公开(公告)号：DE102017101966A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：DE102017101966

申请日：2017-02-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  SINGER FRANK

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/66 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Transfer zumindest eines Halbleiterchips (2) auf einen Zielträger (5) angegeben mit den Schritten:- Bereitstellen eines Zwischenträgers (1) mit einer Vielzahl von Halbleiterchips, wobei jeder Halbleiterchip (2) eine ferromagnetische Schicht (22) aufweist und in Bezug auf zumindest einen optischen und/oder elektronischen Parameter charakterisiert ist,- Bereitstellen eines magnetisierbaren Transferträgers (4),- Durchführung eines ersten oder zweiten selektiven Magnetisierungsverfahrens, so dass nur Halbleiterchips (2) mit einer gewünschten Charakterisierung vom Transferträger magnetisch angezogen werden,- Übertragen von Halbleiterchips (2) auf den Transferträger (4), wobei nur die Halbleiterchips (2) mit der gewünschten Charakterisierung magnetisch am Transferträger (4) haften bleiben,- Übertragen zumindest eines der am Transferträger (4) magnetisch haftenden Halbleiterchips (2) auf den Zielträger(5) .

公开(公告)号：DE102017100716A1

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：DE102017100716

申请日：2017-01-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STREPPEL ULRICH ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/58

Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung von Licht zwischen einem ersten Schichtbereich (21) und einem zweiten Schichtbereich (22). Ferner sind eine erste (31) und eine zweite elektrische Kontaktstruktur (32)vorhanden, über die die Schichtbereiche (31, 32) elektrisch kontaktiert sind. Die erste Kontaktstruktur (31) umfasst Flächenkontakte (41) direkt an der Halbleiterschichtenfolge (2) und über die Halbleiterschichtenfolge (2) durchgehend hinweg. Die zweite Kontaktstruktur (32) umfasst elektrisch unabhängig ansteuerbare Kontaktzapfen (42), die sich durch die Flächenkontakte (41), den ersten Schichtbereich (21) und die aktive Zone (23) hindurch in den zweiten Schichtbereich (22) erstrecken. Durch die Kontaktzapfen (42) sind über die Flächenkontakte (41) hinweg im Betrieb in Draufsicht gesehen je fließend ineinander übergehende Leuchtbereiche (5) realisiert.

公开(公告)号：DE102016114992A1

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：DE102016114992

申请日：2016-08-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER FRANK ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, mit: – einer Vielzahl von Kern-Hülle-Stäben (20) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, die beabstandet zueinander angeordnet sind, – einer ersten elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur (17) zur n-seitigen elektrischen Kontaktierung der Kern-Hülle-Stäbe (20), und – einer zweiten elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur (19) zur p-seitigen elektrischen Kontaktierung der Kern-Hülle-Stäbe (20), wobei – die erste elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (17) und die zweite elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (19) zumindest abschnittsweise in einer vertikalen Richtung überlappen, und – der optoelektronische Halbleiterchip (10) an einer Montageseite (10c) oberflächenmontierbar ist.

公开(公告)号：DE102016111790A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102016111790

申请日：2016-06-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  SPERL MATTHIAS

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) bestimmt und umfasst die Schritte: A) Erzeugen einer elektrischen Kontaktstruktur (8) mit elektrischen Kontaktstegen (81, 82), B) Erzeugen eines Gehäuseverbunds (25) mit Gehäusen (2), C) Anbringen je mindestens eines ersten und eines zweiten Halbleiterchips (32) zur Erzeugung von Licht einer ersten und einer zweiten Farbe, und D) Vereinzeln des Gehäuseverbunds (25) zu den oberflächenmontierbaren Halbleiterbauteilen (1), wobei bei den fertigen Halbleiterbauteilen (1) – im Betrieb entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) eine Mischstrahlung emittiert wird, – der erste Halbleiterchip (31) in einer ersten Ebene (P1) und der zweite Halbleiterchip (31) in einer zweiten Ebene (P2) angeordnet sind und die Ebenen (P1, P2) entlang der Hauptabstrahlrichtung (M) aufeinander folgen, – in Draufsicht aktive Zonen (33) der Halbleiterchips (31, 32) nebeneinander angeordnet sind, – das Gehäuse (2) in Draufsicht zu mindestens 20 % von den Halbleiterchips (31, 32, 37) ausgefüllt ist, und – zumindest der zweite Halbleiterchip (32) über die Kontaktstruktur (8) elektrisch kontaktiert ist.

