公开(公告)号：DE102013218238A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE102013218238

申请日：2013-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterbauelements offenbart. In einem Halbleiterkörper (1), der eine Oberseite (18) und eine Unterseite (19) aufweist, werden ein erster Graben (21), der sich von der Oberseite (18) in den Halbleiterkörper (1) erstreckt, und ein zweiter Grabens (22, 23), der sich von der Oberseite (18) in den Halbleiterkörper (1) erstreckt, simultan in einem gemeinsamen Ätzprozess erzeugt. Der erste Graben (21) besitzt eine erste Breite (w21), der zweite Graben (22, 23) eine zweite Breite (w22, w23), die größer ist, als die erste Breite (w21). Danach wird in dem ersten Graben (21) und in dem zweiten Graben (22, 23) eine Oxidschicht (3) derart erzeugt, dass die Oxidschicht (3) den ersten Graben (21) füllt und eine Oberfläche des zweiten Grabens (22, 23) elektrisch isoliert. Nachfolgend wird die Oxidschicht (3) teilweise oder vollständig aus dem ersten Graben (21) entfernt, so der Halbleiterkörper (1) einen frei liegenden ersten Oberflächenabschnitt (10) aufweist, der sich in dem ersten Graben (21) befindet.

公开(公告)号：DE102013110180A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102013110180

申请日：2013-09-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLOESSER TILL ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (90) umfasst einen Sourcebereich (20), einen Drainbereich (40) und eine Gateelektrode (60). Die Gateelektrode (60) ist in einem ersten Trench (65) angeordnet, der in einer oberen Oberfläche (10) des Halbleitersubstrates (1) ausgebildet ist. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin eine Steuerelektrode (70). Die Steuerelektrode (70) ist in einem zweiten Trench (150) vorgesehen, der in der oberen Oberfläche (10) des Halbleitersubstrates (1) angeordnet ist. Der zweite Trench (150) hat eine zweite Gestalt, die von einer ersten Gestalt des ersten Trenches (65) verschieden ist.

公开(公告)号：DE102013108946A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：DE102013108946

申请日：2013-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MEISER ANDREAS ,  LANG HANS-PETER ,  MEYER THORSTEN ,  IRSIGLER PETER

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/283 ,  H01L21/74 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Halbleiterkörper (105) mit einer ersten Seite (112) und einer zweiten Seite (117), die entgegengesetzt zu der ersten Seite (112) ist. Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst außerdem einen ersten Kontakttrench (110), der sich in den Halbleiterkörper (105) an der ersten Seite (112) erstreckt. Der erste Kontakttrench (110) umfasst ein erstes leitendes Material (114), das elektrisch mit dem an den ersten Kontakttrench (110) angrenzenden Halbleiterkörper (105) gekoppelt ist. Der Halbleiter umfasst weiterhin einen zweiten Kontakttrench (115), der sich in den Halbleiterkörper (105) an der zweiten Seite (117) erstreckt. Der zweite Kontakttrench (115) umfasst ein zweites leitendes Material (119), das elektrisch mit dem an den zweiten Kontakttrench (115) angrenzenden Halbleiterkörper (105) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102011079138A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：DE102011079138

申请日：2011-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: Beschrieben werden ein vertikales Transistorbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Transistorbauelements. Das vertikale Transistorbauelement weist auf: – einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102); – ein Driftgebiet (13); – wenigstens ein Sourcegebiet (11) und wenigstens ein Bodygebiet (12), die zwischen dem Driftgebiet (13) und der ersten Oberfläche (101) angeordnet sind, wobei das Bodygebiet (12) zwischen dem Sourcegebiet (11) und dem Driftgebiet (13) angeordnet ist; – wenigstens eine Gateelektrode (15), die benachbart zu dem Bodygebiet (12) angeordnet ist, und ein Gatedielektrikum (16), das zwischen der Gateelektrode (15) und dem wenigstens einen Bodygebiet (12) angeordnet ist; – ein Draingebiet (14), das zwischen dem Driftgebiet (13) und der zweiten Oberfläche (102) angeordnet ist; – eine Sourceelektrode (41), die das wenigstens eine Sourcegebiet (11) elektrisch kontaktiert und die elektrisch gegenüber der Gateelektrode (15) isoliert ist und oberhalb der ersten Oberfläche (101) angeordnet ist; – eine Drainelektrode (42), die das Draingebiet (14) elektrisch kontaktiert und die auf der zweiten Oberfläche (102) angeordnet ist; – wenigstens eine Gateverbindungselektrode (21), die elektrisch gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist, die sich in dem Halbleiterkörper (100) zu der zweiten Oberfläche (102) erstreckt und die elektrisch an die wenigstens eine Gateelektrode (15) angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102007010884B4

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：DE102007010884

申请日：2007-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  HIRLER FRANZ ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102005041256B4

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：DE102005041256

申请日：2005-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  ZUNDEL MARKUS ,  POELZL MARTIN ,  ZELSACHER RUDOLF

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Embedded in a trench structure (3) and electrically insulated against a semiconductor body (2) by an insulating structure (5), an electrode structure has a gate electrode structure (4 1) and a field electrode structure (4 2) fitted beneath the gate electrode structure and electrically insulated by it. An independent claim is also included for a method for producing a trench transistor.

公开(公告)号：DE102005055838B4

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：DE102005055838

申请日：2005-11-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  ZELSACHER RUDOLF ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

公开(公告)号：DE10345447B4

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：DE10345447

申请日：2003-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: Production of a semiconductor power component (10) comprises forming a semiconductor structure (2) in/on a substrate (1), and trimming a part of the substrate to the target thickness using an etchant at an etching rate depending on the concentration and/or type of dopant. The etchant is selected so that the trimming process is stopped or slowed down by a semiconductor region acting as stop layer.

公开(公告)号：DE102004021393B4

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：DE102004021393

申请日：2004-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L29/06

公开(公告)号：DE102004057791A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：DE102004057791

申请日：2004-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: The transistor has a semiconductor body, in which several cell field trenches (5) are formed. The trenches are separated from each other by mesa regions. Electrodes (9) embedded in the trenches lie on a source potential. A source region (21), a body region (17) and a body contact region (19) are provided in the mesa regions. Horizontal extension of the trenches is less than the horizontal extension of mesa regions. The body contact region is designed in the form of a layer, which forms a part of an upper region of inner wall of the cell field trenches. An independent claim is also included for a method of manufacturing the source regions, body regions and body contact regions in mesa regions of trench transistors.