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公开(公告)号：KR1020150052389A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130132739
申请日：2013-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은발광소자및 발광소자패키지에관한것이다. 본발명에따른발광소자는, 지지기판; 상기지지기판상에형성된제1 도전성반도체층; 상기제1 도전성반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에형성된제2 도전성반도체층; 및상기제2 도전성반도체층상에형성된격자구조의광확산층;을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及发光器件和发光器件封装。 根据本发明的发光器件包括：支撑衬底; 形成在所述支撑基板上的第一导电半导体层; 形成在所述第一导电半导体层上的有源层; 形成在所述有源层上的第二导电半导体层; 以及形成在第二导电半导体层上的晶格结构的光扩散层。
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公开(公告)号：KR101505123B1
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：KR1020130072912
申请日：2013-06-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 나노구조체는 기판, 기판 위에 위치하는 제1 금속층, 그리고 제1 금속층 위에 위치하는 단위 구조물(unit structure)을 포함하고, 단위 구조물은 제1 금속층 위에 위치하는 제1 유전체층, 제1 유전체층 위에 위치하는 제2 금속층, 제2 금속층 위에 위치하는 제2 유전체층, 제2 유전체층 위에 위치하는 제3 금속층, 제3 금속층 위에 위치하는 제3 유전체층, 그리고 제3 유전체층 위에 위치하는 제4 금속층을 포함하고, 제1 유전체층, 제2 유전체층, 그리고 제3 유전체층은 서로 두께가 다르다.
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公开(公告)号：KR101429118B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020130012165
申请日：2013-02-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: According to an embodiment of the present invention, disclosed is a method for manufacturing an antireflection film using a self-assembly nanostructure, including a step for forming a first metal drop by using drop feed growth on a substrate; a step for depositing a first nonmetal onto the first metal drop; and a step for forming a first nanocompound crystal through the self-assembly of the deposited first nonmetal and first metal drop.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案，公开了一种使用自组装纳米结构制造抗反射膜的方法，其包括通过在基板上使用液滴进料生长形成第一金属液滴的步骤; 用于将第一非金属沉积到所述第一金属滴上的步骤; 以及通过沉积的第一非金属和第一金属液滴的自组装形成第一纳米复合晶体的步骤。
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公开(公告)号：KR101323218B1
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：KR1020120081674
申请日：2012-07-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02104 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N21/00 , H01L21/02546 , H01L21/02601 , H01L21/02631 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/7613 , Y10S977/84
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nanostructure using a sacrificial etching mask is provided to prevent damage to a sample by not using an E-beam lithography apparatus. CONSTITUTION: A first semiconductor compound layer (2) and a semiconductor quantum structure layer (3) are formed on a substrate. A second semiconductor compound layer (4) and a semiconductor quantum dot layer are formed on the substrate. A thermal process is performed on the semiconductor quantum dot layer. The quantum dots of the semiconductor quantum dot layer agglomerate together due to the thermal process. An etching process is performed by using the agglomerate quantum dots as a mask.
Abstract translation: 目的：提供使用牺牲蚀刻掩模制造纳米结构的方法，以通过不使用电子束光刻设备来防止样品损坏。 构成：在基板上形成第一半导体化合物层（2）和半导体量子结构层（3）。 在基板上形成第二半导体化合物层（4）和半导体量子点层。 对半导体量子点层进行热处理。 由于热处理，半导体量子点层的量子点聚集在一起。 通过使用附聚量子点作为掩模来进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：KR100921693B1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020070106577
申请日：2007-10-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02439 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L29/205
Abstract: 본 발명은 GaAs기판, Si기판 등 경제적이고 구득이 용이한 반도체 기판상에 InAs
(1-x) Sb
x 으로 이루어진 반도체층을 형성하는 반도체 소자 제조방법을 제공한다. 본 발명은 반도체 기판과 반도체층 사이에 양자점층을 형성하여 반도체 기판과 반도체층 간의 격자부정합에 의한 결함을 감소시킨다. 또한, 본 발명은 반도체층의 성장 속도를 향상시킬 수 있으며, 본 발명에 따라 형성된 반도체층은 상온에서 높은 전자이동도를 나타낸다. 그 결과, 반도체 소자의 생산효율 및 품질을 향상시킬 수 있다.
GaAs, InSb, 양자점, 격자부정합, 반도체, 홀 센서-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100874896B1
公开(公告)日：2008-12-19
申请号：KR1020070001026
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A semiconductor laser having narrow beam spreading is provided to reduce width of an output beam of the semiconductor laser, to improve optical coupling efficiency between the semiconductor laser and an optical fiber, and to perform a photo-excitation of a bio body without a microscope or a microlens. A semiconductor laser includes a board, a lower cladding layer, a lower quantum well active layer, a core layer, an upper quantum well active layer, and an upper cladding layer. A lower cladding layer(31a) is formed on the board. A lower quantum well active layer(32a) is formed on the lower cladding layer. A core layer(33) is formed on the lower quantum well active layer. An upper quantum well active layer(32b) is formed on the core layer. An upper cladding layer(31b) is formed on the upper quantum well active layer.
