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公开(公告)号：KR1020160041190A
公开(公告)日：2016-04-18
申请号：KR1020140134684
申请日：2014-10-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/184 , C01B32/192 , C01B2204/00
Abstract: 본발명은환원된산화그래핀및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따른제조방법은유독한화학처리또는고온어닐링의필요없이고전도성, 가요성및 가공성을가지는환원된산화그래핀을제공할수 있으며, 이는지속가능하고, 간단한화학적환원방법이다.
Abstract translation: 本发明涉及还原型石墨烯氧化物及其制备方法。 根据本发明的制备方法可以提供具有高导电性，柔韧性和生产率的还原型石墨烯氧化物，而不需要苛刻的化学处理或高温退火。 另外，制备方法是可持续，简单的化学还原方法。 还原型石墨烯氧化物的制备方法包括以下步骤：通过干式氧化石墨烯氧化物和叔取代的二卤化二膦来制备还原的氧化石墨烯，或者在氧化石墨烯分散体中混合二卤化物和膦类化合物，然后进行脱氧反应，其中 通过将氧化石墨烯分散在溶剂中形成氧化石墨烯分散体; 并且通过多级连续地洗涤还原的石墨烯氧化物并将其干燥。
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公开(公告)号：KR1020150128514A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020140107696
申请日：2014-08-19
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/1395 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/139 , H01M4/13 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 본발명은리튬이차전지용전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는 2차원형태의전도성소재와구형또는 1차원형태의나노금속소재및 활성소재의단순혼합만으로소재간의혼성화가가능하고, 이를통하여, 전도성소재-나노금속소재-활성소재간의 3차원네트워킹을형성함으로써, 고용량을가지면서반복충방전특성이우수한리튬이차전지용전극및 이의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 锂二次电池用电极及其制造方法技术领域本发明涉及锂二次电池用电极及其制造方法，更具体地说，涉及锂二次电池用电极及其制造方法，其仅在材料之间进行杂交， 二维形状，球状或一维形状的纳米金属材料和活性材料，并且通过在导电材料 - 纳米金属材料活性材料中形成三维网络而具有高容量和优异的重复充电/放电性能。
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73.发明公开폴리프로필렌옥사이드 블록 및 폴리에틸렌옥사이드 블록을 포함하는 블록 공중합체가 가지결합하여 형성된 고분자 및 이온성 전해질을 함유하는 수지조성물로부터 제조된 전해질 막 및 이의 용도 有权通过分散包含聚（丙烯氧化物）块和聚（乙烯氧化物）块和离子电解质的嵌段共聚物形成聚合物的树脂组合物的电解质膜
公开(公告)号：KR1020150061538A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：KR1020140023621
申请日：2014-02-27
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08F297/08 , C08L53/00 , H01M10/04 , H01M10/05 , C08J5/18
CPC classification number: H01G11/56 , H01M10/0565 , H01M2300/0082 , Y02E60/13 , C08F297/08 , C08J5/18 , C08L53/00 , C08L83/00 , H01M10/04 , H01M10/05
Abstract: 본발명은폴리프로필렌옥사이드블록및 폴리에틸렌옥사이드블록을포함하는블록공중합체가가지결합하여형성된고분자를함유하는수지조성물로부터제조된지지체; 상기지지체및 상기지지체에담지된이온전도성전해질을포함하는전해질막; 상기전해질막의제조방법; 및상기전해질막을포함하는전지및 초고용량축전기에관한것이다. 본발명에따라, 폴리프로필렌옥사이드(PPO) 블록및 폴리에틸렌옥사이드(PEO) 블록을포함하는블록공중합체가가지결합하여형성된고분자로부터제조된지지체는이온전도성전해질을함유하는능력이우수하므로이로부터제조된전해질막은높은이온전도도를가지며, PPO 블록을포함하여물리적강도가향상되었으며, 가교결합을통해고온에서도안정한전해질막을제공할수 있다. 따라서, 상기전해질막은이차전지및 초고용량축전기에유용하게사용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种由树脂组合物制成的支撑体，所述树脂组合物包括由分支连接体彼此连接的与聚环氧乙烷嵌段和聚环氧丙烷嵌段的嵌段共聚物制成的聚合物，包括所述载体的电解质膜和 负载在支撑体中的离子导电电解质，电解质膜的制造方法，以及包含电解质膜的电池和超级电容器，其中通过与聚环氧丙烷（PPO）嵌段和聚环氧乙烷（PEO）嵌段共聚物制造的支撑体 ）嵌段在分支连接中彼此连接具有优异的包含离子导电电解质的能力，因此通过使用支撑体制造的电解质膜具有良好的离子导电性和由于PPO嵌段而改善的物理强度，同时保持由于 即使在高温下也是交联键。 因此，电解质膜可用于二次电池和超级电容器。
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公开(公告)号：KR101503011B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130118360
申请日：2013-10-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 본 발명은 전하이동도와 점멸비의 제어가 가능한 박막 트랜지스터와 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 그래핀층과 산화물층의 적층구조를 가지는 채널층을 구비하여 용이하게 전하이동도와 점멸비의 제어가 가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及能够控制开 - 关比和电荷迁移率的薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明的薄膜晶体管通过包括具有氧化物层和石墨烯层的层叠结构的沟道层来容易地控制开 - 关比和电荷迁移率。
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公开(公告)号：KR1020140112633A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130026189
申请日：2013-03-12
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: The present invention relates to a deposition device for an organic-inorganic hybrid thin film and a method for manufacturing an organic-inorganic hybrid thin film using the same. In the deposition device for an organic-inorganic hybrid thin film, an atomic layer deposition chamber for the deposition of inorganic matters and a thermal deposition chamber for the depositing of organic matters are vertically connected. A gate valve is arranged in a connection path connecting the chambers. An injection port for supplying an inorganic deposition source is arranged in the atomic layer deposition chamber. A unit for heating an organic deposition source is arranged in the thermal deposition chamber. In the formation of a molecular organic-inorganic thin film, the present invention can form the multi-layered physical thin film of the organic and inorganic layers using a thermal deposition method and an atomic layer deposition method and the multi-layered thin film of the organic and inorganic layers through a chemical combination on the interface of the organic and inorganic layers.