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公开(公告)号：KR1020040000230A
公开(公告)日：2004-01-03
申请号：KR1020020035422
申请日：2002-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B08B7/0071 , B08B3/12 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , C11D11/007
Abstract: PURPOSE: A cleaning solution and a method for cleaning ceramic components by using the same are provided to clean effectively the ceramic components including byproducts generated from a plasma process by changing ingredients of the cleaning solution. CONSTITUTION: A cleaning solution includes fluoride salt of 5 to 10 weight percent, organic acid of 10 to 20 weight percent, organic solvent of 30 to 50 weight percent, and water of 20 to 50 weight percent. The fluoride salt includes ammonium fluoride. The organic acid includes acetic acid. The organic solvent includes dimethyl acetamide. The cleaning solution further includes (NH3OH)2SO4 of 0 to 10 weight percent on the basis of the cleaning solution of 100 weight percent. A method for cleaning ceramic components by using the cleaning solution includes a soaking process(S12) for soaking the ceramic components into the cleaning solution, a rinsing process(S14) for rinsing the ceramic components, and a heat treatment process(S16) for heating the ceramic components.
Abstract translation: 目的：提供清洁溶液和通过使用其来清洁陶瓷组分的方法，以通过改变清洁溶液的成分来有效地清洁包括由等离子体工艺产生的副产物的陶瓷组分。 构成：清洗液含有5〜10重量％的氟化物盐，10〜20重量％的有机酸，30〜50重量％的有机溶剂，20〜50重量％的水。 氟化物盐包括氟化铵。 有机酸包括乙酸。 有机溶剂包括二甲基乙酰胺。 基于100重量％的清洁溶液，清洗溶液还包含0-10重量％的（NH 3 OH）2 SO 4。 通过使用清洗液清洗陶瓷部件的方法包括将陶瓷成分浸渍到清洗液中的均热处理（S12），对陶瓷成分进行漂洗的漂洗工序（S14）和加热用热处理工序（S16） 陶瓷组件。
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公开(公告)号：KR1020030047511A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：KR1020010078159
申请日：2001-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: PURPOSE: A drying equipment and method are provided to be capable of maximizing Marangoni effect by controlling the flow and exhaust of liquid using a gas distributor and a liquid flow system. CONSTITUTION: A chamber is provided with a hood(11) and a cover(13). A gas distributor(15) is installed in the upper portion of the chamber for drying semiconductor substrate(9) using gas. A liquid storing bath(3a) is installed in the lower portion of the chamber for cleaning the semiconductor substrates. A liquid flow system is connected with the liquid storing bath for flowing liquid into the liquid storing bath and exhausting the liquid from the liquid storing bath. The chamber further includes a plurality of exhaust ports(11a) located opposite to each other. Preferably, Marangoni drying principle is achieved by controlling the flow and exhaust of the liquid using the gas distributor and the liquid flow system. Preferably, the liquid flow system includes a flexible pipe(19).
Abstract translation: 目的：提供一种干燥设备和方法，以通过使用气体分配器和液体流动系统控制液体的流动和排出来最大化马兰戈尼尼效应。 构成：室具有罩（11）和罩（13）。 气体分配器（15）安装在用于使用气体干燥半导体衬底（9）的室的上部。 液体储存槽（3a）安装在用于清洁半导体衬底的室的下部。 液体流动系统与储液槽连接，用于将液体流入液体储存槽并从储液槽中排出液体。 所述室还包括彼此相对定位的多个排气口（11a）。 优选地，Marangoni干燥原理通过使用气体分配器和液体流动系统控制液体的流动和排出来实现。 优选地，液体流动系统包括柔性管（19）。
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公开(公告)号：KR1020010036461A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990043486
申请日：1999-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/422 , H01L21/31133
Abstract: PURPOSE: Provided is a photoresist stripper composition, which effectively and rapidly strips the photoresist coated on a wafer regardless of its kinds and polarities. And a photoresist stripping method using the same is also provided which does not need a rinsing process using organic solvent after a photoresist stripping process. CONSTITUTION: The photoresist stripper composition comprises a mixture containing: (i) 3-35 wt.% of acetone; (ii) 2-13 wt.% of γ-butyrolactone; and (iii) 80-90 wt.% of ester solvent selected from the group consisting of n-butyl acetate, amyl acetate, ethyl acetoacetate, isopropyl acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate. The method for stripping photoresist comprises steps of: (i) spraying the photoresist stripper composition on a wafer rotating with relatively low speed(S1); (ii) keeping the wafer stationary(S2); (iii) spin-drying the wafer(S3); (iv) spraying the photoresist stripper composition on the wafer rotating with relatively high speed(S4); (v) spin drying the wafer(S5); (vi) rinsing the wafer with pure water; and (vii) spin-drying the wafer(S7).
