公开(公告)号：CN104755445B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201380056024.2

申请日：2013-09-16

Applicant: 罗杰斯德国有限公司

Inventor： K·施米德特 ,  A·迈耶 ,  A·勒加斯 ,  M·施米勒

IPC: C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B37/02

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B37/021 ,  C04B37/023 ,  C04B37/026 ,  C04B37/028 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/062 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/266

Abstract: 本发明涉及金属‑陶瓷‑基材及其制备方法，所述金属‑陶瓷‑基材包括至少一个具有第一表面侧和第二表面侧(2a、2b)的陶瓷层(2)，所述陶瓷层(2)在表面侧(2a、2b)的至少一者上设置有金属化层(3、4)，其中形成陶瓷层(2)的陶瓷材料包含氧化铝、二氧化锆以及氧化钇。特别有利地，氧化铝、二氧化锆以及氧化钇各自以其总重量计的以下比例包含在陶瓷层(2)中：二氧化锆，在2和15重量％之间；氧化钇，在0.01和1重量％之间；和氧化铝，在84和97重量％之间，其中所使用的氧化铝的平均粒径在2和8微米之间，并且氧化铝晶粒的晶界长度与所有晶界的总长度的比例大于0.6。

公开(公告)号：CN103875142B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280050447.9

申请日：2012-09-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤森敬洋 ,  铃木真吾 ,  朝仓健作

IPC: H01T4/10 ,  H01T1/20 ,  H01T4/12

CPC classification number: H05F3/04 ,  H01T1/24 ,  H01T4/12 ,  H05K1/026 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/09272

Abstract: 本发明在于提供一种反复使用的耐久性提高而且在放电特性上优异的静电应对元件。其是在具备绝缘性层叠体（11）、该绝缘性层叠体（11）内的一对放电电极（12,13）、以及设置在该放电电极间和该放电电极端部周边的放电触发部（14）的静电应对元件（100）中，在放电电极的表面配置包含玻璃质的绝缘层（15,16）的结构。通过在放电电极的表面设置包含玻璃质的绝缘层，从而抑制因放电所致的放电电极中的导电性无机材料向放电触发部的流出。

公开(公告)号：CN103597916A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201280025835.1

申请日：2012-10-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中谷诚一 ,  川北晃司 ,  泽田享 ,  山下嘉久

IPC: H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0313 ,  H05K3/4673 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2203/0126 ,  H05K2203/0514 ,  H05K2203/1366

Abstract: 一种增层基板的制造方法，其用于制造一种在电路基板上层叠有绝缘层与布线图案层的增层基板，包括：(i)工序，在具有布线图案的电路基板的两面或单面上涂敷光反应性的金属氧化物前驱体原料，对该光反应性的金属氧化物前驱体原料加以干燥处理而形成绝缘膜；(ii)工序，对绝缘膜加以曝光以及显影处理，由此，在绝缘膜上形成过孔用开口部；(iii)工序，对绝缘膜进行热处理，使绝缘膜成为金属氧化物膜，由此，获得由无机金属氧化物膜形成的增层绝缘层；以及(iv)工序，对增层绝缘层实施镀敷处理，由此形成过孔，并且形成金属层，对该金属层实施蚀刻处理形成增层布线图案，(v)反复进行至少一次以上的上述工序(i)～(iv)。

公开(公告)号：CN103579476A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310303977.6

申请日：2013-07-18

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 许哲豪

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

CPC classification number: H05K1/0306 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H05B33/02 ,  H05K1/0274 ,  H05K3/108 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/2054 ,  H05K2201/2072 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于LED模块的基板以及制造该基板的方法，所述基板包括：基部基板；绝缘层，形成在基部基板中的除了芯片安装区域A之外的其余区域上；电极层，形成在绝缘层上；氧化物层，形成在基部基板的芯片安装区域A上；以及高反射性层，形成在氧化物层的顶表面上。

公开(公告)号：CN103379731A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310150318.3

申请日：2013-04-26

Applicant: 株式会社小糸制作所

Inventor： 寺冈慎次 ,  土屋俊幸 ,  清水伸幸

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/42

CPC classification number: H05K1/0298 ,  F21S41/17 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/0265 ,  H05K1/167 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/28 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/46 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/10113 ,  H05K2203/1563 ,  H05K2203/1572 ,  H05K2203/159 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种电路基板以及电路基板的制造方法，其确保导电层之间的良好的导通性，并且实现相对于金属壳体的绝缘性的提高。其设置有：形成通孔的绝缘性的基板，该通孔将搭载电子部件的第1面和相反侧的第2面连通；第1面侧导电层，其从第1面延伸至通孔，将电子部件导通；第2面侧导电层，其从第2面延伸至通孔，在通孔中与第1面侧导电层导通；电阻层，其形成在第2面上，与第2面侧导电层导通；第2面侧层叠导电层，其从第2面延伸至通孔，覆盖第2面侧导电层，闭塞通孔的至少一部分；第2面侧保护玻璃层，其覆盖第2面侧导电层、第2面侧层叠导电层及电阻层；以及粘接层，其形成在第2面侧保护玻璃层和金属壳体的内表面之间。

