公开(公告)号：KR1020090025581A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020070090540

申请日：2007-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최범준 ,  윤홍석 ,  부재필 ,  조찬우

IPC: H01L21/304

Abstract: A carrier head for a chemical mechanical polishing device and a filter assembly thereof are provided to prevent the moisture generated inside a membrane from being inhaled to the pressure control system by installing the filter assembly inside the gas path of a pressure distribution housing. A head membrane(110) includes a plurality of pressing areas. A connection tube(120) is connected to the pressing area. A pressure distribution housing(130) is installed inside a carrier head main body(101). A filter assembly(140) is installed inside the gas path of the pressure distribution housing. The moisture is not inhaled to the inside of the pressure control system.

Abstract translation: 提供一种用于化学机械抛光装置的载体头及其过滤器组件，以通过将过滤器组件安装在压力分配壳体的气体路径内，防止膜内产生的水分被吸入压力控制系统。 头膜（110）包括多个按压区域。 连接管（120）连接到按压区域。 压力分配壳体（130）安装在承载头主体（101）的内部。 过滤器组件（140）安装在压力分配壳体的气体路径内部。 湿气不会吸入压力控制系统的内部。

公开(公告)号：KR1020090019944A

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：KR1020070084256

申请日：2007-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정준석 ,  김강인 ,  부재필

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304

Abstract: Heat exhaust equipment of platen cover in a wafer polishing device is provided to lower the surface temperature of the polishing pad by discharging the heat due to the rubbing of the polishing pad. A platen shield cover(50) blocks that the slurry runs away to the outside of platen in the polishing work. The heat exhaust part is formed in the platen shield cover and exhausts the frictional heat of the polishing pad to outside in the polishing work. The heat exhaust part includes a plurality of holes(52) which are formed on the top of the platen shield cover; a plurality of hole caps(54) capable of preventing that the slurry and DIW are splashed through the plurality of holes.

Abstract translation: 提供晶片抛光装置中的压板盖的排热设备，通过抛光抛光垫的摩擦而放出热量来降低抛光垫的表面温度。 压板屏蔽罩（50）在抛光工作中阻止浆料流走到压板的外部。 排热部形成在压板保护罩中，并且在抛光工作中将抛光垫的摩擦热排出到外部。 散热部包括形成在压板屏蔽罩的顶部上的多个孔（52） 多个能够防止浆料和DIW通过多个孔溅出的孔盖（54）。

公开(公告)号：KR1020070115435A

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020060049875

申请日：2006-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강인 ,  부재필 ,  김익주 ,  조찬우

IPC: H01L21/304

Abstract: A conditioning disk and a CMP apparatus including the same are provided to stabilize an abrasion rate of a polishing pad by preventing excessive abrasion of the polishing pad because of diamond particles. A conditioning disk(100) is composed by a conditioning plate(104), a plurality of diamond particles(108) and a supporting member(106). The conditioning disk is contacted to a polishing pad(150) of a CMP apparatus. The polishing pad surface is grinded using the diamond particles, and also byproducts which block micro holes(152) on the polishing pad are removed by the diamond particles.

Abstract translation: 提供一种调理盘和包括该调理盘的CMP设备，以通过防止由于金刚石颗粒而导致的抛光垫的过度磨损来稳定抛光垫的磨损率。 调理盘（100）由调节板（104），多个金刚石颗粒（108）和支撑构件（106）组成。 调理盘与CMP设备的抛光垫（150）接触。 使用金刚石颗粒研磨抛光垫表面，并且通过金刚石颗粒除去阻挡抛光垫上的微孔（152）的副产物。

公开(公告)号：KR100532440B1

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：KR1020030036334

申请日：2003-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진국 ,  부재필 ,  이상선 ,  김종복

