公开(公告)号：KR100671359B1

公开(公告)日：2007-01-22

申请号：KR1020027001083

申请日：2000-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  정기시

IPC: H01L27/108

Abstract: 가스 공급원(10A)은 전처리를 행하기 때문에, 금속막이 성장하기 위한 핵의 형성을 억제하는 WF
6 가스를 처리 대상인 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 소정 시간 공급한다. 전처리를 행한 후, 가스 공급원(10A) 및 가스 공급원(10B)은 전처리가 행해진 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 각각 WF
6 가스, NH
3 가스를 소정 시간 공급한다. 이로써 표면에 요철 형상을 갖는 금속 화합물인 질화텅스텐막을 반도체 웨이퍼(W) 위에 형성한다. 컨트롤러(51)는 미리 제공된 프로그램 등에 따라 가스 공급원(10A, 10B) 등의 동작을 제어한다.

公开(公告)号：KR1020060006854A

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：KR1020057024820

申请日：2002-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L28/65 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

Abstract: A semiconductor substrate (101) is placed in a predetermined processing vessel, and oxygen gas activated by, e.g., conversion into a plasma is supplied onto an insulating film (108). The surfaces of an interlevel insulating film (106) and insulating film (108) are exposed to the activated oxygen gas. After that, a ruthenium film (109) is formed by CVD.

Abstract translation: 将半导体衬底（101）放置在预定的处理容器中，并且通过例如转换成等离子体而激活的氧气被提供到绝缘膜（108）上。 层间绝缘膜（106）和绝缘膜（108）的表面暴露于活性氧气。 之后，通过CVD形成钌膜（109）。

公开(公告)号：KR1020050021450A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020057000404

申请日：2003-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  야마모토노리히코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412

Abstract: 본 발명의 성막장치(100)는 소스 가스를 생성하기 위한 원료를 넣는 원료 용기(10)와, 반도체 기판(101)에 성막 처리를 실행하기 위한 성막실(120)과, 원료 용기(10)로부터 성막실(120)에 상기 소스 가스를 공급하기 위한 원료 공급로(30)와, 터보분자 펌프(14) 및 드라이 펌프(16)로 이루어지는 진공 펌프 시스템을 가진, 성막실(120)을 배기하기 위한 배기 유로(32)와, 원료 공급로(30)로부터 분기하여 성막실(120) 및 터보분자 펌프(14)를 바이패스하여 배기 유로(32)에 합류하는 프리 플로우 유로(33)를 구비하고, 원료 공급로(30)는 6.4mm보다 큰 내경의 배관을 포함하고, 프리 플로우 유로(33)에 터보분자 펌프(15)가 마련된 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020010087296A

公开(公告)日：2001-09-15

申请号：KR1020010010887

申请日：2001-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L21/7687 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  H01L28/90

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to connect to the storage electrode of a capacitor having a capacitor insulating film made of a metal oxide. CONSTITUTION: A film of titanium nitride or tungsten nitride or a metal film of ruthenium or the like is formed to a film thickness of about 10 to 100 nm on the capacitor insulating film(112). The formed metal film is patterned by known lithography and etching to form a plate electrode(113). An inter level insulating film(114) made of an insulating material such as a silicon oxide is formed to cover the plate electrode(113). Accordingly, a DRAM with one transistor and one capacitor is completed. The capacitor electrode is flat in the first embodiment, but is not limited to this and may have a cylindrical shape or stacked electrode structure. For a cylindrical capacitor electrode, a plate electrode, capacitor insulating film, storage electrode, capacitor insulating film, and plate electrode are sequentially formed from the outside on the side surface. For a stacked electrode structure, a storage electrode may be arranged on the uppermost layer.

Abstract translation: 目的：提供一种连接到具有由金属氧化物制成的电容绝缘膜的电容器的存储电极的半导体器件。 构成：在电容器绝缘膜（112）上形成氮化钛或氮化钨的膜或钌等的金属膜至约10〜100nm的膜厚。 通过已知的光刻和蚀刻对形成的金属膜进行图案化以形成平板电极（113）。 形成由诸如氧化硅的绝缘材料制成的层间绝缘膜（114）以覆盖板电极（113）。 因此，完成了具有一个晶体管和一个电容器的DRAM。 电容器电极在第一实施例中是平坦的，但不限于此，并且可以具有圆柱形或堆叠的电极结构。 对于圆柱形电容器电极，从侧面的外侧依次形成平板电极，电容器绝缘膜，存储电极，电容器绝缘膜和板电极。 对于堆叠的电极结构，可以在最上层布置存储电极。

公开(公告)号：KR1020010051216A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000062633

申请日：2000-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

Inventor： 가미야마사토시 ,  가와노유미코 ,  야마사키히데아키

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: To increase a surface area by controlling the surface morphology of a storage node electrode at a capacity part. CONSTITUTION: A capacity part comprising at least a capacity insulating film 2 and a storage node electrode 1 contacting to the capacity insulating film 2 is provided. Here, a high melting-point metal nitride film is formed as the storage node electrode 1 into a form having a specified surface morphology, with the capacity insulating film 2 formed on the storage node electrode 1.

Abstract translation: 目的：通过控制存储节点电极在容量部分的表面形态来增加表面积。 构成：提供容量部分，其至少包括与电容绝缘膜2接触的电容绝缘膜2和存储节点电极1。 这里，将高熔点金属氮化物膜形成为具有特定表面形态的形式，其中容纳绝缘膜2形成在存储节点电极1上。

公开(公告)号：KR1019990006902A

公开(公告)日：1999-01-25

申请号：KR1019980021816

申请日：1998-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이즈카다케시 ,  호리우치다카시 ,  미즈카미마사미 ,  모치즈키다카시 ,  가와노유미코 ,  야마사키히데아키

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31

Abstract: 본 발명의 목적은 Al/Cu 다층막을 형성하는데 사용하기 위한 화학 기상 증착(CVD) 장치 및 방법을 제공하는데 있다. Al/Cu 다층막은, 반도체 웨이퍼 W를 수용하기 위한 챔버와, 반도체 웨이퍼 W를 탑재하기 위한 서셉터와, 기화된 Al 원료를 챔버로 도입하기 위한 Al 원료 공급 시스템과, 기화된 Cu 원료를 챔버로 도입하기 위한 Cu 원료 공급 시스템을 포함하는 CVD 장치에 의해 형성된다. Al/Cu 다층막은, Al 원료 가스를 챔버로 도입하는 단계와, CVD 방법에 의해 반도체 웨이퍼 W상에 Al 막을 증착하는 단계와, 그 후 Cu 원료 가스가 도입되는 챔버내에 플라즈마를 발생시키는 단계와, CVD 방법에 의해 반도체 웨이퍼 W상에 Cu 막을 증착하는 단계로 구성되는 일련의 단계를 반복함으로써 형성된다. 따라서, 획득된 Al/Cu 다층막은 가열 처리(어닐링)되어, 원하는 Al/Cu 다층막을 형성하게 된다.