Abstract translation: 目的：提供一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，其有效且快速地剥离涂覆在晶片上的光致抗蚀剂，而不管其种类和极性如何。 并且还提供了使用其的光致抗蚀剂剥离方法，其在光致抗蚀剂剥离工艺之后不需要使用有机溶剂的漂洗工艺。 构成：光致抗蚀剂剥离剂组合物包含以下混合物：（i）3-35重量％的丙酮; （ii）2-13重量％的γ-丁内酯; 和（iii）80-90重量％的酯溶剂，其选自乙酸正丁酯，乙酸戊酯，乙酰乙酸乙酯，乙酸异丙酯和丙二醇单甲醚乙酸酯。 剥离光刻胶的方法包括以下步骤：（i）将光致抗蚀剂剥离剂组合物喷涂在以相对较低速度旋转的晶片上（S1）; （ii）保持晶片固定（S2）; （iii）旋转晶片（S3）; （iv）将光致抗蚀剂剥离剂组合物喷涂在以相对较高速度旋转的晶片上（S4）; （v）旋转干燥晶片（S5）; （vi）用纯水冲洗晶片; 和（vii）旋转晶片（S7）。
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公开(公告)号：KR100234532B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960041507
申请日：1996-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 마스크로서 사용되는 포토레지스트층 중의 불필요한 에지부분의 포토레지스트 및 웨이퍼의 이면의 포토레지스트를 제거하는데 사용될 수 있는 반도체 제조공정의 포토레지스트 세정용 시너 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조공정의 포토레지스트 세정용 시너 조성물은, 에틸락테이트(EL)와 에틸-3-에톡시프로피오네이트(EEP)를 혼합하여 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 에틸락테이트와 에틸-3-에톡시프로피오네이트의 혼합물에 감마-부티로락톤(GBL)을 더 혼합하여 이루어질 수 있다.
따라서, 웨이퍼의 에지나 이면 포토레지스트를 충분히 빠른 속도로 효과적으로 제거할 수 있도록 하여 반도체 장치의 수율을 향상시킬 수 있으며, 또한 표면에 부착되어 있는 잔여 포토레지스트를 완벽하게 제거하여 웨이퍼를 재사용할 수 있도록 하여 웨이퍼의 재사용 및 경제적인 사용을 가능하게 하는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990041353A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970061935
申请日：1997-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체기판 상의 소정의 막 상에 도포된 포토레지스트가 선택적으로 제거되도록 노광 및 현상을 순차적으로 수행하는 단계; 상기 포토레지스트의 선택적인 제거로 노출되는 상기 소정의 막을 식각시시키는 단계; 및 상기 포토레지스트의 선택적인 제거로 반도체기판 상의 소정의 영역에 잔류하는 포토레지스트를 디메틸아세트아미드를 이용하여 완전히 제거시키는 스트립공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 포토레지스트를 범용적으로 이용할 수 있고, 또한 제조공정의 수행시간을 단축시킬 수 있음으로 인해 생산성이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR200142861Y1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR2019960001824
申请日：1996-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F1/00
Abstract: 본 고안은 장비의 제어 및 검색을 하는 감시시스템에 주로 사용되는 포터블 컴퓨터에 관한 것으로, 도난 및 정보유출을 방지할 수 있는 포터블 컴퓨터용 잠금장치에 관한 것이다.
