公开(公告)号：TWI536476B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW104110541

申请日：2015-03-31

Applicant: 日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

Inventor： 山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  小田大造 ,  ODA, DAISO ,  大石良 ,  OISHI, RYO ,  榛原照男 ,  HAIBARA, TERUO ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO

IPC: H01L21/60 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  B21C1/00

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005

公开(公告)号：KR101637288B1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：KR1020140158778

申请日：2014-11-14

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 홍경국 ,  노현우 ,  정영균 ,  천대환 ,  이종석 ,  강수빈

IPC: C04B37/00 ,  C04B37/02

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K35/025 ,  B23K35/264 ,  B23K35/3006 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/166 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13388 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본발명의일 실시예에따른은 페이스트의접합방법은복수개의은 분말및 복수개의비스무스분말을포함하는은 페이스트를반도체소자또는기판에도포하는단계, 상기반도체소자를상기기판위에배치하는단계, 그리고상기은 페이스트를가열하여접합층을형성하는단계를포함하고, 상기반도체소자및 상기기판은상기접합층을통하여접합된다.

公开(公告)号：KR1020150140405A

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：KR1020157034061

申请日：2015-03-31

Applicant: 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 ,  신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤

Inventor： 야마다다카시 ,  오다다이조 ,  오이시료 ,  하이바라데루오 ,  우노도모히로

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/495 ,  H01L21/324 ,  C22F1/14 ,  C22F1/00 ,  C22C5/08 ,  C22C5/06

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005

Abstract: 리닝불량과스프링불량을모두억제하기위해서, (1) 와이어중심을포함해서와이어길이방향으로평행한단면(와이어중심단면)에있어서, 긴직경(a)과짧은직경(b)의비(a/b)가 10 이상이며또한면적이 15㎛이상인결정립(섬유상조직)이존재하지않고, (2) 와이어중심단면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 50% 이상 90% 이하이고, (3) 와이어표면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 50% 이상 90% 이하인것을특징으로하는반도체장치용본딩와이어. 신선공정중에감면율이 15.5% 이상의신선가공을적어도 1회행하고, 최종열처리온도와최종전 열처리온도를소정범위로한다.

Abstract translation: 用于半导体器件的接合线，其中通过（1）在包含线中心并且平行于线纵向（线中心横截面）的横截面中抑制倾斜故障和弹簧故障，不存在具有 长轴“a”的比率a / b和短轴“b”为10以上，面积为15μm2以上（“纤维织构”），（2）在测定线中的晶体方向时 线中心横截面的纵向方向，晶体方向<100>相对于导线纵向的角度差为15°以下的面积比为50％〜90％，（3） 当在线表面测量线长度方向的晶体方向时，晶体方向<100>相对于线长度方向的角度差为15°以下的面积比为50％〜90％ 。 在绘制陡峭期间，至少进行一次具有15.5％以上面积缩小率的绘图操作。 将最终的热处理温度和预热处理温度设定为预定范围。

公开(公告)号：KR1020150139980A

公开(公告)日：2015-12-14

申请号：KR1020157033969

申请日：2015-03-31

Applicant: 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 ,  신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤

Inventor： 야마다다카시 ,  오다다이조 ,  오이시료 ,  하이바라데루오 ,  우노도모히로

IPC: H01L23/00 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  B21C1/00

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 리닝불량과스프링불량을모두억제하기위해서, (1) 와이어중심을포함해서와이어길이방향으로평행한단면(와이어중심단면)에있어서긴 직경(a)과짧은직경(b)의비(a/b)가 10 이상이며또한면적이 15㎛이상인결정립(섬유상조직)이존재하지않고, (2) 와이어중심단면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 10% 이상 50% 미만이고, (3) 와이어표면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 70% 이상인것을특징으로하는반도체장치용본딩와이어. 신선공정중에감면율이 15.5% 이상의신선가공을적어도 1회행하고, 최종열처리온도와최종전 열처리온도를소정범위로한다.

