公开(公告)号：KR1020060127239A

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020067020163

申请日：2005-03-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아시가키시게오 ,  가토요시히로 ,  히로타요시히로 ,  무라키유스케 ,  가와사키데쓰 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/42 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67051 ,  H01J2237/3342

Abstract: Disclosed is a method for processing a substrate comprising a step for sequentially forming an Si-C film and a resist film on an object film to be etched which is formed on a substrate, a first etching step for etching the Si-C film using the resist film as a mask, and a second etching step for etching the object film using the resist film and the Si-C film as a mask. This method further comprises a separation step at a desired timing wherein the resist film is separated. The separation step has a preparation sub-step for preparing an organic solvent as a remover, and an application sub-step for applying the organic solvent to the resist film.

Abstract translation: 公开了一种用于处理衬底的方法，包括在形成在衬底上的被蚀刻对象膜上依次形成Si-C膜和抗蚀剂膜的步骤，用于使用该蚀刻步骤蚀刻Si-C膜的第一蚀刻步骤 抗蚀剂膜作为掩模，以及第二蚀刻步骤，用于使用抗蚀剂膜和Si-C膜作为掩模来蚀刻物体膜。 该方法还包括分离步骤，其中所述抗蚀剂膜被分离。 分离步骤具有制备作为除去剂的有机溶剂的制备子步骤和将有机溶剂施加到抗蚀剂膜的应用子步骤。

公开(公告)号：KR100857297B1

公开(公告)日：2008-09-05

申请号：KR1020067020163

申请日：2005-03-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아시가키시게오 ,  가토요시히로 ,  히로타요시히로 ,  무라키유스케 ,  가와사키데쓰 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/42 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은, 기판에 형성된 에칭 대상막의 위에, Si-C계막과, 레지스트막을 차례차례 형성하는 공정과, 상기 레지스트막을 마스크로 하여 상기 Si-C계막을 에칭하는 제 1 에칭공정과, 상기 레지스트막 및 상기 Si-C계막을 마스크로 하여 상기 에칭 대상막을 에칭하는 제 2 에칭공정을 구비한 기판의 처리방법에 관한 것이다. 본 방법은, 원하는 타이밍에서 상기 레지스트막을 박리하는 박리공정을 더 구비한다. 상기 박리공정은, 박리제로서의 유기용제를 준비하는 준비공정과, 상기 유기용제를 상기 레지스트막에 적용하는 적용공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR100375036B1

公开(公告)日：2003-05-09

申请号：KR1019970043254

申请日：1997-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모토다기미오 ,  가와사키데쓰

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05B15/52 ,  B05C5/0254 ,  B05C9/02 ,  Y10T156/1798

Abstract: Disclosed is an apparatus for forming a coating film for semiconductor processing, including a holder for holding a substrate, a coating solution supply device arranged to face one main surface of the substrate held by the holder and provided with a discharge port for supplying a coating solution onto the one main surface of the substrate, the coating solution forming a band-like stream having a width smaller than that of the substrate, a moving device for moving the coating solution supply device in parallel and relative to the substrate held by the holder to form a coating region and a non-coating region on the one main surface of the substrate, and a clearance retaining device for maintaining constant the distance between the discharge port of the coating solution supply device and the one main surface of the substrate.

Abstract translation: 本发明公开了一种用于形成用于半导体加工的涂膜的设备，该设备包括用于保持基板的保持器，涂覆溶液供应装置，该涂覆溶液供应装置被布置为面对由保持器保持的基板的一个主表面并且设置有用于供应涂覆溶液 在所述基板的一个主面上形成宽度比所述基板的宽度小的带状流的涂敷液，使所述涂敷液供给装置相对于所述保持架保持的所述基板平行移动的移动装置， 在基板的一个主表面上形成涂覆区域和非涂覆区域;以及间隙保持装置，用于保持涂覆溶液供给装置的排出口与基板的一个主表面之间的距离恒定。

公开(公告)号：KR1019980019187A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019970043253