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/205

Abstract: 윈도(window)로의 유체의 침투를 막는 실링 장벽부(sealing barrier)를 가지는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드(pad)를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 의한 연마 패드는 웨이퍼에 접촉할 연마면을 가지는 상측 패드, 상면이 상측 패드 후면에 부착되고 바닥면이 화학 기계적 연마 장비의 플레이튼(platen) 상면에 부착되는 바닥측 패드, 바닥측 패드 및 상측 패드를 관통하게 형성되되 상측 패드를 관통하는 부분이 바닥측 패드를 관통하는 부분에 비해 넓은 구멍(aperture), 상측 패드의 구멍 부위에 끼워져 연마 종말점 감지를 위한 감지광이 지나는 통로로 이용되는 투명한 윈도(window), 및 연마면에 도입되는 유체로부터 기인하는 습기가 투명한 윈도의 배후로 침투되는 것을 방지하기 위해 바닥측 패드의 구멍 부위에서 바닥측 패드의 측면을 덮어 가리고 투명한 윈도의 일부 배후 바닥면을 덮어 가리게 연장된 실링 장벽부(sealing barrier)를 포함하여 구성된다.

公开(公告)号：KR100495659B1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020020034860

申请日：2002-06-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필 ,  유준규 ,  이현성

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B57/02 ,  H01L21/30625

Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 평탄화(CMP) 과정에서 웨이퍼를 안정적으로 언로딩할 수 있는 폴리싱 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 웨이퍼 연마 장치는 웨이퍼와 멤브레인 사이로 유체를 제공하는 장치를 구비한 웨이퍼 전달 스테이지를 갖는다. 바람직하게, 상기 전달 스테이지는 웨이퍼가 놓여지는 받침대와, 웨이퍼가 상기 폴리싱 헤드로부터 상기 받침대에 언로딩될때, 상기 웨이퍼와 멤브레인간의 표면장력을 줄이기 위한 유체 제공 장치를 갖는다. 상기 유체 제공 장치는 상기 웨이퍼와 멤브레인 사이로 초순수를 분사하는 분사 노즐 또는 불활성가스를 분사하는 분사 노즐로 이루어질 수 있다.

公开(公告)号：KR100437456B1

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：KR1020010030365

申请日：2001-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필 ,  김종수 ,  유준규 ,  이상선 ,  이선웅

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B41/061 ,  B24B37/30

Abstract: PURPOSE: A polishing head of a CMP(Chemical Mechanical Polishing) apparatus and a polishing method using the same are provided to obtain high polishing uniformity in a polishing process by controlling variably pressures applied to each region of a wafer. CONSTITUTION: A CMP apparatus(100) has a polishing station(110) and a polishing head assembly(120). A rotary turntable(114) having a polishing pad(112) is installed in the polishing station(110). The rotary turntable(114) is connected with a rotary device. The polishing pad(112) is formed with a complex material having a polishing face. The polishing station(110) includes a pad conditioning portion(116) and a slurry supply portion(118). The slurry supply portion(118) is used for supplying a slurry to a surface of a pad. The slurry includes a reaction reagent, frictional particles, and a chemical reaction catalyst. The polishing head assembly(120) includes a polishing head(130), a driving shaft(122), and a motor(124). The polishing head(130) faces the polishing pad(112). The polishing head(130) is rotated by the driving shaft(122) connected with the motor(124).

Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）装置的抛光头和使用该装置的抛光方法，以通过控制施加到晶片的每个区域的可变压力来获得抛光工艺中的高抛光均匀性。 构成：CMP设备（100）具有抛光台（110）和抛光头组件（120）。 具有抛光垫（112）的旋转转盘（114）安装在抛光站（110）中。 旋转转盘（114）与旋转装置连接。 研磨垫（112）由具有研磨面的复合材料形成。 抛光站（110）包括垫调节部分（116）和浆料供应部分（118）。 浆液供应部分（118）用于将浆液供应到衬垫的表面。 浆料包括反应试剂，摩擦颗粒和化学反应催化剂。 抛光头组件（120）包括抛光头（130），驱动轴（122）和马达（124）。 抛光头（130）面向抛光垫（112）。 抛光头（130）由与马达（124）连接的驱动轴（122）旋转。

公开(公告)号：KR1020020078428A

公开(公告)日：2002-10-18

申请号：KR1020010018787

申请日：2001-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필 ,  김경현 ,  이선웅

IPC: H01L21/76

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing of field area in semiconductor memory device is provided to improve reliability in a process of etching a floating gate and a contact, by making the thickness of an ununiform isolation region generated by a chemical mechanical polishing(CMP) process while using a wet etch process. CONSTITUTION: A tunnel insulation layer(32), a conductive layer and the first insulation layer which have different thicknesses are sequentially formed on a semiconductor substrate(31). An isolation region of a predetermined depth is formed in a predetermined region of the semiconductor substrate. The second insulation layer(37) and the third insulation layer are sequentially formed on the entire surface. The third insulation layer is planarized by a CMP process. The second and third insulation layers are removed by an etch process.