종래의 사용중인 포터블 컴퓨터는 운반, 휴대가 용이한 이점이 있는 반면에 아무런 보호장치 및 장비 없이 사용되고 있기 때문에, 도난 당하거나 저장되어 있는 고부가 가치의 데이터가 유출될 수 있는 문제를 항상 가지고 있다.
본 고안은 상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 정보 유출 방지 및 보관시 안전성을 갖도록 한 잠금장치를 장착 하므로서, 분실 및 도난당하거나 저장되어 있는 고부가 가치의 데이터가 유출될 수 있는 문제를 사전에 예방할 수 있도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR100173948B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019950056427
申请日：1995-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 반도체 산업용 설비에서 사용되는 화학약품 용액들을 여과하기 위한 습식 필터의 웨팅 시스템에 관한 것으로, 필터(1)로 웨팅 용제를 공급하기 위한 웨팅 용제 탱크(10)와, 필터(1)로 순수를 공급하는 순수 공급부(10)와, N
2 개스를 공급하는 개스 공급부(30)와, 순수 배출부(40), 에어 유량계(50), 액체 유량계(60), 불순물의 양을 측정하기 위한 불순물 계수기(70)와, 시스템으로 공급되는 압력을 측정하기 위한 압력계(80) 및, 순환계로 구성된다. 이로써, 필터 매질의 미세 기공까지 완벽한 웨팅이 이루어지고, 필터의 웨팅 상태를 쉽게 점검할 수 있으며, 화학약품 용액이 불순물에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또, 필터의 불량 여부를 그것이 설비에서 사용되기 이전에 충분히 검증할 수 있을 뿐만 아니라, 환경을 보호하고 강한 휘발성의 웨팅 용제로 인한 화재 발생의 위험성으로부터 벗어날 수 있다.-
公开(公告)号：KR200129796Y1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR2019950016028
申请日：1995-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 고안은 습식 공정 장치에 관한 것이다. 화학용액을 이용하여 공정을 수행하는 공정 베스와 공정 베스에서 사용된 약품이 모이는 외부베스로 이루어진 화학용액 베스, 관을 통하여, 상기 외부 베스에 모아진 화학용액을 순환시키기 위한 펌프 및 상기 관을 통하여 순환되는 화학용액 내의 오염 입자를 여과하기 위한 재순환 필터를 포함하는 습식 공정 장치에 있어서, 상기 재순환 필터 입구 쪽의 제 1 분기점에서 분기된 제 1 분기관, 상기 제 1 분기관에 장착된 제 1개폐수단 및 상기 제 1 분기관을 흐르는 화학용액이 그 내부를 관통하여 흐를 수 있도록 상기 제 1 분기관에 설치된 오염 입자 포집 수단이 구비하여 사용하면, 실제로 순환되고 있는 오염 입자에 대한 성분 분석이 가능하고, 설비의 가동율이 향상된다.
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公开(公告)号：KR1019960040415A
公开(公告)日：1996-12-17
申请号：KR1019950013962
申请日：1995-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B01D35/143
Abstract: 본 발명은 습식 공정 장치에 관한 것이다. 화학용액을 이용하여 습식 공정을 수행하는 공정 베스와 공정 베스에서 사용된 화학용액이 모이는 외부 베스로 이루어진 화학용액 베스, 상기 외부 베스에 모아진 화학용액을 순환시키기 위한 펌프 및 상기 공정 베스를 거치는 과정에서 오염된 화학용액을 여과하기 위한 재순환 필터를 포함하는 습식 공정 장치에 있어서, 상기 재순환 필터의 여과능력을 체크하기 위하여 차압 측정 수단 및 선택적으로 오염 입자 농도 측정 수단을 추가로 설치하여 이용하면, 공정을 일시적으로 중단하지 않고 순환필터의 기능을 검사할 수 있기 때문에 설비의 가동율이 극대화 되고, 우연적인 화학용액 오염사고에 대해서도 신속히 대처하여 불량품 발생율을 크게 줄일 수 있다.
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