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公开(公告)号：KR100576368B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040094758
申请日：2004-11-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 반도체소자의 트렌치 소자 분리막 형성 방법들을 제공한다. 이 방법들은 반도체기판의 소정영역을 선택적으로 식각하여 활성영역을 한정하는 트렌치를 형성하는 것을 구비한다. 수소(hydrogen) 주입 고밀도플라즈마 화학기상증착 기술을 이용하여 상기 트렌치의 내벽을 덮는 제 1 소자분리층을 형성한다. 상기 수소 주입 고밀도플라즈마 화학기상증착 기술은 상기 제 1 소자분리층의 형성과정에 발생할 수 있는 오버행(overhang) 현상을 방지해준다. 상기 제 1 소자분리층을 갖는 반도체기판 상에 폴리실라젠(polysilazane) 계열의 에스오지(SOG) 물질을 코팅(coating)하여 제 2 소자분리층을 형성한다. 상기 제 2 소자분리층 및 상기 제 1 소자분리층을 식각하여 상기 트렌치 내에 상기 활성영역의 표면보다 낮은 상부면을 갖는 제 2 소자분리패턴 및 상기 제 2 소자분리패턴의 표면보다 높은 상부면을 갖는 제 1 소자분리패턴을 형성한다. 상기 제 1 소자분리패턴 및 상기 제 2 소자분리패턴을 덮는 제 3 소자분리패턴을 형성한다.
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公开(公告)号：KR100543459B1
公开(公告)日：2006-01-20
申请号：KR1020030040743
申请日：2003-06-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 자가 정렬 콘택 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면 먼저, 반도체 기판 상에 층간절연막을 관통하여, 도전막 패턴의 측벽을 덮는 제 1 스페이서와 상기 층간절연막 하부의 도전부를 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 상기 콘택홀에 의해 노출되는 상기 층간절연막의 측벽을 덮는 제 2 스페이서를 형성한다. 자연산화막 제거를 위한 세정 공정을 실시한다. 그리고, 상기 콘택홀을 도전물질로 채운다. 따라서 콘택홀에 의해 노출되는 층간절연막의 측벽만을 덮는 제 2 스페이서를 형성하여 콘택 간의 브릿지 현상을 방지할 수 있으며 콘택의 접촉 저항을 증가를 완화하여 반도체 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
SAC, USG-
公开(公告)号：KR1020050118087A
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：KR1020040094758
申请日：2004-11-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/02274 , H01L21/02282
Abstract: 반도체소자의 트렌치 소자 분리막 형성 방법들을 제공한다. 이 방법들은 반도체기판의 소정영역을 선택적으로 식각하여 활성영역을 한정하는 트렌치를 형성하는 것을 구비한다. 수소(hydrogen) 주입 고밀도플라즈마 화학기상증착 기술을 이용하여 상기 트렌치의 내벽을 덮는 제 1 소자분리층을 형성한다. 상기 수소 주입 고밀도플라즈마 화학기상증착 기술은 상기 제 1 소자분리층의 형성과정에 발생할 수 있는 오버행(overhang) 현상을 방지해준다. 상기 제 1 소자분리층을 갖는 반도체기판 상에 폴리실라젠(polysilazane) 계열의 에스오지(SOG) 물질을 코팅(coating)하여 제 2 소자분리층을 형성한다. 상기 제 2 소자분리층 및 상기 제 1 소자분리층을 식각하여 상기 트렌치 내에 상기 활성영역의 표면보다 낮은 상부면을 갖는 제 2 소자분리패턴 및 상기 제 2 소자분리패턴의 표면보다 높은 상부면을 갖는 제 1 소자분리패턴을 형성한다. 상기 제 1 소자분리패턴 및 상기 제 2 소자분리패턴을 덮는 제 3 소자분리패턴을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020050056364A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020030089305
申请日：2003-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/02175 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02318 , H01L21/316 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76837 , H01L21/76897
Abstract: Methods of forming an insulating layer in a semiconductor device are provided in which a metal oxide layer is formed on a semiconductor structure that includes a plurality of gap regions thereon. A spin-on-glass layer is formed on the metal oxide layer, and then the semiconductor structure is heated to a temperature of at least about 400° C. The spin-on-glass layer may comprise a siloxane-based material, a silanol-based material or a silazane-based material.