公开(公告)号：CN103190205A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180042797.6

申请日：2011-08-29

Applicant: 贺利氏特种光源有限责任公司

Inventor： M.派尔 ,  F.奥斯瓦尔德 ,  H.迈韦格

IPC: H05K3/28 ,  B29C41/12 ,  H01L23/31 ,  H01L25/075 ,  H01L27/00 ,  H01L33/56 ,  F21K99/00

CPC classification number: H01L33/54 ,  F21K9/90 ,  F21Y2115/10 ,  H01L21/56 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/15 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H05K1/0274 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/09909 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/10121 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2203/0126 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及使用透明的、耐UV和耐温的由一种或多种硅树脂组成的涂层（24）对光电子板上芯片模块（21）进行涂覆的方法，所述光电子板上芯片模块包括装备有一个或多个光电子组件（4）的平面载体（2，2’），涉及相应的光电子板上芯片模块（21）以及具有多个光电子板上芯片模块（21）的系统。根据本发明的方法具有以下方法步骤：a)将待涂覆的载体（2，2’）预热到第一温度，b)将包围载体（2，2’）的待涂覆的面或部分面的、由热硬化的高反应性的第一硅树脂组成的坝（22）施加到预热的载体（2，2’）上，所述第一硅树脂在第一温度时硬化，c)用液态的第二硅树脂（23）填充载体（2，2’）的被坝（22）包围的面或部分面，和d)使第二硅树脂（23）硬化。

公开(公告)号：CN101917819B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201010244871.X

申请日：2006-06-13

Applicant: 揖斐电株式会社

Inventor： 苅谷隆

IPC: H05K1/11 ,  H05K1/16 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/11 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/113 ,  H05K1/162 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09718 ,  H05K2201/09763 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供一种印刷线路板。该印刷线路板包括可安装在1个芯片上包括2个处理器核心(81A、81B)的双核处理器(80)的安装部(60)、和对应于各处理器核心(81A、81B)各自独立形成的电源线(12A、12B)、接地线(11A、11B)、第1及第2层状电容器(40A、40B)。因此，即使各处理器核心(81A、81B)的电位瞬间降低，也可以通过与其相对应的层状电容器(40A、40B)的作用抑制电位的瞬间降低，即使一个处理器核心的电压变动，该电压变动也不会影响其余的处理器核心，因此也不会产生误动作。

公开(公告)号：CN101578673B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200880001590.2

申请日：2008-01-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 白川彰彦 ,  光本龙一 ,  时田孝二

IPC: H01G4/20 ,  H01G4/10 ,  H01G4/12 ,  H01G9/052

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/20 ,  H01G9/0032 ,  H01G9/052 ,  H01G9/07 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2203/0315 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/266

Abstract: 本发明的电容器材料层叠有二氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层。

公开(公告)号：CN101160674B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200680012838.6

申请日：2006-03-16

Applicant: 杜邦帝人薄膜美国有限公司

Inventor： 威廉·阿拉斯代尔·麦克唐纳 ,  弗兰克·普拉奇多 ,  罗伯特·威廉·伊夫森

IPC: H01L51/00 ,  B29C55/06 ,  C08L67/03

CPC classification number: H01L51/52 ,  B29C55/04 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5338 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/0011 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2203/0271 ,  H05K2203/1105 ,  H05K2203/165 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及一种复合膜的制造方法和一种电子或者光电子器件的制造方法。所述方法包括以下步骤：(i)形成聚合物衬底层；(ii)至少在一个方向上拉伸该衬底层；(iii)在约19到75kg/m膜宽度范围内的张力的尺寸控制条件下，在高于衬底聚合物的玻璃转化温度但低于其熔化温度的温度下进行热定形；(iv)在高于衬底的聚合物玻璃转化温度但低于其熔化温度的温度下对该膜进行热稳定化；(v)应用平面化涂层组合物，使所述涂层衬底的表面表现出小于0.6nm的Ra值和/或小于0.8nm的Rq值；(vi)通过使用高能量气相沉积法提供厚度为2nm到1000nm的无机屏蔽层；以及，优选地，(vii)提供包括所述聚合物衬底层、所述平面化涂层和所述无机屏蔽层的复合膜，用作所述电子或者光电子器件中的衬底、以及所述复合膜和所述电子或者光电子器件本身。

公开(公告)号：CN102421725A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080019205.4

申请日：2010-03-26

Applicant: 库拉米克电子学有限公司

Inventor： J·舒尔茨-哈德 ,  L·米勒

IPC: C04B37/02 ,  C04B41/90 ,  B32B18/00 ,  C04B41/52 ,  H01L23/373 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38

CPC classification number: H05K3/38 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T428/12549 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/266 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属-陶瓷-基板，所述基板具有多层、板状陶瓷材料，且具有至少一个设置在所述陶瓷材料的表面侧的金属化，所述金属化通过直接键合(DCB方法)或活性焊料与陶瓷材料结合，其中所述陶瓷材料由至少一个由氮化硅构成的基层或内层构成，并且其中设置有至少一个金属化的陶瓷材料的表面侧由施加在至少一个基层上的由氧化陶瓷构成的中间层形成。