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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020150064693A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020140170638
申请日：2014-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01P1/08
Abstract: (과제) 플라즈마의면 내균일성을개선가능한유전체창, 안테나및 플라즈마처리장치를제공한다. (해결수단) 이유전체창(16)의한쪽면측에는슬롯판(20)이배치된다. 유전체창(16)의다른쪽 면은, 고리형상의제 1 오목부(147)에둘러싸인평탄면과, 제 1 오목부(147)의저면에형성된복수의제 2 오목부(153)(153a~153g)를구비하고있다. 본발명의안테나는, 유전체창(16)과, 유전체창(16)의한쪽면에마련된슬롯판(20)을구비하고있고, 이것은플라즈마처리장치에적용할수 있다.
Abstract translation: 提供能够改善等离子体表面的均匀性的电介质窗，天线和等离子体处理装置。 插槽板（20）布置在电介质窗（16）的一侧。 由形成在第一凹部（147）的下侧的环状的第一凹部（147）和形成在第一凹部（147）的下侧的多个第二凹部（153,153a-153g）包围的平面形成在 电介质窗（16）。 根据本发明的天线包括形成在电介质窗（16）的一侧上并被施加到等离子体处理装置的电介质窗（16）和槽板（20）。
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公开(公告)号：KR1020150064020A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020157006043
申请日：2013-09-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 마츠모토나오키 , 도미타유고 , 미하라나오키 , 다카하시가즈키 , 아이타미치타카 , 요시카와준 , 센다다카히로 , 사토요시야스 , 가토가즈유키 , 스도우겐지 , 미즈스기히토시
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L29/66795
Abstract: 일실시형태의플라즈마처리장치에서는, 안테나로부터유전체창을통해마이크로파의에너지가처리용기내에도입된다. 이플라즈마처리장치는중앙도입부및 주변도입부를갖춘다. 중앙도입부의중앙도입구는, 기판을탑재하는탑재대의탑재영역의중앙을향해서개구되어, 유전체창의바로아래에가스를분사한다. 주변도입부의복수의주변도입구는, 중앙도입구보다도아래쪽이면서탑재대의위쪽에있어서원주방향을따라서배열되어있고, 탑재영역의가장자리를향해가스를분사한다. 중앙도입부에는, 반응성가스및 희가스의소스를포함하는복수의제1 가스소스가복수의제1 유량제어유닛을통해접속되어있다. 주변도입부에는, 반응성가스및 희가스의소스를포함하는복수의제2 가스소스가복수의제2 유량제어유닛을통해접속되어있다.
Abstract translation: 在等离子体处理设备的一个实施例中，微波的能量通过电介质窗口从天线引入到处理容器中。 该等离子体处理装置具有中心引入部分和外围引入部分。 中央引导部的中央引导开口朝向安装基板的安装台的安装区域的中央开口，并且将气体直接喷射到电介质窗的下方。 周边引导部的多个周缘引导槽在中央引导开口的下方沿着周向配置在载置台的上侧，并朝向安装区域的边缘喷射气体。 包括反应气体源和稀有气体的多个第一气源通过多个第一流量控制单元连接到中心入口。 包括反应气体源和稀有气体的多个第二气体源通过多个第二流量控制单元连接到外围引入部分。
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公开(公告)号：KR1020150016491A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：KR1020147029747
申请日：2013-05-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/32522 , H01J37/32743 , H01J37/32917 , H01J37/32935 , H01L21/3065 , H01L21/67248 , H01L21/02315 , H01L21/67739
Abstract: 플라즈마 처리 장치 PM1은, 플라즈마 처리 공간 S를 구획하는 처리 용기(12)와, 피처리 기판 W의 설치용 스테이지(14)와, 플라즈마 반응에 이용되는 처리 가스를 플라즈마 처리 공간 S에 도입하는 가스 공급계(38) 등을 구비한다. 또한, 플라즈마 처리 장치 PM1은, 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 전자 에너지를 공급하는 마이크로파 발생기(16)를 구비한다. 또한, 플라즈마 처리 장치 PM1은, 처리 용기(12)의 외부의 기판 반입 스테이지에 설치된 피처리 기판 W에 대한 플라즈마 처리 개시의 지령이 발행되어 피처리 기판 W가 처리 용기(12) 내에 반송되고 있는 동안에, 웨이퍼리스의 상태에서, 처리 가스를 공급함과 아울러 전자 에너지를 공급하는 웜업 처리를 행하는 제어부(100)를 구비한다.
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公开(公告)号：KR102102003B1
公开(公告)日：2020-04-20
申请号：KR1020147029747
申请日：2013-05-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/677
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