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公开(公告)号：CN103052011B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201210385741.7
申请日：2012-10-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B2201/0257 , H01L2224/48091 , H04R19/005 , H04R31/006 , Y10T29/4913 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了微机械功能装置、尤其扬声器装置和相应的制造方法。该功能装置、尤其扬声器装置包含有衬底（5）、至少一个安置在该衬底（1）上的电路芯片（30，31）、其中封装有所述电路芯片（30，31）的包覆封装（15）、微机械功能结构、尤其设置在该包覆封装（15）上具有多个微机械扬声器（9a,9b,9c）的扬声器结构（19）、以及与封装（15）相对地安置在该功能结构、尤其微机械扬声器结构（10）之上的覆盖装置（20）。
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公开(公告)号：CN108696811A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810307956.4
申请日：2018-04-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H04R31/003 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00309 , B81C2201/013 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H04R1/04 , H04R7/06 , H04R19/02 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R19/00 , H04R31/00 , H04R2231/00
Abstract: 本公开涉及一种MEMS声学换能器元件(100)以及一种用于制造这样的MEMS声学换能器元件(100)的方法，其中，所述方法还包括提供第一衬底(200)，其中所述第一衬底(200)具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)。另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻，直到第一深度(d1)，另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施第二蚀刻，以便在所述第一面部段(221)中暴露所述膜层(203)并且为所述膜层(203)产生背部容积。
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公开(公告)号：CN108423634A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810245251.4
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔IP公司
IPC: B81B7/00 , B81C1/00 , H01L23/488 , H01L23/49
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 本申请提供了专用集成电路(ASIC)上的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔，以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中，封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号：CN104333838B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201410349209.9
申请日：2014-07-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0136 , B81B2203/053 , H01L21/30604 , H04R19/005 , H04R2201/003
Abstract: 公开了一种微机电系统器件。MEMS器件包括振膜，振膜包括第一多个指状物。对置电极布置包括第二多个指状物，第二多个指状物按照与振膜的第一多个指状物相间错开的关系放置。偏转器被配置为使振膜偏转，使得第一和第二多个指状物在除了指状物的表面的最大重叠之外的位置中位移。
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公开(公告)号：CN108383076A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810105212.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·德厄
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0005 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , H04R7/10 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 膜构件包括具有导电膜层的膜结构。导电膜层具有悬置区域和膜区域。另外，导电膜层的悬置区域布置在绝缘层上。此外，绝缘层布置在承载基体上。此外，膜构件包括对电极结构。在对电极结构和导电膜层的膜区域之间垂直地布置有空腔。此外，所述导电膜层的边缘以在所述导电膜层和所述对电极结构之间的垂直距离一半以上为幅度横向突出超过所述绝缘层的边缘。此外，所述导电膜层吸收在所述导电膜层的膜区域偏移时而施加在所述膜结构上的90％以上的力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104604248B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201380046744.0
申请日：2013-09-10
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R23/00 , B81B7/0061 , B81B7/0064 , B81B2201/0257 , H01L2224/48137 , H04R1/04 , H04R2201/003
Abstract: 一种MEMS麦克风封装(300)包括基板(305)和模制盖(307)。导电盖迹线(313)和导电基板迹线(311)在安装于基板(305)上的一个或多个部件(301、309、317)和安装于盖上的一个或多个部件(301、309、317)之间提供电联接。所述一个或多个部件的示例是MEMS麦克风裸片(301)、ASIC(309)和电接触垫(317)。
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公开(公告)号：CN108017036A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710459683.0
申请日：2017-06-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H04R17/02 , B81B3/0037 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81C1/00158 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L41/042 , H01L41/1132 , H01L41/1138 , H01L41/312 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003
Abstract: 一种压电型MEMS传感器、具体地麦克风(50)，形成于采用半导体材料的容纳柔顺部分(54)的膜(52)中，该柔顺部分从该膜的第一表面(52a)延伸至第二表面(52b)。该柔顺部分(54)具有低于该膜(52)的其余部分的杨氏模量。具有半导体材料的敏感区域(57)在该柔顺部分(54)上方在该第一表面(52a)上延伸，并且在其端部在所述柔顺部分(54)的相反侧上固定至所述膜(52)上。所述膜的安排在所述柔顺部分(54)与所述第二表面(52b)之间的第三区域(55)形成铰链元件。
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公开(公告)号：CN104603945B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201380033342.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔IP公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 在各实施例中，封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔，以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中，封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号：CN102649535B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201210041782.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81B2207/097 , B81C2203/0109 , B81C2203/0154 , G01L19/0084 , G01L19/141 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H04R1/086 , H04R19/04 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提出了一种构件载体，其能够实现具有敏感结构的MEMS构件的成本有利、位置节省且应力较小的封装。构件载体(130)尤其适于应被安装在壳体(120)的空腔中并且被电接通的MEMS构件(10)。根据本发明的构件载体(330)被实现为在一侧敞开的空心体形式的复合件，复合件基本上由在其造型方面柔性的、三维成形的载体膜(331)和包覆材料(332)形成。包覆材料(332)在一侧成型在载体膜(331)上，使得载体膜(331)设置在构件载体(330)的内壁上。在具有载体膜(131)的内壁上构造有用于至少一个构件(10，51)的至少一个安装面。此外，载体膜(331)设有用于所述至少一个构件(10，51)的电接通的接触面和绝缘的印制导线。
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公开(公告)号：CN107337174A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710498408.X
申请日：2017-06-27
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B2201/0257 , B81C1/00158 , B81C1/00182
Abstract: 本发明提供一种多晶硅振膜结构的制作方法。现有方法易导致薄膜的形状及尺寸偏离最优值，影响多晶硅振膜的工作性能。本发明方法首先在基底上依次制备下SiO2薄膜层和下多晶硅薄膜，然后将下多晶硅薄膜层刻穿，形成圆环形的沟槽结构，再在其上依次制备上SiO2薄膜层和上多晶硅薄膜层，依次将基底和下SiO2薄膜层刻穿，形成通孔，将下多晶硅薄膜层的圆环形的沟槽内填充的SiO2腐蚀干净，最后沿圆环形的沟槽，将上SiO2薄膜层刻穿，完全释放上多晶硅薄膜层以下的微腔，形成多晶硅振膜结构。本发明方法避免化学机械抛光工艺及其不利影响，能够精确控制多晶硅振膜的尺寸与形状，提高振膜的可靠性以及基于该振膜的器件的工作性能。
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