公开(公告)号：CN105264632B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201480032691.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 金子朝子 ,  高须久幸 ,  武藤宏史 ,  岩谷彻 ,  许斐麻美

IPC: H01J37/20 ,  G01N1/28 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/20 ,  G01K1/14 ,  G01N1/32 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/20271 ,  H01J2237/20285 ,  H01J2237/317

Abstract: 本发明的目的在于提供离子碾磨装置，能够在将离子束照射至试样并进行加工的离子碾磨装置中，与照射离子束时的试样的变形等无关地，高精度地进行试样的温度控制，例如提出有如下离子碾磨装置的方案，具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构，具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。

公开(公告)号：CN106373845A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610350373.0

申请日：2016-05-24

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 苏科缙 ,  张国忠 ,  黄伟铨 ,  吴铭伟 ,  薛丞宏 ,  林明杰

IPC: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08

Abstract: 一种镧系元素离子源的产生方法，包括下列步骤：加热一种或多种非气态的镧系元素化合物，使得该一种或多种非气态的镧系元素化合物转变为气态；传送一种或多种气态镧系元素化合物传送至该电弧室；传送至少一种支持气体传送至该电弧室；提供能量予该电弧室，使含有镧系元素离子的电浆形成于该电弧室中；以及将镧系元素离子自含有镧系元素离子的该电浆中萃取出来形成镧系元素离子束。

公开(公告)号：CN106062918A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580010132.5

申请日：2015-03-03

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： A.K.辛哈 ,  S.M.史密斯 ,  D.C.海德曼 ,  S.M.坎珀

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C01B3/00 ,  H01J27/22 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32807 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0473 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/3365 ,  Y02E60/324

Abstract: 提供一种新颖的组合物、其用于在硼离子注入期间改善束电流的系统和方法。硼离子注入过程涉及使用特定浓度范围的B2H6、BF3和H2。选择B2H6以在活性氢离子种类的产生和注入期间使用的离子源操作电弧电压下具有比BF3的电离横截面高的电离横截面。氢允许更高水平的B2H6被引入BF3而不减少F离子清除。活性硼离子产生改善的束电流，其特征在于与由常规硼前体材料产生的束电流相比时维持或增大束电流水平而不招致离子源的退化。

公开(公告)号：CN103456588B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310211268.5

申请日：2013-05-31

Applicant: FEI公司

Inventor： T.米勒 ,  S.克罗格 ,  S.张 ,  M.马佐斯 ,  A.格劳佩拉

IPC: H01J37/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/026 ,  H01J37/10 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/185 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/188 ,  H01J2237/31713 ,  H01J2237/31749

Abstract: 申请人已发现，使用等离子体源的离子束系统中由高能离子与中性气体分子之间的电荷交换性相互作用产生的活跃中性粒子到达样本。这些活跃中性粒子产生了离开束冲击点的二次电子。解决这个问题的方法包括在该等离子源下方的多个差分泵送室以减少使这些离子与气体相互作用的机会。

公开(公告)号：CN105637616A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480056978.8

申请日：2014-08-14

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 唐瀛 ,  J·D·斯威尼 ,  陈天牛 ,  J·J·迈耶 ,  R·S·雷 ,  O·比尔 ,  S·N·耶德卫 ,  R·凯姆

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26546

Abstract: 本发明描述了用于在基板中注入硅和/或硅离子的组合物、系统和方法，包括从相应的硅前体组合物中生成硅和/或硅离子，以及在基板中注入该硅和/或硅离子。

公开(公告)号：CN105340050A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480035014.5

申请日：2014-07-11

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 上野敦史 ,  高须久幸 ,  武藤宏史

IPC: H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/06 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/182 ,  H01J2237/1825 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明的离子铣削装置具备真空室(105)、进行该真空室内的真空排气的排气装置(101)、在上述真空室内支撑离子束所照射的试样(102)的试样台(103)、加热上述真空室内的加热装置(107)、向上述真空室内导入作为热介质的气体的气源(106)、控制该气源的控制装置(110)，该控制装置在由上述加热装置进行的加热时，以上述真空室内的压力为预定的状态的方式控制。由此，在冷却试样进行离子铣削后大气开放时，可在短时间内进行用于抑制产生的结露等的温度控制。

公开(公告)号：CN104979151A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510171305.3

申请日：2015-04-13

Applicant: FEI公司

Inventor： B.R.小劳思 ,  V.布罗登 ,  M.施米德特

IPC: H01J37/26 ,  G01N1/28

CPC classification number: H01J37/20 ,  G01N1/44 ,  H01J37/26 ,  H01J37/261 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/2602 ,  H01J2237/31745

Abstract: 本发明涉及高容量TEM栅格，特别是一种TEM栅格提供立柱，立柱具有台阶，台阶增加了能附连到栅格上的样品数量。在某些实施例中，每个立柱包括单侧楼梯台阶配置。一种用于提取多种样品的方法包括提取样品并且将样品附连到立柱的不同楼梯台阶上。

公开(公告)号：CN104737266A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380053492.4

申请日：2013-10-09

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 佐藤高广 ,  森川晃成 ,  关原雄

IPC: H01J37/317 ,  G01N1/28

CPC classification number: H01J37/3178 ,  G01N1/28 ,  G01N1/286 ,  G01N2001/2873 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/31 ,  H01J2237/063 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/208 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/2813 ,  H01J2237/2817 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749 ,  H01J2237/31744

Abstract: 本发明提供一种带电粒子束装置，其具备：带电粒子源；使从带电粒子源放出的带电粒子束聚焦在试样上的物镜；检测从试样放出的二次带电粒子的检测器；能够与试样接触的探针；向试样放出导电性气体的气体喷嘴；以及对探针的驱动和从气体喷嘴的气体放出进行控制的控制部，控制部在向试样照射带电粒子束并加工试样之后、使探针与试样接触之前，使气体从气体喷嘴朝向加工位置放出，并照射带电粒子束而在试样的加工部形成导电性膜，并且具备判断形成于加工部的导电性膜与探针的接触的接触探测部。

公开(公告)号：CN104508174A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380039732.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  阿德金·沙拉积历

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/32422 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3467 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 揭示一种等离子体处理设备(200)。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。

公开(公告)号：CN104124141A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201310561130.8

申请日：2013-09-23

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： A·K·辛哈 ,  C·I·李

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/02 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 在此提供了一种使用富集和高富集掺杂剂气体的新型工艺，由于能够实现与这种掺杂剂气体的离子注入相关的工艺优势，因此消除了终端使用者当前所遭遇的问题。对于在指定范围内的给定流速，与其相应非富集或较少富集掺杂剂气体相比，设计为在降低的离子源的总功率等级下运行以降低该富集掺杂剂气体的电离效率。还降低了源线圈的温度，从而当利用含氟富集掺杂剂气体时减轻了氟刻蚀和离子源寿命缩短的不利效果。当有利地将射束电流维持在不用难以接受地背离原来限定的等级时，该降低的总功率等级与降低的电离效率和降低的离子源温度组合，能够相互协同作用以改善并延长离子源寿命。