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    75.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007010755A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：DE102007010755

    申请日：2007-03-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  HAHN BERTHOLD ,  SORG JOERG ERICH ,  GRUBER STEFAN

    IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075

    Abstract: An arrangement includes a semiconductor chip, which is designed to emit light during operation, and a cover layer, which lies across from the light-emitting surface of the semiconductor chip, such that light emitted from the semiconductor chip penetrates into the cover layer. In an area of the cover layer, overlapping with the chip, a light deflecting structure is provided by means of which light penetrating into the cover layer is deflected. The cover layer acts as an optical waveguide and is designed to emit the light such that it is distributed over the upper surface of cover layer.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil
    77.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102018118355A1

    公开(公告)日：2020-01-30

    申请号：DE102018118355

    申请日：2018-07-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VÖLKL MICHAEL ,  HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), welche eine aktive Zone (23) zur Strahlungserzeugung zwischen einem ersten Bereich (21) und einem zweiten Bereich (22) aufweist. Der zweite Bereich (22) ist über elektrische Durchkontaktierungen (32) elektrisch kontaktiert. Die Durchkontaktierungen (32) sind über metallische Kontaktleisten (42) elektrisch angeschlossen. Der erste Bereich (21) ist über eine metallische Kontaktschicht (31) elektrisch kontaktiert. Eine elektrische Isolationsschicht (61) befindet sich zwischen den Kontaktleisten (42) und der Kontaktschicht (31). Die Kontaktschicht (31) und die Kontaktleisten (42) befinden sich an einer Rückseite (20) des ersten Bereichs (21). Die Durchkontaktierungen (32) erstrecken sich von den Kontaktleisten (42) ausgehend durch den ersten Bereich (21) und durch die aktive Zone (23) in den zweiten Bereich (22). Die Kontaktleisten (42) liegen zumindest überwiegend zwischen der Rückseite (20) und der Kontaktschicht (31).

    Opto-elektronische Baugruppe, Verfahren und Formteil
    78.
    发明专利
    Opto-elektronische Baugruppe, Verfahren und Formteil 未知

    公开(公告)号：DE102018104169A1

    公开(公告)日：2019-08-29

    申请号：DE102018104169

    申请日：2018-02-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER FRANK ,  HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L33/62 ,  D03D15/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/52 ,  H05K7/02

    Abstract: Eine opto-elektronische Baugruppe umfasst wenigstens zwei elektrische Kontakte auf einer Oberfläche eines opto-elektronischen Bauelements zur Zuführung elektrischer Energie für die Erzeugung elektromagnetischer Strahlung und wenigstens zwei mäanderförmige Kontaktfahnen (2), die jeweils einen ersten und einen zweiten Abschnitt (2a, 3a) aufweisen. Der jeweils erste Abschnitt (2a) der wenigstens zwei mäanderförmige Kontaktfahnen (2) ist mit jeweils einem der wenigstens zwei elektrischen Kontakte verbunden. Der jeweils zweite Abschnitt der wenigstens zwei mäanderförmige Kontaktfahnen (2) umfasst einen Befestigungselement (5), das ausgestaltet ist, mit einer Faserstruktur eines Trägers, eine mechanische Verknüpfung einzugehen, sowie eine elektrische Verbindung zum ersten Abschnitt herzustellen.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
    80.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102017106755A1

    公开(公告)日：2018-10-04

    申请号：DE102017106755

    申请日：2017-03-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PLÖSSL ANDREAS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  SINGER FRANK ,  SCHWARZ THOMAS

    IPC: H01L21/50 ,  H01L25/075

    Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips eingerichtet und umfasst die Schritte:A) Bereitstellen von mindestens zwei Quellsubstraten (21, 22), wobei jedes der Quellsubstrate (21, 22) mit einer bestimmten Art von Strahlung emittierenden Halbleiterchips (41, 42, 43) bestückt ist,B) Bereitstellen eines Zielsubstrats (3) mit einer Montageebene (30), die für eine Montage der Halbleiterchips (41, 42, 43) eingerichtet ist,C) Übertragen mindestens eines Teils der Halbleiterchips (41, 42, 43) mit einem Scheibe-zu-Scheibe-Prozess von den Quellsubstraten (21, 22) auf das Zielsubstrat (3), sodass die auf das Zielsubstrat (3) übertragenen Halbleiterchips (41, 42, 43) innerhalb einer Art ihre relative Position zueinander beibehalten, sodass jede Art von Halbleiterchips (41, 42, 43) auf dem Zielsubstrat (3) eine andere Höhe über der Montageebene (30) aufweist, wobei die Halbleiterchips (41, 42, 43) zumindest teilweise übereinander gestapelt werden und/oder zumindest teilweise auf wenigstens einer Vergussschicht (71, 72, 73) aufgebracht werden.

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