申请日：1997-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와사키데쓰 ,  모토다기미오

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체웨이퍼와 같은 기판상에, 레지스트용액이나 현상액 등의 처리용액의 막을 형성하기 위한 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
대개위치에서 조정된 노즐의 토출구에 존재하는 처리용액의 상태를 노즐이 대기위치로 부터 사용위치로 이행할 때까지의 기간중 유지하여 둘수 있도록 하는데 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, (a) 기판의 둘레 가장자리부가 사용위치에 위치하도록 기판을 재치대상에 재치하고, 이 재치대상의 기판으로부터 떨어진 곳에 위치하는 대기위치에 노즐과 접촉조정부재를 준비하며, 나아가서는 대기위치와 사용위치와의 사이에 제거수단을 준비하는 공정과, (b) 상기 대기위치에서 상기 접촉조정부재에 용제를 부착시킴과 동시에, 이 접촉조정부재를 노즐에 대하여 상대적으로 이동시키고, 이 접촉조정부재에 부착한 용제에, 노즐의 액토출구에 존재하는 처리용액을 접촉시켜서 처리용액을 토출시키므로써, 노즐의 액토출구에 존재하는 처리용액의 상태를 조절하는 공정과, (c) 노즐로부터 토출되는 처리용액이, 상기 제거수단으로 이행되도록, 상기 대기위치로부터 상기 제거수단을 경유하여 사용위치로 노즐을 이행시키는 공정과, (d) 노� �로부터 처리용액을 토출시키면서 기판과 노즐을 상대적으로 이동시키므로써, 기판상에 처리용액의 막을 형성하는 공정 을 구비함을 특징으로 하는 기판처리방법을 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체웨이퍼와 같은 기판상에 처리용액의 막을 형성하기 위해 사용한다.

公开(公告)号：KR100505923B1

公开(公告)日：2005-10-25

申请号：KR1019970043253

申请日：1997-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와사키데쓰 ,  모토다기미오

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체웨이퍼와 같은 기판상에, 레지스트용액이나 현상액 등의 처리용액의 막을 형성하기 위한 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
대기위치에서 조정된 노즐의 토출구에 존재하는 처리용액의 상태를 노즐이 대기위치로 부터 사용위치로 이행할 때까지의 기간중 유지하여 둘수 있도록 하는데 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은,
(a) 기판의 둘레 가장자리부가 사용위치에 위치하도록 기판을 재치대상에 재치하고, 이 재치대상의 기판으로부터 떨어진 곳에 위치하는 대기위치에, 노즐과 접촉부재를 준비하며, 또한 대기위치와 사용위치와의 사이에 제거수단을 준비하는 공정과,
(b) 상기 대기위치에서 상기 접촉부재에 용제를 부착시킴과 동시에, 이 접촉부재를 노즐에 대하여 상대적으로 이동시키고, 이 접촉부재에 부착한 용제에 노즐의 액토출구에 존재하는 처리용액을 접촉시켜 액토출구에 존재하는 처리용액의 상태를 조절하는 공정과,
(c) 노즐로부터 토출되는 처리용액이 상기 제거수단상에 퇴적하도록, 상기 대기위치로부터 상기 제거수단을 경유하여 사용위치로 노즐을 이행시키면서, 노즐로부터 처리용액을 토출시키는 공정과,
(d) 기판과 노즐을 상대적으로 이동시키면서, 노즐로부터 처리용액을 토출시키는 것에 의해 기판상에 처리용액의 막을 형성하는 공정을 구비함을 특징으로 하는 기판처리방법을 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체웨이퍼와 같은 기판상에 처리용액의 막을 형성하기 위해 사용한다.

公开(公告)号：KR100341009B1

公开(公告)日：2002-11-29

申请号：KR1019970013042

申请日：1997-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모토다기미오 ,  야마구치기요미쓰 ,  마쓰다요시타카 ,  가와사키데쓰