公开(公告)号：DE102016105582A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：DE102016105582

申请日：2016-03-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/60

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Substrats (1), B) Aufbringen von Halbleiterchips (2) auf das Substrat (1), wobei die Halbleiterchips (2) lateral zueinander beabstandet und zur Emission von Strahlung befähigt sind, C) Bereitstellen eines Verbundträgers (3), D) Formen des Verbundträgers (3) mittels eines Formwerkzeugs (4), E) Verpressen des Verbundträgers (3) und des Substrats (1), so dass ein Reflexionselement (6) ausgeformt wird, – wobei das Reflexionselement (6) zumindest ein Fluorpolymer (7) umfasst, das die Struktureinheit A der folgenden allgemeinen Formel umfasst:– wobei das Reflexionselement (6) lateral zu den Halbleiterchips (2) und zumindest bereichsweise auf der dem Substrat (1) abgewandten Oberfläche (22) der Halbleiterchips (2) angeordnet ist, und F) Vereinzeln der Halbleiterchips (2).

公开(公告)号：DE102016105407A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：DE102016105407

申请日：2016-03-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/56 ,  C08J3/28 ,  C08J7/00 ,  H01L21/50 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, insbesondere strahlungsemittierenden optoelektronischen Vorrichtung angegeben. Das Verfahren umfasst die Verfahrensschritte: B) Aufbringen und Befestigen von Halbleiterchips auf einem Träger, D) Aufbringen eines Fluorpolymers auf die von dem Träger abgewandte Hauptoberfläche des Halbleiterchips und die dem Halbleiterchip zugewandte Hauptoberfläche des Trägers zur Bildung einer Verkapselungsschicht umfassend ein Fluorpolymer E) Strukturieren der Verkapselungsschicht umfassend das Fluorpolymer zur Bildung von Kavitäten in der Verkapselungsschicht, G) Aufbringen einer Metallschicht in die Kavität.

公开(公告)号：DE112015002211A5

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE112015002211

申请日：2015-04-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE102015109852A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：DE102015109852

申请日：2015-06-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

Abstract: Es ist eine Leuchtdiode (100) angegeben, die einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einer Strahlungsseite (16), einer der Strahlungsseite (16) gegenüberliegenden Kontaktseite (12) und quer zur Strahlungsseite (16) verlaufenden Seitenflächen (15) aufweist. Auf der Kontaktseite (12) ist ein erstes Kontaktelement (10) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (1) angebracht. Ferner umfasst die Leuchtdiode (100) einen transparenten Vollkörper (2) sowie ein Abdeckelement (3). Im bestimmungsgemäßen Betrieb emittiert der Halbleiterchip (1) elektromagnetische Strahlung über die Strahlungsseite (16) entlang einer quer zur Strahlungsseite (16) verlaufenden Hauptemissionsrichtung (17). Dabei ist der Halbleiterchip (1) in den Vollkörper (2) eingebettet, wobei die Seitenflächen (15) und die Strahlungsseite (16) von dem Vollkörper (2) formschlüssig bedeckt sind. Der Vollkörper (2) verbreitert sich entlang der Hauptemissionsrichtung (17). Das Abdeckelement (3) ist dem Vollkörper (2) in Hauptemissionsrichtung (17) nachgeordnet und direkt auf den Vollkörper (2) aufgebracht. Eine dem Vollkörper (2) abgewandte Seite des Abdeckelements (3) ist als Strahlungsaustrittsfläche (30) der Leuchtdiode (100) ausgebildet. Das erste Kontaktelement (10) liegt im unmontierten und/oder nicht kontaktierten Zustand der Leuchtdiode (100) frei.

公开(公告)号：DE112015000703A5

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE112015000703

申请日：2015-01-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  ILLEK STEFAN ,  SINGER FRANK ,  VON MALM NORWIN

IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102015104886A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：DE102015104886

申请日：2015-03-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/13 ,  H01L33/46

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) umfasst einen Grundkörper mit einem Träger (3) und einer auf einer Oberseite (30) des Trägers (3) angeordneten Halbleiterschichtenfolge (1), die im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert. Ferner umfasst der Halbleiterchip (100) zwei auf der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnete und vom Träger (3) abgewandte Kontaktflächen (20, 21), über die die Halbleiterschichtenfolge (1) elektrisch kontaktierbar ist. Der Halbleiterchip (100) weist außerdem zwei Kontaktelemente (40, 41) auf, die auf den Kontaktflächen (20, 21) aufgebracht sind und mit diesen elektrisch leitend verbunden sind. Der Träger (3) des Grundkörpers umfasst quer zur Oberseite (30) verlaufende Seitenflächen (32) und eine der Oberseite (30) gegenüberliegende Unterseite (31). Die Kontaktelemente (40, 41) sind als Leiterbahnen ausgebildet, die ausgehend von den Kontaktflächen (20, 21) über Kanten des Grundkörpers bis auf die Seitenflächen (32) des Trägers (3) geführt sind.