다중 공정 장치
    84.
    实用新型
    다중 공정 장치 无效
    多种工艺设备

    公开(公告)号:KR2019980005361U

    公开(公告)日:1998-03-30

    申请号:KR2019960017578

    申请日:1996-06-26

    Abstract: 다중공정장치가개시되어있다. 이장치는다수의포트를구비하고상기포트를통하여웨이퍼를이동시키는제1웨이퍼전송수단및 상기하나의포트를통하여투입된웨이퍼를다른포트로전송시키는제2웨이퍼전송수단을구비하는핸들러와, 상기다수의포트에각각연결된로드락챔버, 습식세정챔버, 및건식공정챔버를포함하는것을특징으로한다. 이에따라, 두가지이상의공정을하나의장치내에서연속적으로실시할수 있으므로생산성을크게향상시킬수 있으며, 웨이퍼가대기중에노출되지않으므로웨이퍼표면에오염입자가흡착되는현상을크게억제시킬수 있다. 따라서, 반도체소장의수율및 전기적특성을크게향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种多处理设备。 提供给具有一个晶片传送装置,用于将第一晶片转移装置,并通过一个端口中喷射出的晶片,用于通过端口移动晶片到另一个,所述多个端口值章的数目的第二处理程序 连接到一个端口的每个负载锁定室,其特征在于,它包括一湿法洗涤腔室,和干处理腔室。 Yiettara,因为它可以在单个装置中sikilsu进行连续两个或多个进程大大提高生产率,而且可以大大抑制晶片sikilsu的污染物颗粒吸附不暴露于大气中在晶片表面上的现象。 因此,半导体小分子的产率和电特性可以大大提高。

    반도체 제조 장치
    85.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019970072133A

    公开(公告)日:1997-11-07

    申请号:KR1019960011372

    申请日:1996-04-16

    Abstract: 본 발명은 반도체 장치를 제조하는 데 사용되는 약액을 공급하는 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 반도체 장치를 제조하는 공정 챔버와, 상기 공정 챔버로 약액을 공급하는 공급 수단과, 상기 공급된 약액을 상기 공정 챔버로 제공하는 공급 라인을 구비한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 약액의 공급을 제어하며 모니터링하는 중앙 모니터링 수단과, 상기 공급 라인을 통하여 흐르는 약액을 일부 추출하여 파티클의 수를 계수하고, 이에 대응하는 데이타를 상기 중앙 모니터링 수단으로 출력하는 파티클 계수 수단을 포함하고 있다. 이와같은 장치에 의해서, 약액용기에서 공정챔버로 공급되는 약액내의 파티클의 수를 계수할 수 있고, 따라서, 파티클이 다량 함유된 약액이 공정챔버로 공급되는 것을 방지할 수 있다.

    브러쉬갭 조절 기능을 갖는 파티클 제거 장치 및 그의 브러쉬갭 조절 방법
    86.
    发明公开
    브러쉬갭 조절 기능을 갖는 파티클 제거 장치 및 그의 브러쉬갭 조절 방법 无效
    专利申请标题:具有间隙调整功能和制动间隙控制方法的粒子去除装置

    公开(公告)号:KR1019970052619A

    公开(公告)日:1997-07-29

    申请号:KR1019950046109

    申请日:1995-12-01

    Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조공정중 브러쉬와 웨이퍼표면사이의 브러쉬갭을 전자적으로 조절할 수 있는 브러쉬갭 파티클제거장치 및 그의 브러쉬갭 조절방법에 관한 것으로서, 그 구성은 상기 브러쉬(14)가 상기 웨이퍼(12)의 표면에 접촉하는 압력을 검출하여 대응하는 전기적신호를 출력하는 검출수단(20)과; 상기 검출수단에서 출력된 전기신호를 입력하여, 적정의 브러쉬갭에 대응하는 기준신호와 비교하여서 모터제어신호를 출력하는 신호처리수단(30)과; 상기 모터제어신호에 따라 상기 브러쉬아암(16)의 높이를 조절하는 갭조절수단(60)을 포함하여, 상기 브러쉬아암(16)의 높이조절에 따라 상기 브러쉬갭이 조절된다. 상술한 파티클제거장치 및 그의 갭 조절방법에 의하면, 브러쉬가 웨이퍼에 접촉되어 있는 상태의 브러쉬갭을 객관적으로 관리할 수 있을 뿐만 아니라, 파티클제거공정중에서도 그 브러쉬갭을 자동으로 조절할 수 있어서, 파티클제거능력을 향상시킬 수 있다.

    반도체화학용액의 검사용 용액조

    公开(公告)号:KR1019970030435A

    公开(公告)日:1997-06-26

    申请号:KR1019950045701

    申请日:1995-11-30

    Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조에 필요한 화학용액을 개발하는데 사용되는 검사용 용액조에 관한 것으로서, 그 구성은 용기(10)와; 상기 용기(10)내에 복수의 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼수납수단와; 상기 용기(10)내에서 상기 수납된 웨이퍼를 상하방향으로 이동시키는 웨이퍼이동수단와; 상기 용기(10)를 덮는 뚜껑(20)을 포함한다. 상술한 검사용 용액조에 의하면, 반도체장치의 제조에 있어서 특정막질을 세정 또는 식각할 수 있는 화학용액의 개발에 적합할 뿐만 아니라, 웨이퍼를 수용하여서 반도체장치의 제조에 필요한 화학용액을 효율적으로 검사할 수 있다.

