Verfahren und Vorrichtung zur präzisen Leistungsbestimmung unterhalb der Quantenrauschgrenze

    公开(公告)号:DE102010023362A1

    公开(公告)日:2011-12-15

    申请号:DE102010023362

    申请日:2010-06-11

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Leistungsmessvorrichtung (1) und ein Verfahren zum Bestimmen der Strahlungsleistung eines Signalstrahls (2) mit einer Genauigkeit unterhalb des Quantenrauschlimits. Das vorgeschlagene Verfahren umfasst die Schritte: Einkoppeln des Signalstrahls (2) in einen Resonator (4), so dass in dem Resonator (4) ein Messstrahl (7) umläuft, wobei in dem Resonator (4) an einem nichtlinearen optischen Element (8) eine Selbstphasenmodulation des Messstrahls (7) ausgeführt wird, die proportional zur Leistung des Messstrahls (7) in dem nichtlinearen optischen Element (8) ist, Auskoppeln zumindest eines Teils des Messstrahls (7) als Nachweisstrahl (10) aus dem Resonator (4) und Ermitteln eines durch die Selbstphasenmodulation bewirkten Phasenversatzes gegenüber einer Phasenreferenz, Ableiten der Leistung aus dem ermittelten Phasenversatz.

    Vorrichtung, Tastkopf und Verfahren zur galvanisch entkoppelten Übertragung eines Messsignals

    公开(公告)号:DE102005061683B4

    公开(公告)日:2011-12-08

    申请号:DE102005061683

    申请日:2005-12-21

    Abstract: Vorrichtung zur galvanisch entkoppelten Spannungsmessung, bei dem ein Transceiver für Mikrowellen (1) über ein Mittel zur galvanisch entkoppelten Übertragung von Mikrowellen mit einem Sensor (3) verbunden ist, der keine Spannungsversorgung benötigt, wobei: das Mittel zur galvanisch entkoppelten Übertragung der Mikrowellen ein dielektrischer Wellenleiter (2) ist, der mit einem Reflektor (17) verbunden ist; der Sensor (3) einen Transistor (6) zur Veränderung der Reflektion des Mikrowellensignals umfasst; der Reflektor (17) mit dem Drain-Source-Kanal des Transistors (6) verbunden ist; und ein elektrischer Messeingang (7) der Vorrichtung durch Gate und Source des Transistors (6) gebildet wird.

    Anordnung zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung

    公开(公告)号:DE102010019660A1

    公开(公告)日:2011-11-03

    申请号:DE102010019660

    申请日:2010-04-30

    Abstract: Die Erfindung bezieht sich u. a. auf eine Anordnung (10) zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung, wobei die Anordnung anorganisches Halbleitermaterial und organisches Material (130) aufweist, gekennzeichnet durch einen Halbleiterzylinder (30, 40) aus anorganischem Halbleitermaterial und eine in dem Halbleiterzylinder befindliche Ladungsträgerinjektionszone (50), wobei die Ladungsträgerinjektionszone an die Mantelfläche (110) des Halbleiterzylinders angrenzt, das organische Material (130) geeignet ist, im Falle einer Ladungsträgerrekombination elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und das organische Material auf demjenigen Abschnitt der Mantelfläche des Halbleiterzylinders, an den die Ladungsträgerinjektionszone angrenzt, mittelbar oder unmittelbar aufliegt und Elektron-Lochpaare aus der Ladungsträgerinjektionszone des Halbleiterzylinders in das organische Material eintreten und dort die Emission elektromagnetischer Strahlung durch Rekombination anregen können.