Abstract translation: 提供具有窄波束扩展的半导体激光器以减小半导体激光器的输出光束的宽度，提高半导体激光器和光纤之间的光耦合效率，并且在没有显微镜的情况下执行生物体的光激励，或者 一个微透镜。 半导体激光器包括板，下包层，下量子阱活性层，核心层，上量子阱活性层和上包层。 下包层（31a）形成在板上。 下部量子阱活性层（32a）形成在下部覆盖层上。 芯层（33）形成在下量子阱有源层上。 在核心层上形成上量子阱有源层（32b）。 上部包层（31b）形成在上部量子阱活性层上。
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公开(公告)号：KR100861763B1
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：KR1020070068684
申请日：2007-07-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/324 , B82B3/00 , B82B1/00
CPC classification number: H01L21/324 , B82Y40/00 , H01L21/02395 , H01L21/0245 , H01L21/02455 , H01L21/02573 , H01L21/02664
Abstract: A method for forming a metal nano-ring by using a post-thermal process is provided to form a ring-shaped metal drop of a nano size by controlling only temperature in a thermal process. A metal material is implanted into a substrate under pressure 10^-9 torr and less. An annealing process is performed under the post-thermal temperature higher than the temperature of the substrate. The metal material is aluminum, gallium or indium. The post-thermal temperature is 340 to 410 °C when the metal material is the gallium. In the post-thermal process, a post-thermal process time is 10 minutes and more when the metal material is the gallium. The substrate is a gallium arsenide-based substrate when the metal material is the gallium.
Abstract translation: 提供通过使用后热处理形成金属纳米环的方法，通过仅控制热处理中的温度来形成纳米尺寸的环形金属滴。 金属材料在压力为10 ^ -9乇或更低的压力下注入衬底。 在比基板的温度高的后热温度下进行退火处理。 金属材料是铝，镓或铟。 当金属材料是镓时，后热温度为340至410℃。 在后热处理中，当金属材料为镓时，后热处理时间为10分钟以上。 当金属材料是镓时，衬底是基于砷化镓的衬底。
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公开(公告)号：KR100819388B1
公开(公告)日：2008-04-07
申请号：KR1020070001021
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A board spectrum light emitting device is provided to obtain lights having a broad spectrum discharged from a quantum dot and a quantum well active layer by allowing the quantum dot in an electric field reinforcing layer to absorb photons generated in the quantum well active layer to generate a second photon. Core layers(33a,33b) enclose a quantum well active layer(34). Cladding layers(31a,31b,31c,31d) include electric field reinforcing layers(32a,32b) whose refractive index is higher than that of the cladding layer. The electric field reinforcing layer includes plural quantum dots(QD). The quantum well active layer discharges light of a first wavelength. The quantum dot discharges light of a second wavelength longer than the first wavelength. A band gap of the quantum dot is smaller than that of the quantum well active layer. The quantum dot in the electric field reinforcing layer absorbs photons generated in the quantum well active layer to generate a second photon.
Abstract translation: 提供了一种板光谱发光器件，通过允许电场增强层中的量子点吸收在量子阱活性层中产生的光子而获得从量子点和量子阱活性层放出的光谱， 第二光子。 芯层（33a，33b）包围量子阱活性层（34）。 包覆层（31a，31b，31c，31d）包括其折射率高于包层的折射率的电场增强层（32a，32b）。 电场增强层包括多个量子点（QD）。 量子阱有源层放电第一波长的光。 量子点放电比第一波长长的第二波长的光。 量子点的带隙小于量子阱活性层的带隙。 电场增强层中的量子点吸收在量子阱活性层中产生的光子以产生第二光子。
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公开(公告)号：KR100673499B1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050003089
申请日：2005-01-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/183 , H01L33/105 , H01S2304/00 , H01S2304/02
Abstract: 본 발명은 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있는 디지털 합금 다원 화합물 반도체의 분산 브랙 반사경을 제공한다. 본 발명의 분산 브랙 반사경은 기판 및 상기 기판 상에 다층으로 적층된 단위 분산 브랙 반사경(DBR) 층을 포함하며, 상기 단위 DBR층이 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/다원 반도체층 또는 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층의 다층 적층체로 이루어지고, 상기 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층이 다원 반도체의 제1 층과 상기 제1 층 상의 상이한 다원 반도체의 다층 적층체로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 디지털 합금 분산 브랙 반사경은 기존의 일반 분산 브랙 반사경에 비해 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있다.
디지털 합금, 다원 화합물 반도체, 분산 브랙 반사경, 파장, 반사율, 굴절률-
公开(公告)号：KR1020060082342A
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020050003016
申请日：2005-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/035218 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/186
Abstract: 본 발명은 양자점 성장시 생성되는 결함을 수소화 처리를 통하여 줄여서, 반도체 소자의 광특성 뿐만 아니라 전기적 특성을 향상시킬 수 있는, 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 소자 제조 방법은, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 도전층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; f) 상기 양자점을 덮는 덮개층을 형성하는 단계; g) 상기 덮개층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및 h) 수소화 처리를 실시하는 단계를 포함한다.
양자점, InAs, InGaAs, GaAs, 수소화 처리, 결함Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有量子点结构的光学元件的方法，该量子点结构不仅能够通过减少氢化期间量子点生长期间产生的缺陷而改善半导体器件的光学特性而且还改善电学特性。 根据本发明的光学器件制造方法包括以下步骤：a）准备衬底; b）在衬底上形成第一导电层; c）在第一导电层上形成缓冲层; e）在缓冲层上形成量子点; f）形成覆盖量子点的覆盖层; g）在覆盖层上形成第二导电层; 和h）进行加氢处理。
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