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机 - 无机混合薄膜的沉积装置及其制造方法。 在有机 - 无机混合薄膜的沉积装置中，垂直连接用于沉积无机物质的原子层沉积室和用于沉积有机物的热沉积室。 闸阀布置在连接腔室的连接路径中。 用于提供无机沉积源的注入口布置在原子层沉积室中。 用于加热有机沉积源的单元布置在热沉积室中。 在分子有机 - 无机薄膜的形成中，本发明可以使用热沉积法和原子层沉积法形成有机和无机层的多层物理薄膜，并且可以形成多层薄膜 有机和无机层通过化学组合在有机和无机层的界面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101399552B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020120047439
申请日：2012-05-04
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식1로 표시되는 스트론튬 전구체에 관한 것으로, 상기 스트론튬 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 스트론튬 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2, R3는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R4, R5, R6, R7은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, m, n은 각각 1 내지 3이다.)-
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公开(公告)号：KR1020130125594A
公开(公告)日：2013-11-19
申请号：KR1020120049237
申请日：2012-05-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/403
Abstract: The present invention relates to a magnesium oxide precursor which is denoted by chemical formula 1. The magnesium oxide precursor is thermally stable and highly volatile to obtain a thin film which contains high quality magnesium oxide.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的氧化镁前体。氧化镁前体是热稳定且高挥发性的，以获得含有高质量氧化镁的薄膜。
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公开(公告)号：KR1020130124814A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020120048238
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07D487/22 , H01L51/0091 , H01L51/0545
Abstract: The present invention relates to a novel preparation method of a benzoporphyrin derivative and the fabrication of an organic thin-film transistor thereby. The novel preparation method of the benzoporphyrin derivative by the present invention remarkably reduces the number of production processes compare to existing preparation method of the benzoporphyrin derivative for economically obtaining the benzoporphyrin derivative which is a target compound. The process is simplified and the facility and production costs for applying the printing method are reduced by dissolving the benzoporphyrin derivative in more than two kinds of mixed organic solvent with different boiling points, and fabricating the organic thin-film transistor using the printing method.
Abstract translation: 本发明涉及一种苯并卟啉衍生物的新型制备方法及其制造有机薄膜晶体管。 本发明的苯并卟啉衍生物的新型制备方法与用于经济地获得作为目标化合物的苯并卟啉衍生物的苯并卟啉衍生物的现有制备方法相比，显着降低了制备方法的数量。 该方法简化，通过将苯并卟啉衍生物溶解在两种以上沸点不同的混合有机溶剂中，并且使用印刷方法制造有机薄膜晶体管来降低印刷方法的设备和生产成本。
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公开(公告)号：KR1020130104627A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120026274
申请日：2012-03-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A method for forming a thin film including Sb with an atomic layer deposition method is provided to improve productivity by forming the thin film including Sb at low temperatures through an atomic layer deposition process using a Sb precursor. CONSTITUTION: A substrate is prepared in a vacuum chamber. A Sb precursor material is prepared. A source gas is prepared by the Sb precursor material. A reactive gas including a hydrogen gas is prepared. A purge gas is prepared. A metal precursor gas is prepared by a metal precursor material. A thin film of a Sb-metal monolayer is formed on the substrate by successively supplying the source gas, the reactive gas, the purge gas, and the metal precursor gas to the vacuum chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种通过原子层沉积法形成包含Sb的薄膜的方法，以通过使用Sb前体的原子层沉积工艺在低温下形成包含Sb的薄膜来提高生产率。 构成：在真空室中制备基材。 制备Sb前体材料。 源气体由Sb前体材料制备。 制备包括氢气的反应气体。 准备吹扫气体。 通过金属前体材料制备金属前体气体。 通过将源气体，反应气体，吹扫气体和金属前体气体依次供给到真空室，在基板上形成Sb-金属单层薄膜。
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