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公开(公告)号：KR1020020071169A
公开(公告)日：2002-09-12
申请号：KR1020010011142
申请日：2001-03-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76224
Abstract: PURPOSE: A method of forming an insulation layer in trench isolation type semiconductor device is provided to fill isolation layer into a trench having a high aspect ratio without defects by using an SOG(Spin On glass) layer. CONSTITUTION: A trench etch mask pattern(13) is formed on a substrate(10) including a pad oxide layer(11). A trench for isolation is formed on the substrate(10) by etching the substrate(10). A thermal oxide layer(15) is formed on an inner wall of the trench. A silicon nitride liner(17) is laminated on the thermal oxide layer(15). An SOG layer is formed on the substrate(10). A curing process for the SOG layer is performed. An etch process for the cured SOG layer(211) is performed. A silicon oxide layer(31) is deposited on the substrate(10) by a CVD(Chemical Vapor Deposition) method. A trench isolation layer is formed by removing the silicon nitride layer and the pad oxide layer(11).
Abstract translation: 目的：提供一种在沟槽隔离型半导体器件中形成绝缘层的方法，通过使用SOG（旋转玻璃）层将隔离层填充到具有高纵横比的无沟槽的沟槽中。 构成：在包括衬垫氧化物层（11）的衬底（10）上形成沟槽蚀刻掩模图案（13）。 通过蚀刻基板（10）在基板（10）上形成用于隔离的沟槽。 在该沟槽的内壁上形成热氧化层（15）。 氮化硅衬垫（17）层压在热氧化物层（15）上。 在基板（10）上形成SOG层。 执行SOG层的固化过程。 执行固化的SOG层（211）的蚀刻工艺。 通过CVD（化学气相沉积）方法将氧化硅层（31）沉积在衬底（10）上。 通过去除氮化硅层和衬垫氧化物层（11）形成沟槽隔离层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020058233A
公开(公告)日：2002-07-12
申请号：KR1020000086272
申请日：2000-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A metal layer formation method of semiconductor devices using a damascene processing is provided to prevent an increase of a dielectric constant and a damage of an insulating layer. CONSTITUTION: After forming an insulating layer(35) having a contact hole on a semiconductor substrate, an etch stopper(40) is formed on the insulating layer. An SOG(Spin On Glass) layer is coated on the etch stopper(40). The surface of the SOG layer is densificated or cured by irradiating electron beams or implanting dopants, thereby forming a cured SOG layer(45). The cured SOG layer(45) is then globally planarized by CMP. A trench is formed by selectively etching the cured SOG layer(45). Then, a metal layer is filled into the trench.
Abstract translation: 目的：提供使用镶嵌加工的半导体器件的金属层形成方法，以防止介电常数的增加和绝缘层的损坏。 构成：在半导体衬底上形成具有接触孔的绝缘层（35）之后，在绝缘层上形成蚀刻停止层（40）。 SOG（旋转玻璃）层被涂覆在蚀刻停止器（40）上。 SOG层的表面通过照射电子束或注入掺杂剂而致密化或固化，从而形成固化的SOG层（45）。 然后通过CMP将固化的SOG层（45）全面平坦化。 通过选择性地蚀刻固化的SOG层（45）形成沟槽。 然后，将金属层填充到沟槽中。
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公开(公告)号：KR100335489B1
公开(公告)日：2002-05-04
申请号：KR1019990042033
申请日：1999-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본발명은라이너스페이서형성단계를구비하는콘택패드형성방법에대한것이다. 본발명의콘택패드형성방법에구비되는라이너스페이서형성단계는층간절연막내에콘택홀을형성하는단계와상기콘택홀에도전물질을채우는단계사이에구비된다. 상기라이너스페이서형성단계는소정두께의절연막을콘택홀내에형성한다음, 이방성식각을실시하여라이너스페이서를콘택홀의측벽에형성한다. 상기라이너스페이서는콘택패드간에발생될수 있는브릿지를예방하는기능을수행한다. 따라서, 상기라이너스페이서형성공정을콘택패드형성공정에제공함으로써, 반도체소자생산수율을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010029284A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990042033
申请日：1999-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact pad is to prevent a bridge from being generated between adjacent contact pads. CONSTITUTION: The first interlayer dielectric layer(31) is formed on a conductive layer(30) of a semiconductor substrate. An interlayer interconnection(32) is formed on a predetermined region of the first interlayer dielectric layer. The second interlayer dielectric layer(33) is formed on the entire surface of the semiconductor substrate with the interlayer interconnection formed thereon. A void/seam(34) is formed between the interlayer interconnections. A contact hole is formed in the first and the second interlayer dielectric layer. An insulating layer is formed on the entire surface of the conductive layer with the contact hole formed therein. A liner spacer(36) is formed on the sidewall of the conductive layer by performing a dry etching process. A conductive material is filled in the contact hole after cleaning the conductive layer with the liner spacer formed on the sidewall thereof. A contact pad(40) is formed by planarizing the entire surface of the conductive layer with a conductive material.
