Abstract:
본 발명에서는 적어도 2가지의 열경화제를 포함하는 점착제 조성물 및 이를 이용한 전자부품 제조용 점착테이프를 제공한다. 온도에 따라 경화속도를 조절함으로써 상온에서는 기재와 점착력이 우수하고 180℃에서 전단응력이 높아 EMC 주입압력에 의해 다이(Die)가 밀리는 현상을 방지할 수 있다. 따라서 본 발명에 따르면 전자부품 제조 공정 중 수지봉지공정에서 수지봉지가 다이 또는 리드프레임 쪽으로 새어나가는 몰드플래쉬(Mold-flash)를 방지할 수 있다는 장점이 있다.
Abstract:
본 발명은 전자부품 제조용 점착테이프에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 점착제 층이 상온에서 점착력을 가지지 않으나 가열 라미네이션 공정 중에만 점착력이 발현되어 리드프레임에 라미네이션을 가능하게 할 수 있고 점착제 층의 추가적인 광경화로 인한 부분적 상호침투망상구조를 형성하여 반도체 장치의 제조 공정 중에 점착 테이프가 노출되는 열이력에 대하여 향상된 내열성을 가지며 반도체 장치의 제조 중의 장치의 신뢰성 향상에 도움이 되고 봉지재료의 누출을 방지하며 공정 완료 후 테이프가 제거될 시에 리드프레임이나 봉지재료에 점착제의 전사를 방지할 수 있는전자부품 제조용 점착테이프에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 전자부품 제조용 점착테이프는 내열 기재와 상기 내열 기재 상에 점착제 조성물이 도포된 점착제 층을 포함하는 전자부품 제조용 점착테이프에 있어서, 상기 점착제 조성물은 페녹시 수지, 열경화제, 에너지선 경화형 아크릴 수지 및 광개시제를 포함하고, 상기 점착제 층은 열경화 및 에너지선에 의해 경화된 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 기재에 고소수성을 부여하기 위한 기재의 표면을 고소수성으로 처리하는 표면처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 낮은 표면에너지를 가지고 코팅시에 높이의 차이를 보이는 2종류의 유기 실란 분자들을 코팅 과정에서의 자발적인 상분리 현상과 그들의 domain과 matrix의 높이 차이에서 오는 표면 조도로 고소수성의 연꽃잎 효과(Lotus effect)를 모사하여 코팅에 구현한 기재의 표면을 고소수성으로 처리하는 표면처리방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 기재의 표면을 고소수성으로 처리하는 표면처리방법은 기재에 결합하여 상기 기재의 표면이 고소수성을 나타내게 하는 표면 처리 방법에 있어서, CF 3 기를 작용기로 갖는 유기 실란과 상기 유기 실란보다 탄소 사슬의 길이가 짧고 CH 3 기를 작용기로 갖는 유기 실란을 사용하여 화학 기상 증착법에 의하여 혼합 자기조립 단분자막을 형성함으로써 고소수성의 표면을 얻는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 인쇄회로 기판에 홀이 형성되어 칩을 기판 내부에 삽입하는 임베디드 패키지에 있어서 임베디드 패키지 공정용 테이프가 인쇄회로 기판의 한쪽면에 부착되어 인쇄회로 기판의 홀에 의해 노출된 테이프의 점착층에 칩을 실장한 후 절연층 라미네이션 공정 이후 칩 쉬프트와 잔사가 남지 않고 상온에서 쉽게 박리될 수 있고, 특히 고온, 고압 조건하에서 라미네이션을 하여야 하는 절연층 라미네이션 공정 이후 박리하여도 임베디드 인쇄 회로 기판에 잔사가 남지 않는 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 고전압에서 전기적 신뢰성이 향상된 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 패키지용 접착 테이프에 관한 것이다. 본 발명의 접착제 조성물은 에폭시 기재수지에 가교밀도를 높여 경화 네트워크의 파괴인성을 높일 수 있도록 최적의 에폭시 경화제를 함유함으로써, 30V 이상의 고전압에서 전기적 신뢰성을 확보하고, 경화 네트워크 내에 분자간 엉킴이 강하여 200℃ 이상의 온도에서 우수한 고온 접착력 물성을 충족한다. 이에, 본 발명의 접착제 조성물은 와이어 본딩 또는 솔더링 등의 200℃ 이상의 고온 공정을 수반하는 반도체 패키지 분야에 유용한 접착 테이프로 유용하며, 엘리베이터나 자동차 반도체 패키지 등의 고전압을 인가하는 분야에도 유용하게 활용될 수 있다.
Abstract:
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device by using a heat-resistant adhesive sheet of an energy ray reactive type and more specifically, to a method for manufacturing a semiconductor device by using a heat-resistant adhesive sheet of an energy ray reactive type having excellent reliable operation which is capable of performing the peeling without residues on a metal lead frame and sealing resin surface as the heat-resistant adhesive sheet of the energy ray reactive type is attached after a mounting process in which is exposed at high temperatures for a long period of time (Post-tape process) and energy ray irradiation relative to the heat-resistant adhesive sheet of the energy ray reactive type is performed after completing a sealing step for introducing cross-linking reaction, capable of easily laminating the adhesive sheet and the metal lead frame by the high adhesion or wettability of the heat-resistant adhesive sheet of the energy ray reactive type before irradiating the energy, and capable of remarkably preventing the resin from discharging in the sealing step by the high adhesion or wettability of an adhesive layer. [Reference numerals] (AA) Pre-tape process figure; (BB) Post-tape process figure; (CC) Conventional process[figure 1]; (DD) Conventional process[figure 2]; (EE) Process of the present invention [figure 3]; (GG) Adhesive sheet laminate process; (HH,MM,SS) Die attach process; (II,NN,TT) Wire bonding process; (JJ,PP,VV) Epoxy molding process; (KK,QQ,XX) Adhesive sheet removing process; (LL,RR,FF) Lead frame preparing process; (OO,UU) Adhesive sheet lamination process; (WW) Light radiation process; (XX) Adhesive sheet removing process
Abstract:
PURPOSE: A film for a semiconductor package molding process with an antistatic property is provided to protect a lead and a terminal from a molding resin by masking the exposed parts of the lead and the terminal during a molding process. CONSTITUTION: A conductive layer(9) is coated on one side of a base film(1). A conductive layer formed on the base film is composed of conductive polymer. An adhesion layer(2) is spread on the conductive layer. The thickness of the adhesion layer is between 20 and 30um. The releasing property, the heat resistance property, and the durability are applied to the adhesion layer using an ultraviolet curing technique.