公开(公告)号：CN107533944A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201580079435.2

申请日：2015-05-01

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 利根正纯 ,  任田浩 ,  大西富士夫

IPC: H01J37/248 ,  H01J37/18 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/241 ,  H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J37/222 ,  H01J37/244 ,  H01J37/248 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2448

Abstract: 在具备离子泵的带电粒子束装置中，能够使离子泵的电源的低频噪声充分地降低而对真空度高精度地进行计量。离子泵(2)的驱动电源部(1)构成为，具备：高压电源电路部(101‑112)，其使离子泵(2)工作；负荷电流检测电路部(130)，其对向离子泵(2)施加的负荷电流进行检测；以及消除电路部(140)，其使施加于负荷电流检测电路部(130)的低频噪声降低。

公开(公告)号：CN107393795A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710707294.5

申请日：2011-02-26

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 罗伯特·凯姆 ,  约瑟夫·D·斯威尼 ,  安东尼·M·阿维拉 ,  理查德·S·雷

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2225 ,  F17C7/00 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/304 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26506 ,  Y02E60/321 ,  Y10T428/13

Abstract: 本申请涉及用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备，并提供一种离子注入系统和方法，其中，通过利用富含同位素的掺杂剂材料，来提高离子注入系统的离子源的性能和寿命，或通过利用具有可有效地提供这种提高的补充气体的掺杂剂材料来实现。

公开(公告)号：CN107359100A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710507343.0

申请日：2017-06-28

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 王玉添

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171

Abstract: 本发明公开了一种离子注入装置及其使用方法，其中装置包括：主离子源、至少一个备用离子源、用于改变接入的离子源种类的离子源切换装置及用于使所述备用离子源和/或主离子源发射的离子进入筛选装置的离子通道。通过上述方式，本发明能够通过设置至少一个备用离子源的方式，在某一离子源需要停机维修时通过切换离子源使得其它离子源与筛选装置相连，保证离子注入装置可以连续工作，实现产品制造过程中的连续性。此外，该方法不需要将整个离子注入装置全部停机，也不需要重新建立真空环境，操作方便。

公开(公告)号：CN103367087B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310104256.2

申请日：2013-03-28

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： T.米勒 ,  S.克罗格 ,  J.兹布拉内克

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/045 ,  H01J37/243 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/0805 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31749

Abstract: 一种用于关闭和恢复离子束系统中的离子束的改进的方法和设备。优选实施例提供了一种用于改善对聚焦离子束源的功率控制的系统，其利用自动检测带电粒子射束系统何时空闲（即射束本身未在使用中），并且之后使射束电流自动降低至在离子柱中的任何孔径面处发生很少或不发生离子铣削的程度。优选实施例包括控制器，其可操作成在检测到带电粒子射束系统的离子源的空闲状态时修改施加到提取器电极的电压和/或降低施加到源电极的电压。

公开(公告)号：CN107223282A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201580066523.9

申请日：2015-10-14

Applicant: 约翰·安德鲁·亨特 ,  史蒂文·托马斯·科伊尔 ,  迈克尔·帕特里克·哈塞尔希勒 ,  塞及·C·霍斯曼

Inventor： 约翰·安德鲁·亨特 ,  史蒂文·托马斯·科伊尔 ,  迈克尔·帕特里克·哈塞尔希勒 ,  塞及·C·霍斯曼

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/24 ,  H01J37/304 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317 ,  G01N1/44

CPC classification number: H01J37/243 ,  G01N1/44 ,  H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/304 ,  H01J37/305 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31 ,  H01J2237/3151 ,  H01J2237/316

Abstract: 用于离子束样本制备和镀覆的装置中测定、使用和指示离子束工作性能的方法和装置。束探针可用于测量离子束一个部分的一种或多种工作特性，生成与一种或多种工作特性存在已知关系的探针信号。该束探针可生成与达到样本的喷镀涂层的一种或多种特性存在已知关系的信号。离子束装置可与从束探针处接收到的信号响应，调制一种或多种离子束特性。探针信号可用于离子束装置中，指示一种或多种离子束工作特性。相关装置和方法还可测量探针信号与离子束工作特性之间的已知关系。

公开(公告)号：CN107078010A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580059947.2

申请日：2015-08-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  泰勒·洛克威尔 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  维克拉姆·辛 ,  史费特那·瑞都凡诺

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/30472

Abstract: 一种处理装置可包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。

公开(公告)号：CN107004550A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066887.7

申请日：2015-10-27

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： O·比尔 ,  J·D·斯威尼

IPC: H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J27/20 ,  H01J27/16 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/082 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及一种离子源设备，其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括：离子源腔室(12)；及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说，所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14)，其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。

公开(公告)号：CN106796863A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201680002430.4

申请日：2016-03-29

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 植村贤介 ,  阿列克谢·G·列姆涅夫

IPC: H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3053 ,  C23C14/022 ,  C23C16/0245 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0825 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/3114 ,  H01J2237/3132 ,  H01J2237/3151

Abstract: 本发明以提供一种除膜方法为技术问题，该除膜方法是对由像PCD(聚晶金刚石)那样的无机物包覆的刀具、机械零件等进行除膜以能够进行再利用的方法，进行离子照射时在被除膜基材(包覆件)不易产生死角，在温度方面在基材(金属制构件)不易产生脆性相，并且，能够经济且快速地进行除膜。该除膜方法是向在金属制构件的表面附着由无机物构成的覆膜而成的包覆件(1)照射离子流(7)、从所述金属制构件剥离所述覆膜的除膜方法，其特征在于，将包覆件(1)设置在两个以上的离子流(7)重叠的离子流集中部(7A)，不向包覆件(1)施加正负偏压地向包覆件(1)照射离子流(7)，利用这样的除膜方法能够解决所述技术问题。

公开(公告)号：CN105340049B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201480037223.3

申请日：2014-05-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  大卫·P·斯波德莱 ,  杰·舒尔 ,  奈尔·巴森

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/02 ,  H01L21/425

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/3341

Abstract: 本发明提供一种离子源及其操作方法。所述离子源包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧等离子体的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧等离子体中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。该方案除了减少离子源表面的金属蚀刻外，使用硅做为反应性插件的实施例的优点包括没有额外的金属物种从硅插件被引入至电弧等离子体中。

公开(公告)号：CN106531604A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610957840.6

申请日：2016-10-27

Applicant: 合肥优亿科机电科技有限公司

Inventor： 滕海燕

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171

Abstract: 本发明提供一种热阴极高密度低能离子束生物改性设备，包括实验腔以及置于实验腔进气端外的离子源和置于实验腔内用于放置样品的载物台，所述离子源包括沿进气方向依次布置在电离室内的加热丝、LaB6块状阴极和阳极，该电离室与实验腔之间通过引出系统连接，所述引出系统包括线圈、电子腔以及置于电子腔内的引出极，该电子腔与实验腔连通，所述线圈置于电离室的外侧，所述LaB6块状阴极激发出弧光放电等离子体，经过引出系统的加速，对载物台上的样品进行生物改性。本发明所阐述的等离子体密度比市面上现有的辉光放电等离子体提高10~100倍，发射密度高，离子束束流密度高，效果明显，生物改性效率高。