    85.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:AT527080T

    公开(公告)日:2011-10-15

    申请号:AT06725207

    申请日:2006-03-21

    Abstract: The invention relates to a method for finely polishing/structuring thermosensitive dielectric materials, in particular materials exhibiting a low thermal expansion coefficient, by a laser beam consisting in directing an intensive ultrashort laser beam to a processable material surface, in adjusting the action time within a range from 10-13 s to 10-11 s and a laser pulse energy in such a way that it is less than an ablation threshold but sufficient for provoking a Coulomb explosion. The inventive method makes it possible to carry out a material removal within a nanometer range by means of laser ultrashort pulses ranging between picoseconds and subpicoseconds, wherein the material surface is finely polished during a pre-ablation process step (removal less than the ablation range) and the processable surface is low-heated (approximately up to 10 ° C., only) due to the extremely shot laser beam action time.

    Verfahren zur Erzeugung und zur Detektion eines Raman-Spektrums

    公开(公告)号:DE102009029648B3

    公开(公告)日:2011-03-24

    申请号:DE102009029648

    申请日:2009-09-21

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung und zur Detektion eines Raman-Spektrums. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung und zur Detektion eines Raman-Spektrums anzugeben, die eine automatisierte bzw. automatisierbare und gleichzeitig quantitative SERD-Spektroskopie (z.B. Konzentrationsmessreihen) ermöglichen. Dazu werden bei der SERD-Spektroskopie ein erstes Spektrum (16) und ein zweites Spektrum (17) in Bezug auf ihre Intensitätswerte zueinander normiert, und nachfolgend ein erstes Differenzspektrum (D1) berechnet, ein zweites Differenzspektrum (D2) berechnet, das erste Differenzspektrum (D1) in ein erstes Transformationsspektrum (K1) überführt, das zweite Differenzspektrum (D2) in ein zweites Transformationsspektrum (K2) überführt und das Raman-Spektrum (R1) durch Addition des ersten Transformationsspektrums (K1) und des zweiten Transformationsspektrums (K2) berechnet.

    Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität

    公开(公告)号:DE102009028823A1

    公开(公告)日:2011-02-24

    申请号:DE102009028823

    申请日:2009-08-21

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateralen Strahlqualität ohne Verwendung eines externen Resonators, insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Breitstreifenlaser mit hohen Ausgangsleistungen. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser und einen Laserresonator für einen Diodenlaser anzugeben, der bei hohen Ausgangsleistungen eine hohe laterale Strahlqualität aufweist, einen geringen Justageaufwand erfordert und preiswert herstellbar ist. Der erfindungsgemäße Laserresonator weist eine Gewinnsektion (GS), einen ersten planaren Bragg Reflektor (DBR1) und einen zweiten planaren Bragg Reflektor (DBR2) auf, wobei die Gewinnsektion (GS) trapezförmig ausgebildet ist und der erste planare Bragg Reflektor (DBR1) an einer ersten Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) und der zweite planare Bragg Reflektor (DBR2) an der gegenüberliegenden Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) angeordnet sind, wobei sich die Breite (D1) des ersten planaren Bragg Reflektors (DBR1) von der Breite (D2) des zweiten planaren Bragg Reflektors (DBR1) unterscheidet.

    INSTALACION HIDROPONICA PARA LA PRODUCCION DE VERDURAS Y PESCADOS.

    公开(公告)号:ES2352553T3

    公开(公告)日:2011-02-21

    申请号:ES08163189

    申请日:2008-08-28

    Abstract: Sistema hidropónico (1) con ciclo hidrológico cerrado comprendiendo al menos una unidad de acuicultivo (2) y al menos una unidad hidropónica (5), donde la unidad de acuicultivo (2) presenta al menos un desagüe (3), caracterizado por el hecho de que el desagüe está conectado funcionalmente a través de una válvula de un sentido (4) con la unidad hidropónica (5) de tal manera que se puede introducir agua de la unidad de acuicultivo (2) a la unidad hidropónica (5), y la unidad hidropónica (5) presenta al menos un dispositivo de captura con refrigeración (6), donde el al menos un dispositivo de captura con refrigeración (6) está conectado funcionalmente con la unidad de acuicultivo (2) de tal manera que el agua conseguida de por lo menos un dispositivo de captura con refrigeración (6) se puede transportar a la unidad de acuicultivo (2).

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