IPC: H01L21/027

Abstract: [청구범위에 속한 기술분야]
LCD기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판에 레지스트를 도포하여 현상하는 기판의 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법에 관한 것이다.
[발명이 해결하려고 하는 기술적 과제]
기판을 유지한 스핀척 및 컵을 효율좋게 회전시키고 스루풋의 향상 및 제품수율의 향상을 도모하며, 장치의 소형화 및 제품수율의 향상을 도모한다.
[발명의 해결방법 및 요지]
본 발명의 기판의 레지스트 처리장치는, 기판을 수평유지하는 스핀척과, 이 스핀척을 가변으로 회전시키는 제 1 모터와, 스핀척에 유지된 기판의 윗면에 레지스트액을 뿌리는 노즐과, 기판을 내고들이기 위한 상부 개구 및 스핀척의 구동축이 지나는 하부개구를 구비하고, 스핀회전하는 기판으로 부터 원심분리된 액체를 받도록 스핀척에 유지된 기판을 둘러싸는 컵과, 컵의 상부개구에 씌워져서 기판 주위의 처리 스페이스를 규정하는 개폐덮개와, 컵을 스핀척과 독립적으로 가변으로 회전시키는 제 2 모터와, 서로 떨어진 상태에 있는 컵과 스핀척이 상호 접촉할 때까지 적어도 한쪽을 상대적으로 이동시키는 승강 실린더와, 이 승강 실린더에 의해 컵과 스핀척을 상호 접촉시켰을 때에, 컵과 스핀척과의 상호 접촉 부분을 기체밀폐적으로 시일하는 O-링 을 구비하며, 승강실린더에 의해 컵과 스핀척을 상호 접촉시켰을 때에, 컵의 하부개구가 스핀척에 의해 막혀서 기체 밀폐적인 처리 스페이스가 형성되고, 이 기체 밀폐적인 처리 스페이스를 유지하면서 제 1 및 제 2 모터에 의해 스핀척 및 컵을 동기회전시킨다.
[발명의 중요한 용도]
LCD기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판 레지스트 처리에 이용한다.

公开(公告)号：KR1019980019188A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019970043254

申请日：1997-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모토다기미오 ,  가와사키데쓰

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막 형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
균일한 두께의 얇은 도포막을 얻을 수 있는 반도체 처리용 도포막의 형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
기판을 유지하는 유지수단과, 유지수단에 의하여 유지된 기판의 한 주된 표면과 마주보도록 배치되며, 기판의 한 주된 표면상에 도포액을 공급하는 토출구가 마련되며, 도포액은 기판의 폭보다 적은 폭을 가지는 띠형상의 흐름을 형성하는 도포액 공급수단과, 기판의 한 주된 표면상에 도포영역 및 비도포영역을 형성하도록 유지수단에 의하여 유지된 기판에 상대적으로 평행하게 도포액 공급수단을 이동하기 위한 이동수단 및 기판의 한 주된 표면과 도포액 공급수단의 토출구 사이의 간격을 일정하게 유지하기 위한 간극 유지수단을 포함하여 구성되는 반도체처리용 도포막 형성장치가 개시된다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 기판 또는 액정 표시(LCD) 장치의 기판과 같은 박판형상의 기판이, 기판상에 도포막을 형성하기 위한 포토레지스트 용액 또는 현상액과 같은 처리용액으로 도포되는 장치에 사용됨.

公开(公告)号：KR1019970072021A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019970013042

申请日：1997-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모토다기미오 ,  야마구치기요미쓰 ,  마쓰다요시타카 ,  가와사키데쓰

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 속한 기술분야
LCD기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판에 레지스트를 도포하여 현상하는 기판의 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
기판을 유지한 스핀척 및 컵을 효율좋게 회전시키고, 스루풋의 향상 및 제품수율의 향상을 도모하여, 장치의 소형화 및 제품수율의 향상을 도모한다.
3. 발명의 해결방법 및 요지
본 발명의 기판의 레지스트 처리장치는, 기판을 수평유지하는 스핀척과, 이 스핀척을 가변으로 회전시키는 제1모터와, 스핀척에 유지된 기판의 윗면에 레지스트액을 뿌리는 노즐과, 기판을 내고들이기 위한 상부 개구 및 스핀척의 구동축이 지나는 하부개구를 구비하고, 스핀회전하는 기판으로부터 원심분리된 액체를 받도록 스핀척에 유지된 기판을 둘러싸는 컵과, 컵의 상부개구에 씌워져서 기판 주위의 처리 스페이스를 규정하는 개폐덮개와, 컵을 스핀척과 독립적으로 가변으로 회전시키는 제2모터와, 서로 떨어진 상태에 있는 컵과 스핀척이 상호 접촉할 때까지 적어도 한쪽을 상대적으로 이동시키는 승강 실린더와, 이 승강 실린더에 의해 컵과 스핀척을 상호 접촉시켰을 때에, 컵과 시핀척과의 상호 접촉 부분을 기체밀폐적으로 시일하는 O-링을 비하며, 승강실린더에 의해 컵과 스핀척을 상호 접촉시켰을 때에, 컵의 하부개구가 스핀척에 의해 막혀서 기체 밀폐적인 처리 스페이스가 형성되고, 이 기체 밀폐적인 처리 스페이스를 유지하면서 제1 및 제2모터에 의해 스핀척 및 컵을 동기회전시킨다.
4. 발명의 중요한 용도
LCD기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판 레지스트 처리에 이용한다.