    웨이퍼세정시스템의 세정용액농도검출장치

    公开(公告)号:KR1019970030430A

    公开(公告)日:1997-06-26

    申请号:KR1019950043722

    申请日:1995-11-25

    Abstract: 본 발명은 웨이퍼세정시스템의 프로세스 챔버내에 채워져 있는 세정용액의 농도변화를 검출하는 반도체제조시스템의 세정용액농도검출장치에 관한 것으로서, 그 구성은 상기 세정용액의 농도를 검출하기 위하여 제1출력포트를 통하여 제1제어신호를 출력하고, 입력포트를 통하여 세정용액농도검출신호를 입력하여 기준신호와 비교하여 세정용액농도가 기준농도의 범위를 벗어나는 지를 결정하며, 그리고 상기 세정용액농도가 기준농도의 범위를 벗어난 경우 제2제어신호를 출력하는 프로세서(10)와; 검사용 용기(50)와; 상기 제1제어신호를 입력하여 상기 세정용액과 초순수공급라인을 통하여 공급되는 초순수의 일정량이 상기 검사용 용기(50)내에 수용되도록 하고 그리고 일정시간경과후 상기 검사용 용기(50)내에 수용된 혼합물을 배출시키도록 제어하는 제어수단(20)과; 상기 검사용 용기(50)내에 수용된 상기 혼합물의 수소이온지수를 검출하여 상기 세정용액농도검출신호로서 상기 프로세서(10)로 제공하는 세정용액농도검출수단(40)을 포함한다. 상기 세정용액농도검출장치에 의하면, 주기적으로 또는 연속적으로 세정용액의 농도를 검사할 수 있기 때문에 세정용액의 적절한 시기에 교체할 수 있고, 그래서 세정공정중에 발생될 수 있는 웨이퍼의 손실을 초기단계에서 방지할 수 있다. 또한 세정용액이 불량한 경우, 즉 세정용액의 검출된 수소이온지수값이 일정 기준값의 범위를 벗어난 경우에 알람을 통하여 경고할수 있어서 조작자로 하여금 그 세정용액의 적절한 교체시기를 알려줄 수 있다.

    웨이퍼의 건조장치
    89.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019970030409A

    公开(公告)日:1997-06-26

    申请号:KR1019950039206

    申请日:1995-11-01

    Abstract: 본 발명은 반도체장치의 세정공정중에 사용되는 웨이퍼의 건조장치에 관한 것으로서, 그 구성은 커버(12)를 구비하고 있고 그리고 IPA증기를 이용하여 웨이퍼를 건조하기 위한 주챔버(10)와; 커버(22)를 구비하고 있고 그리고 도어를 통하여 상기 주챔버(10)와 연통되어 있는 부챔버(20)와; 상기 주챔버(10)에 있는 웨이퍼를 상기 도어를 통하여 상기 부챔버(20)로 이동되게 하는 이송수단을 구비하여서, 상기 부챔버(20)내에서 자연건조공정이 실행되도록 한다. 상술한 본 발명의 웨이퍼건조장치에 의하면, 상기 주챔버에서 1단계로서의 웨이퍼건조가 완료되면 그 웨이퍼를 부챔버로 이송하고 그리고 2단계로서 자연건조하는 구조를 갖고 있기 때문에, 몰림성과 라인성향의 파티클의 문제점 및 응축현상의 문제점을 제거할 수 있는 효과를 가지고 있다. 또한, 주챔버내의 IPA증기의 노출이 최소화될 수 있기 때문에 IPA증기와의 부반응에 따른 유니트의 오염을 최소화할 수 있는 효과를 갖는다.

    반도체 소자의 세정 공정용 건조기
    90.
    发明公开
    반도체 소자의 세정 공정용 건조기 无效
    用于半导体器件清洗过程的干燥器

    公开(公告)号:KR1019970023892A

    公开(公告)日:1997-05-30

    申请号:KR1019950035610

    申请日:1995-10-16

    Abstract: 본 발명은 반도체소자의 세정장비에 관한 것으로 특히 웨이퍼의 최종 린스 이후 사용되는 IPA증기 건조기에 대한 것이다.
    종래의 건조장치는 경우에 따라 다르지만 대개 IPA의 온도가 떨어지고 드레인되는데 수시간이 소요되는 문제점을 가지고 있었다.
    본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로, 반도체소자의 세정공정 중 웨이퍼의 최종 린스 후 수분을 건조하는 조와 IPA를 배출하는 배출라인을 구비하고, 상기 IPA를 배출하는 조에 연결된 배출라인과 IPA를 배출하는 배출라인 상에 쿨링 컬럼이 연결된 구조로 형성하여, IPA를 냉각컬럼을 통해 강제로 냉각시켜 배출하므로써 공정 시간을 단축하고 제품의 생산성(Through-put)을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.

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