Abstract translation: 用于半导体器件的接合线，其中通过（1）在包含线中心并且平行于线纵向（线中心横截面）的横截面中抑制倾斜故障和弹簧故障，不存在具有 长轴“a”的比率a / b和短轴“b”为10以上，面积为15μm2以上（“纤维织构”），（2）在测定线中的晶体方向时 线中心横截面的长度方向，晶体方向<100>与线长度方向的角度差为15°以下的面积比为10％以上且小于50％，（ 3）当在线表面测量线长度方向的晶体方向时，晶体方向<100>与线长度方向的角度差为15°以下的面积比为70％， 更多。 在拉伸步骤中，至少进行一次具有15.5％以上的面积减小率的拉拔操作。 将最终的热处理温度和预热处理温度设定为预定范围。

公开(公告)号：KR1020150086014A

公开(公告)日：2015-07-27

申请号：KR1020140006091

申请日：2014-01-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김해천 ,  안호균 ,  민병규 ,  윤형섭 ,  임종원

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0225 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/45099

Abstract: 본발명은 GaN 트랜지스터와그 제조방법에관한것으로, 와이어본딩또는후면비아홀공정에적합하도록소오스, 드레인및 게이트의본딩패드가장자리에오믹금속층을형성시키는것으로본딩패드구조를개선한것이다. 이에따라, GaN 트랜지스터제작시오믹금속을본딩패드의가장자리에형성함으로써본딩패드의금속층과 GaN 기판과의접착력을강화시켜와이어본딩또는후면비아홀공정시패드층이분리되는현상을최소화하고소자의신뢰성을향상시키는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及GaN晶体管及其制造方法。 在栅极，漏极和源极的焊盘边缘上形成欧姆金属层，以进行引线接合或背面通孔工艺。 改善了焊盘。 因此，可以通过在制造GaN晶体管时在焊盘的边缘上形成欧姆金属来增强焊盘的金属层与GaN衬底之间的粘合。 因此，可以使引线接合或背面通孔工序中的焊盘层的分离最小化，并且可以提高器件的可靠性。

公开(公告)号：TWI422069B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：TW099101816

申请日：2010-01-22

Applicant: 日亞化學工業股份有限公司 ,  NICHIA CORPORATION

Inventor： 藏本雅史 ,  KURAMOTO, MASAFUMI ,  小川悟 ,  OGAWA, SATORU ,  丹羽實輝 ,  NIWA, MIKI

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L23/08 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0226 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/05599

公开(公告)号：TW201041188A

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：TW099101816

申请日：2010-01-22

Applicant: 日亞化學工業股份有限公司

Inventor： 藏本雅史 ,  小川悟 ,  丹羽實輝

IPC: H01L

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L23/08 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0226 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本發明之目的在於提供一種製造導電性材料之方法,該導電性材料產生較低之電阻値,且係使用不含接著劑之廉價且穩定之導電性材料用組合物而獲得者。一種半導體裝置之製造方法,該半導體裝置係將施於基體表面之銀或氧化銀、與施於半導體元件表面之銀或氧化銀接合而成者,該方法係經過以下步驟而製造半導體裝置:以施於半導體元件表面之銀或氧化銀接觸於施於基體表面之銀或氧化銀上之方式配置半導體元件;對半導體元件或基體施加壓力或施加超音波振動,將半導體元件與基體暫時接合;以及對半導體元件及基體施加150℃~900℃之溫度,將半導體元件與基體正式接合。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种制造导电性材料之方法,该导电性材料产生较低之电阻値,且系使用不含接着剂之廉价且稳定之导电性材料用组合物而获得者。一种半导体设备之制造方法,该半导体设备系将施于基体表面之银或氧化银、与施于半导体组件表面之银或氧化银接合而成者,该方法系经过以下步骤而制造半导体设备:以施于半导体组件表面之银或氧化银接触于施于基体表面之银或氧化银上之方式配置半导体组件;对半导体组件或基体施加压力或施加超音波振动,将半导体组件与基体暂时接合;以及对半导体组件及基体施加150℃~900℃之温度,将半导体组件与基体正式接合。

公开(公告)号：TW201603151A

公开(公告)日：2016-01-16

申请号：TW104110541

申请日：2015-03-31

Applicant: 日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

Inventor： 山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  小田大造 ,  ODA, DAISO ,  大石良 ,  OISHI, RYO ,  榛原照男 ,  HAIBARA, TERUO ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO

IPC: H01L21/60 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  B21C1/00

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005

Abstract: 為了同時抑制偏斜不良與彈性不良，本發明提供一種半導體裝置用接合導線，其特徵在於：(1)於包含導線中心且平行於導線長度方向之剖面(導線中心剖面)中，不存在長徑a與短徑b之比a/b為10以上、進而面積為15μm2以上之晶粒(纖維狀組織)，(2)測定導線中心剖面之導線長度方向之結晶方位，結果相對於上述導線長度方向角度差為15°以下之結晶方位 之存在比率以面積率計為50%以上且90%以下，(3)測定導線表面之導線長度方向之結晶方位，結果相對於上述導線長度方向角度差為15°以下之結晶方位 之存在比率以面積率計為50%以上且90%以下。於拉線步驟中，進行至少1次縮面率為15.5%以上之拉線加工，將最終熱處理溫度與最終前熱處理溫度設為特定範圍。

Abstract in simplified Chinese: 为了同时抑制偏斜不良与弹性不良，本发明提供一种半导体设备用接合导线，其特征在于：(1)于包含导线中心且平行于导线长度方向之剖面(导线中心剖面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上、进而面积为15μm2以上之晶粒(纤维状组织)，(2)测定导线中心剖面之导线长度方向之结晶方位，结果相对于上述导线长度方向角度差为15°以下之结晶方位<100>之存在比率以面积率计为50%以上且90%以下，(3)测定导线表面之导线长度方向之结晶方位，结果相对于上述导线长度方向角度差为15°以下之结晶方位<100>之存在比率以面积率计为50%以上且90%以下。于拉线步骤中，进行至少1次缩面率为15.5%以上之拉线加工，将最终热处理温度与最终前热处理温度设为特定范围。

公开(公告)号：TW201603150A

公开(公告)日：2016-01-16

申请号：TW104110540

申请日：2015-03-31

Applicant: 日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

Inventor： 山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  小田大造 ,  ODA, DAISO ,  大石良 ,  OISHI, RYO ,  榛原照男 ,  HAIBARA, TERUO ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO

IPC: H01L21/60 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  B21C1/00

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 為了同時抑制偏斜不良與彈性不良，本發明提供一種半導體裝置用接合導線，其特徵在於：(1)於包含導線中心且平行於導線長度方向之剖面(導線中心剖面)中，不存在長徑a與短徑b之比a/b為10以上、進而面積為15μm2以上之晶粒(纖維狀組織)，(2)測定導線中心剖面之導線長度方向之結晶方位，結果相對於上述導線長度方向角度差為15°以下之結晶方位 之存在比率以面積率計為10%以上且未達50%，(3)測定導線表面之導線長度方向之結晶方位，結果相對於上述導線長度方向角度差為15°以下之結晶方位 之存在比率以面積率計為70%以上。於拉線步驟中，進行至少1次縮面率為15.5%以上之拉線加工，將最終熱處理溫度與最終前熱處理溫度設為特定範圍。

Abstract in simplified Chinese: 为了同时抑制偏斜不良与弹性不良，本发明提供一种半导体设备用接合导线，其特征在于：(1)于包含导线中心且平行于导线长度方向之剖面(导线中心剖面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上、进而面积为15μm2以上之晶粒(纤维状组织)，(2)测定导线中心剖面之导线长度方向之结晶方位，结果相对于上述导线长度方向角度差为15°以下之结晶方位<100>之存在比率以面积率计为10%以上且未达50%，(3)测定导线表面之导线长度方向之结晶方位，结果相对于上述导线长度方向角度差为15°以下之结晶方位<100>之存在比率以面积率计为70%以上。于拉线步骤中，进行至少1次缩面率为15.5%以上之拉线加工，将最终热处理温度与最终前热处理温度设为特定范围。

公开(公告)号：TWI545667B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW104110540

申请日：2015-03-31

Applicant: 日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

Inventor： 山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  小田大造 ,  ODA, DAISO ,  大石良 ,  OISHI, RYO ,  榛原照男 ,  HAIBARA, TERUO ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO

IPC: H01L21/60 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  B21C1/00

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005