함한다. 따라서, 본발명에따른투명및 유연비휘발성메모리소자는 P(VDF-TrFE) 유기물강유전체박막층으로구성하고, 유기강유전체박막층의내약품성및 공정의존성을고려한소자의제조방법을제공함으로써, 저온공정이가능하고, 저렴하게제작이가능한투명및 유연비휘발성메모리소자를실현할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110021632A
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020100029135
申请日：2010-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L29/786 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/28291 , H01L27/1159 , H01L29/78645
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce the additional packaging expense by mounting the memory transistor inside the system and omitting the external memory. CONSTITUTION: A memory transistor including a semiconductor film(204A), a buffer layer(206A), an organic ferroelectric film(208A), and a gate electrode(214) is formed on a substrate(200). A driving transistor including the semiconductor film, a buffer layer, a gate insulating layer(209A), and a gate electrode is formed on the top of the substrate. The buffer layer is interposed between the semiconductor film and the organic ferroelectric film.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储单元及其制造方法，通过将存储晶体管安装在系统内并省略外部存储器来减少额外的封装费用。 构成：在衬底（200）上形成包括半导体膜（204A），缓冲层（206A），有机铁电体膜（208A）和栅电极（214）的存储晶体管。 包括半导体膜，缓冲层，栅极绝缘层（209A）和栅电极的驱动晶体管形成在基板的顶部。 缓冲层介于半导体膜和有机铁电体膜之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100996644B1
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：KR1020080024208
申请日：2008-03-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 ZnO TFT의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 ZnO TFT의 제조방법은 최적의 공정 조건하에서 아연 전구체와 산소 전구체를 이용하여 원자층 증착법을 통해 이상적인 조성의 ZnO 반도체막을 형성하는 단계를 포함하며, 또한 원자층 증착법을 이용하여 플라즈마 발생을 포함하는 공정을 사용하지 않는 공정으로 일차 절연막을 형성함에 따라 소자의 성능, 특히 이동도와 신뢰성을 개선시킬 수 있다.
산화아연, 원자층 증착법, 반도체막, 일차 절연막-
公开(公告)号：KR100981736B1
公开(公告)日：2010-09-13
申请号：KR1020080063418
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 상변화 재료 영역이 전극층과의 직접 접촉없이 자기 발열 과정에 의해 메모리 동작을 수행하는 자기 발열형 채널 구조를 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자는 기판; 상기 기판 상에 형성된 복수의 제 1 금속 전극층; 상기 기판의 상부에서 상기 복수의 제 1 금속 전극층 사이에 형성되고, 자기 발열형 채널 구조로 구성되는 상변화 재료층; 상기 복수의 제 1 금속 전극층 및 상기 상변화 재료층 상부에 형성된 절연층; 상기 복수의 제 1 금속 전극층의 상부에 형성된 비아 홀; 및 상기 비아 홀을 매립하는 형태로 형성된 제 2 금속 전극층로 구성된다. 본 발명은 별도의 발열 전극을 사용하지 않고 상변화 물질 자체의 저항에 따른 발열 현상을 이용하여 메모리 동작을 수행함으로써, 금속 전극의 열전도에 따른 열손실을 최소화하여 메모리 소자의 소비전력을 감소시킬 수 있다.
상변화, 비휘발성 메모리, 게르마늄-안티몬-텔레륨, 자기 발열Abstract translation: 本发明涉及一种相变存储器装置及其制造的方法，特别是相变存储器装置包括自热型沟道结构，其中所述相变材料区域，以通过自加热过程执行存储器操作，而不与电极层直接接触，并且 及其制造方法。 根据本发明的相变存储器件包括：衬底; 形成在基板上的多个第一金属电极层; 相变材料层，形成在所述衬底上的所述多个第一金属电极层之间，所述相变材料层具有自加热沟道结构; 形成在所述多个第一金属电极层和所述相变材料层上的绝缘层; 形成在多个第一金属电极层的上部中的通孔; 以及形成为填充通孔的第二金属电极层。 本发明通过使用取决于相变材料本身的电阻的发热现象而不使用单独的加热电极而使由于金属电极的热传导导致的热损失最小化，从而降低存储器件的功耗 有。
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公开(公告)号：KR1020100068793A
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020080127269
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L21/28273 , H01L45/141
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile programmable switch device and a method for fabricating the same are provided to improve the retention property of the device by separately forming a first electrode and a second electrode for reading, and a third electrode and a fourth electrode for writing. CONSTITUTION: A first electrode(102) is formed on a semiconductor substrate(100). Insulating layers(104a, 108a) comprise pores(110) which expose a part of the first electrode. A heat-generating electrode(106a) is formed on the lateral side of the pores. A phase-changing layer(112) is connected to the first electrode. A second electrode is connected to the phase-changing layer. A third electrode(122) is connected to one side of the heat-generating electrode. A fourth electrode(126) is connected to another side of the heat-generating electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性可编程开关装置及其制造方法，通过分别形成用于读取的第一电极和第二电极以及用于书写的第三电极和第四电极来改善器件的保持性。 构成：第一电极（102）形成在半导体衬底（100）上。 绝缘层（104a，108a）包括暴露第一电极的一部分的孔（110）。 在孔的侧面形成发热电极（106a）。 相变层（112）连接到第一电极。 第二电极连接到相变层。 第三电极（122）连接到发热电极的一侧。 第四电极（126）连接到发热电极的另一侧。
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公开(公告)号：KR1020100063604A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090025243
申请日：2009-03-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/28291 , B82Y10/00 , H01L27/1159 , H01L29/6684
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile information storage apparatus using organic ferroelectric material and a manufacturing method thereof are provided to improve a leakage current property by inserting a thin inorganic material insulator film. CONSTITUTION: A first electrode layer is formed on a substrate. A ferroelectric material film layer(130) is formed on the first electrode layer(110). A semiconductor film layer(140) is formed on the organic ferroelectric material film layer. A second electrode layer(150) is formed on the semiconductor film layer. An inorganic material insulator film layer(120) is formed on an upper or lower part of the organic ferroelectric film layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用有机铁电材料的非挥发性信息存储装置及其制造方法，通过插入薄的无机材料绝缘膜来提高泄漏电流特性。 构成：在基板上形成第一电极层。 铁电材料膜层（130）形成在第一电极层（110）上。 在有机铁电体膜层上形成有半导体膜层（140）。 在半导体膜层上形成第二电极层（150）。 无机材料绝缘膜层（120）形成在有机铁电体膜层的上部或下部。
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公开(公告)号：KR1020100008883A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：KR1020080069493
申请日：2008-07-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , G11C13/0004 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the power consumption of the phase change memory device by arranging an auxiliary area made of different phase change material around a main operating area made of a phase change material. CONSTITUTION: A first electrode layer(110) is formed on the top of a substrate. A heat emitting electrode layer(120) is formed on the first electrode layer. An insulating layer(130) is formed on the heat emitting electrode layer, and has a pore(150) exposing a part of the heat emitting electrode layer. A phase change material layer(200) is formed to fill in the pore and contact a part of the heat emitting electrode layer. A second electrode layer is formed on the top of the phase change material layer.
Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器件及其制造方法，通过在由相变材料制成的主操作区域周围布置由不同的相变材料制成的辅助区域来减少相变存储器件的功耗。 构成：在基板的顶部上形成第一电极层（110）。 在第一电极层上形成发热电极层（120）。 绝缘层（130）形成在发热电极层上，并且具有暴露一部分发热电极层的孔（150）。 形成相变材料层（200）以填充孔并接触发热电极层的一部分。 第二电极层形成在相变材料层的顶部。
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