Abstract:
Um ein Verfahren zur Herstellung einer Endoberfläche (10) auf mindestens einer freiliegenden metallischen Fläche (2) einer Leiterplatte (1) zu schaffen, welche die metallische Fläche (2) auf der Leiterplatte (1) wirksam vor Oxidation schützt und ein zuverlässiges Löten der Bauteile sicherstellt, wird erfindungsgemäß ein zweistufiges Beschichtungsverfahren vorgeschlagen, welches die folgenden Schritte umfasst: • - Beschichten der mindestens einen freiliegenden metallischen Fläche mit einem elektrisch leitfähigen Haftvermittler (4), • - Aufbringen einer leitfähigen, metallischen Oberflächenschutzschicht (5) auf dem Haftvermittler (4) mittels eines atmosphärischen Plasmabeschichtungsverfahrens (6).
Abstract:
본 발명에 따른 다층 인쇄 회로 기판의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계,상기 기판에 비아홀을 하나 이상 형성하는 단계, 상기 비아홀의 하부 개구부를 커버하는 도전 패턴을 포함하는 제1 도전 패턴을 상기 기판의 하면에 형성하는 단계, 상기 비아홀에 도전성 나노 입자를 포함하는 도전성 나노 입자 잉크 또는 도전성 나노 입자 페이스트를 충진하는 단계, 상기 비아홀의 상부 개구부를 커버하는 도전 패턴을 포함하는 제2 도전 패턴을 상기 기판의 상면에 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법에 의하면, 도전성 나노 입자를 포함하는 도전성 나노 입자 잉크 또는 도전성 나노 입자 페이스트로 비아홀을 충진하여 비아를 형성함으로써, 비아 형성 공정을 단순화하고 비용을 절감할 수 있으며, 기판 신축 변형에 따른 불량 발생 등의 문제를 줄일 수 있다.
Abstract:
Beschrieben wird ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zum stoffschlüssigen Fügen von wenigstens zwei metallischen Anschlussstrukturen, die jeweils über einen ebenen oder gekrümmten Kontaktflächenbereich verfügen, von denen wenigstens ein Kontaktflächenbereich über eine dem Kontaktflächenbereich zuordenbare Kontaktfläche mit erhabenen Mikrostrukturelementen verfügt, bei dem beide Anschlussstrukturen gegenseitig derart in Kontakt gebracht werden, dass sich Stoffverbindungen zumindest zwischen den Mikrostrukturelementen und der gegenüberliegenden Anschlussstruktur ausbilden. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass Mikrostrukturelemente auf der Kontaktfläche wenigstens einer Anschlussstruktur in Form weitgehend orthogonal zur Kontaktfläche erhabener, rippenzugartig und steilflankig ausgebildeter Kristallite vorgesehen werden, die jeweils über einen scharfkantigen Rippengrat verfügen, und deren Anordnung auf der Kontaktfläche und Ausbildung in Form und Größe einer stochastischen Verteilung unterliegen. Die wenigstens zwei Anschlussstrukturen werden derart zusammengefügt, dass die Mikrostrukturelemente einer Anschlussstruktur mit ihren Rippengraten in Kontakt treten mit dem Kontaktflächenbereich der anderen Anschlussstruktur.