Abstract translation: 目的：提供半导体存储器件中的场区的制造方法，以通过使化学机械抛光（CMP）工艺产生的不均匀隔离区域的厚度同时提高蚀刻浮栅和触点的过程中的可靠性，同时 使用湿蚀刻工艺。 构成：在半导体衬底（31）上依次形成具有不同厚度的隧道绝缘层（32），导电层和第一绝缘层。 在半导体衬底的预定区域中形成预定深度的隔离区域。 第二绝缘层（37）和第三绝缘层依次形成在整个表面上。 第三绝缘层通过CMP工艺平坦化。 通过蚀刻工艺去除第二和第三绝缘层。

公开(公告)号：KR1020010106658A

公开(公告)日：2001-12-07

申请号：KR1020000027503

申请日：2000-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영래 ,  김정엽 ,  윤보언 ,  김광복 ,  부재필 ,  이종원 ,  하상록 ,  김경현 ,  홍창기

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76224 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 화학기계적 연마 공정의 수행에 따라 슬러리에 노출되는 표면이 소수성을 띠는 물질층, 예를 들어 폴리실리콘층을 정지막으로 하여, 그 노출 표면이 친수성을 띠는 피연마 물질층, 예를 들어 실리콘산화막을 연마할 시 유용하게 사용할 수 있는 슬러리가 제공되며, 상기 슬러리는 물, 연마입자 및 친수성 작용기와 소수성 작용기를 동시에 갖는 폴리머 첨가제를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020000055794A

公开(公告)日：2000-09-15

申请号：KR1019990004621

申请日：1999-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A method for removing byproduct of a chemical and mechanical polishing process is to remove a byproduct remaining at a trench typed alignment key after performing a chemical and mechanical polishing(CMP) of a metal layer. CONSTITUTION: A method for removing byproduct of a chemical and mechanical polishing process comprises the steps of: forming a metal layer(16) on a semiconductor substrate on which a trench typed alignment key(12) is formed; chemical and mechanical-polishing the metal layer until an intermetal dielectric film(IMD)(10) is exposed; and removing a byproduct remaining at the trench typed alignment key by an ashing process. An upper metal interconnection made of aluminum is then formed on the resultant product. The trench typed alignment key is formed to have an aspect ratio of 1 or less.

Abstract translation: 目的：去除化学和机械抛光工艺的副产物的方法是在进行金属层的化学和机械抛光（CMP）之后去除在沟槽型对准键处残留的副产物。 构成：用于去除化学和机械抛光工艺的副产物的方法包括以下步骤：在形成有沟槽型对准键（12）的半导体衬底上形成金属层（16）; 化学和机械抛光金属层，直到暴露了金属间电介质膜（IMD）（10）; 并通过灰化处理去除在沟槽型对准键处剩余的副产品。 然后在所得产品上形成由铝制成的上金属互连。 沟槽型对准键形成为具有1或更小的纵横比。

公开(公告)号：KR100170734B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019960001398

申请日：1996-01-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필 ,  김정엽 ,  김민정

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 CMP(Chemical Mecanical Polishing) 평탄화 공정과 단차를 이용하여 사진식각 공정의 정렬(alignment)에 잇점이 있는 얼라인 키(ALIGN KEY) 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체 장치의 얼라인 키(Align Key) 형성방법은, 막질에 따라 CMP의 리무벌 레이트(Removal Rate)가 변하는 특징을 이용하여 불투광성 물질과의 선택비를 가지는 물질을 이용하여 포토 얼라인 키를 형성함으로써 슬러리에 의한 오염 문제를 해결할 수 있다.