Abstract translation: 目的：形成接触焊盘的方法是防止在相邻接触焊盘之间产生桥。 构成：第一层间介电层（31）形成在半导体衬底的导电层（30）上。 在第一层间电介质层的预定区域上形成层间布线（32）。 第二层间电介质层（33）形成在其上形成有层间连接的半导体衬底的整个表面上。 在层间互连之间形成空隙/接缝（34）。 在第一和第二层间电介质层中形成接触孔。 在形成有接触孔的导电层的整个表面上形成绝缘层。 通过进行干蚀刻工艺，在导电层的侧壁上形成衬垫（36）。 在形成在其侧壁上的衬垫衬垫清洁导电层之后，将导电材料填充在接触孔中。 通过用导电材料平坦化导电层的整个表面来形成接触焊盘（40）。
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公开(公告)号：KR1020000019171A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980037145
申请日：1998-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for forming metal wire using photosensitive polymer is provided to prevent a phenomenon which a damage is provided to a polymer layer by not using a photoresist pattern as an etching mask. CONSTITUTION: A polymer layer(3) is formed on a semiconductor substrate(1). An adhesive layer (5) is formed on the polymer layer(3). The polymer layer(3) is performed as a layer insulating film and is a material film having a low dielectric constant than a silicon oxidation film. The adhesive layer(5) is a material film for preventing a phenomenon which a damage is provided to the polymer layer(3). A photosensitive polymer film(7) is formed on the adhesive layer(5). A mask layer pattern(9a) is used as an etching mask. A metal film pattern(13) is formed for filling a contact hole(H) and a hole(G).
Abstract translation: 目的：提供使用光敏聚合物形成金属线的方法，以防止通过不使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模而对聚合物层产生损伤的现象。 构成：在半导体衬底（1）上形成聚合物层（3）。 在聚合物层（3）上形成粘合剂层（5）。 聚合物层（3）作为层绝缘膜进行，并且是具有低于硅氧化膜的介电常数的材料膜。 粘合剂层（5）是用于防止向聚合物层（3）提供损伤的现象的材料膜。 在粘合剂层（5）上形成感光性高分子膜（7）。 掩模层图案（9a）用作蚀刻掩模。 形成用于填充接触孔（H）和孔（G）的金属膜图案（13）。
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公开(公告)号：KR1019990042577A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063437
申请日：1997-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 전자빔에 의한 절연막의 디가싱 공정을 포함하는 금속 배선층 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 도전층 패턴이 형성된 반도체 기판상에 상기 도전층 패턴을 충분히 덮는 평탄화된 층간 절연막을 형성한다. 상기 층간 절연막을 패터닝하여 상기 반도체 기판의 활성 영역을 일부 노출시키는 콘택홀을 포함하는 층간 절연막 패턴을 형성한다. 상기 층간 절연막 패턴이 형성된 결과물상에 전자빔을 조사하여 상기 층간 절연막 패턴으로부터 디가싱(degassing)시킨다. 상기 결과물상에 금속 물질을 증착하여 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체 기판의 활성 영역과 전기적으로 연결되는 금속 배선층을 형성한다.
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